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1. (WO2020008965) 基板処理膜形成用組成物及び基板の処理方法
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国際公開番号: WO/2020/008965 国際出願番号: PCT/JP2019/025256
国際公開日: 09.01.2020 国際出願日: 25.06.2019
IPC:
H01L 21/304 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
発明者:
青木 俊 AOKI Shun; JP
片切 崇 KATAGIRI Takashi; JP
高梨 和憲 TAKANASHI Kazunori; JP
島 基之 SHIMA Motoyuki; JP
代理人:
天野 一規 AMANO Kazunori; JP
優先権情報:
2018-12783904.07.2018JP
発明の名称: (EN) COMPOSITION FOR FORMING SUBSTRATE PROCESSING FILM, AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE
(FR) COMPOSITION DESTINÉE À FORMER UNE PELLICULE DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET PROCÉDÉ DESTINÉ À TRAITER UN SUBSTRAT
(JA) 基板処理膜形成用組成物及び基板の処理方法
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to provide a composition for forming a substrate processing film and a method for processing a substrate, with which it is possible, in a process of forming the substrate processing film on the surface of a semiconductor substrate and removing foreign matter on the surface of the substrate, to efficiently remove minuscule particles on the surface of the substrate, and easily remove the formed substrate processing film from the surface of the substrate. The present invention is a composition for forming a substrate processing film used in a method for processing a substrate provided with a step for applying the composition for forming a substrate processing film onto a substrate and a step for bringing a substrate processing film removal solution into contact with the substrate processing film formed by the application step, wherein: the composition for forming a substrate processing film contains a resin and a solvent; the solvent contains a first solvent component having an average boiling point of 175°C or above; and the amount of the first solvent component contained relative to 100 mass parts of the resin is 1 mass part or above.
(FR) L’objet de la présente invention est de produire une composition destinée à former une pellicule de traitement de substrat et un procédé destiné à traiter un substrat, grâce auquel il est possible, lors d’un processus destiné à former la pellicule de traitement de substrat sur la surface d’un substrat semi-conducteur et à retirer de la matière étrangère sur la surface du substrat, de retirer efficacement de minuscules particules sur la surface du substrat, et de retirer facilement la pellicule de traitement de substrat formée de la surface du substrat. La présente invention est une composition destinée à former une pellicule de traitement de substrat utilisée lors d’un procédé destiné à traiter un substrat qui consiste en une étape destinée à appliquer la composition destinée à former une pellicule de traitement de substrat sur un substrat et en une étape destinée à amener une solution de retrait de pellicule de traitement de substrat en contact avec la pellicule de traitement de substrat formée par l’étape d’application : la composition destinée à former une pellicule de traitement de substrat contenant une résine et un solvant ; le solvant contenant un premier composant de solvant dont le point d’ébullition moyen est supérieur ou égal à 175 °C ; et la quantité du premier composant de solvant par rapport à 100 parties massiques de la résine étant supérieure ou égale à 1 partie massique.
(JA) 半導体基板の表面に基板処理膜を形成してこの基板表面の異物を除去するプロセスにおいて、基板表面の微小なパーティクルを効率よく除去でき、かつ形成された基板処理膜を基板表面から容易に除去することができる基板処理膜形成用組成物及び基板の処理方法の提供を目的とする。本発明は、基板に基板処理膜形成用組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成された基板処理膜に基板処理膜除去液を接触させる工程とを備える基板の処理方法に用いられる基板処理膜形成用組成物であって、樹脂と、溶媒とを含有し、上記溶媒が、標準沸点が175℃以上である第1溶媒成分を含み、上記樹脂100質量部に対する上記第1溶媒成分の含有量が1質量部以上である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)