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1. (WO2020009133) 半導体原料の破砕方法又はクラック発生方法、及び半導体原料塊の製造方法
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国際公開番号: WO/2020/009133 国際出願番号: PCT/JP2019/026397
国際公開日: 09.01.2020 国際出願日: 03.07.2019
IPC:
B02C 19/18 (2006.01) ,B02C 19/00 (2006.01) ,B02C 23/36 (2006.01) ,C30B 15/00 (2006.01) ,C30B 29/06 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
B 処理操作;運輸
02
破砕,または粉砕;製粉のための穀粒の前処理
C
破砕,または粉砕一般;穀粒の粉砕
19
他の粉砕装置または方法
18
粉砕のため補助的な物理的効果,例.超音波,照射,の利用
B 処理操作;運輸
02
破砕,または粉砕;製粉のための穀粒の前処理
C
破砕,または粉砕一般;穀粒の粉砕
19
他の粉砕装置または方法
B 処理操作;運輸
02
破砕,または粉砕;製粉のための穀粒の前処理
C
破砕,または粉砕一般;穀粒の粉砕
23
破砕または粉砕に特に適した補助的方法または装置であって,グループ1/00から21/00に分類されないか,または単一の先行グループに包含される装置に特有でないもの
18
流体を加えるものであって,流体エネルギーによる破砕または粉砕のため以外のもの
36
破砕または粉砕区域が液中にあるもの
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
15
融液からの引出しによる単結晶成長,例.チョクラルスキー法
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02
元素
06
シリコン
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
三菱マテリアル株式会社 MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内三丁目2番3号 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008117, JP
発明者:
金井 昌弘 KANAI, Masahiro; JP
佐藤 力人 SATO, Rikito; JP
▲高▼杉 宗弘 TAKASUGI, Munehiro; JP
梅原 弘毅 UMEHARA, Koki; JP
代理人:
青山 正和 AOYAMA, Masakazu; JP
優先権情報:
2018-12775004.07.2018JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR FRAGMENTING OR METHOD FOR PRODUCING CRACKS IN SEMICONDUCTOR RAW MATERIAL, AND METHOD FOR PRODUCING MASS OF SEMICONDUCTOR RAW MATERIAL
(FR) PROCÉDÉ DE FRAGMENTATION OU PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FISSURES DANS UNE MATIÈRE PREMIÈRE SEMI-CONDUCTRICE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MASSE DE MATIÈRE PREMIÈRE SEMI-CONDUCTRICE
(JA) 半導体原料の破砕方法又はクラック発生方法、及び半導体原料塊の製造方法
要約:
(EN) Provided are a method for fragmenting or a method for producing cracks in a semiconductor raw material, and a method for producing a mass of a semiconductor raw material, the methods making it possible to suppress contamination from an electrode material that accompanies application of a high-voltage pulse. A method for fragmenting a semiconductor raw material or a method for producing cracks in a semiconductor raw material, the method involving applying a high-voltage pulse to a semiconductor raw material disposed within a liquid, wherein a novel fluid is supplied to the portion to which the high-voltage pulse is applied and/or to a peripheral edge part of an electrode part, and the novel fluid and part of the liquid are drawn out from the liquid and ejected.
(FR) L'invention concerne un procédé de fragmentation ou un procédé de production de fissures dans une matière première semi-conductrice et un procédé de production d'une masse d'une matière première semi-conductrice, les procédés permettant de supprimer la contamination à partir d'un matériau d'électrode, qui accompagne l'application d'une impulsion de haute tension. L'invention concerne également un procédé de fragmentation d'une matière première semi-conductrice ou un procédé de production de fissures dans une matière première semi-conductrice, le procédé impliquant l'application d'une impulsion de haute tension à une matière première semi-conductrice disposée à l'intérieur d'un liquide, un nouveau fluide étant fourni à la portion à laquelle est appliquée l'impulsion de haute tension et/ou à une partie de bord périphérique d'une partie d'électrode, et le nouveau fluide et une partie du liquide étant extraits du liquide et éjectés.
(JA) 高電圧パルス印加に伴う電極材料からの汚染を抑制することができる半導体原料の破砕方法又はクラック発生方法、及び半導体原料塊の製造方法を提供する。液体の中に配置された半導体原料に高電圧パルスを印加して、半導体原料を破砕する方法または半導体原料にクラックを発生させる方法において、高電圧パルスが印加される部分又は電極部の周辺部のうち少なくともいずれか一方に向けて、新たな流体を供給し、新たな流体及び液体の一部を液体中から吸引排出する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)