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国際・国内特許データベース検索
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1. (WO2020008954) 基板処理方法及び基板処理装置
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国際公開番号: WO/2020/008954 国際出願番号: PCT/JP2019/025154
国際公開日: 09.01.2020 国際出願日: 25.06.2019
IPC:
H01L 21/302 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/67 (2006.01) ,H01L 21/677 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
677
移送のためのもの,例.異なるワ―クステーション間での移送
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
発明者:
中込 渉 NAKAGOMI, Wataru; JP
向山 達也 MUKOYAMA, Tatsuya; JP
窪田 茂 KUBOTA, Shigeru; JP
代理人:
金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo; JP
萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi; JP
扇田 尚紀 OGITA, Naoki; JP
三根 卓也 MINE, Takuya; JP
優先権情報:
2018-12773004.07.2018JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法及び基板処理装置
要約:
(EN) A substrate processing method which processes a substrate with use of a substrate processing apparatus that comprises a COR module for performing a COR treatment on the substrate, a heating module for performing a heat treatment on the substrate, and a cooling module for performing a cooling treatment on the substrate, and which comprises: a COR treatment step for performing a COR treatment on the substrate in a reduced pressure atmosphere by means of the COR module; a subsequent heat treatment step for carrying the substrate to the heating module and performing a heat treatment on the substrate in a reduced pressure atmosphere by means of the heating module; and a subsequent cooling step for carrying the substrate to the cooling module and performing a cooling treatment on the substrate in the atmosphere by means of the cooling module. With respect to this substrate processing method, a treatment cycle which comprises the COR treatment, the heat treatment and the cooling treatment is repeatedly performed on one same substrate.
(FR) L'invention concerne un procédé de traitement de substrat qui traite un substrat à l'aide d'un appareil de traitement de substrat qui comprend un module COR pour effectuer un traitement COR sur le substrat, un module de chauffage pour effectuer un traitement thermique sur le substrat, et un module de refroidissement pour effectuer un traitement de refroidissement sur le substrat, et qui comprend : une étape de traitement COR pour effectuer un traitement COR sur le substrat dans une atmosphère à pression réduite au moyen du module COR ; une étape de traitement thermique ultérieure consistant à porter le substrat au module de chauffage et à effectuer un traitement thermique sur le substrat dans une atmosphère à pression réduite au moyen du module de chauffage ; et une étape de refroidissement ultérieure pour porter le substrat vers le module de refroidissement et effectuer un traitement de refroidissement sur le substrat dans l'atmosphère au moyen du module de refroidissement. Par rapport à ce procédé de traitement de substrat, un cycle de traitement qui comprend le traitement COR, le traitement thermique et le traitement de refroidissement est réalisé de façon répétée sur un même substrat.
(JA) 基板処理装置を用いて基板を処理する基板処理方法であって、前記基板処理装置は、基板にCOR処理を行うCORモジュールと、基板に加熱処理を行う加熱モジュールと、基板に冷却処理を行う冷却モジュールと、を有し、前記基板処理方法は、前記CORモジュールにおいて減圧雰囲気下で基板にCOR処理を行うCOR処理工程と、その後、前記加熱モジュールに基板を搬送し、当該加熱モジュールにおいて減圧雰囲気下で基板を加熱処理する加熱処理工程と、その後、前記冷却モジュールに基板を搬送し、当該冷却モジュールにおいて大気雰囲気下で基板を冷却処理する冷却処理工程と、を有し、同一の基板に対して前記COR処理工程、前記加熱処理工程及び前記冷却処理工程を含む処理サイクルを繰り返し行う。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)