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1. (WO2020008933) エッチング方法及び基板処理装置
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国際公開番号: WO/2020/008933 国際出願番号: PCT/JP2019/024947
国際公開日: 09.01.2020 国際出願日: 24.06.2019
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
24
プラズマの発生
46
電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
発明者:
及川 翔 OIKAWA, Sho; JP
石田 和香子 ISHIDA, Wakako; JP
代理人:
伊東 忠重 ITOH, Tadashige; JP
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
優先権情報:
2018-12781604.07.2018JP
発明の名称: (EN) ETCHING METHOD, AND SUBSTRATE-PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) エッチング方法及び基板処理装置
要約:
(EN) Provided is an etching method performed in a substrate-processing apparatus having: a first electrode on which a substrate is placed; and a second electrode facing the first electrode, the method comprising: a first step for introducing a first gas and halfway etching a target film into a pattern of a predetermined film on the target film formed on the substrate; a second step for introducing a second gas including Ar gas, H2 gas, and deposition gas and applying DC voltage to the second electrode to form a protective film, the second step being performed after the first step; and a third step for introducing a third gas and etching the target film, the third step being performed after the step for forming the protective film.
(FR) L'invention concerne un procédé de gravure réalisé dans un appareil de traitement de substrat comprenant : une première électrode sur laquelle un substrat est placé ; et une seconde électrode faisant face à la première électrode, le procédé comprenant : une première étape consistant à introduire un premier gaz et à graver à mi-chemin un film cible en un motif d'un film prédéterminé sur le film cible formé sur le substrat ; une deuxiéme étape consistant à introduire un second gaz comprenant du gaz Ar, du gaz H2, et un gaz de dépôt et à appliquer une tension continue à la seconde électrode pour former un film de protection, la deuxième étape étant réalisée après la première étape ; et une troisième étape d'introduction d'un troisième gaz et de gravure du film cible, la troisième étape étant réalisée après l'étape de formation du film de protection.
(JA) 基板を載置する第1の電極と、前記第1の電極に対向する第2の電極とを有する基板処理装置におけるエッチング方法であって、第1のガスを導入し、基板に形成された対象膜上の所定膜のパターンに該対象膜を途中までエッチングする第1の工程と、前記第1の工程を実行した後にArガスとHガスと堆積性のガスとを含む第2のガスを導入し、前記第2の電極に直流電圧を印加し、保護膜を形成する第2の工程と、前記保護膜を形成する工程を実行した後に第3のガスを導入し、前記対象膜をエッチングする第3の工程と、を有する、エッチング方法が提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)