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1. (WO2020008928) プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
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国際公開番号: WO/2020/008928 国際出願番号: PCT/JP2019/024886
国際公開日: 09.01.2020 国際出願日: 24.06.2019
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
24
プラズマの発生
46
電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
発明者:
ビン ブディマン モハマド ファイルズ BIN BUDIMAN, Mohd Fairuz; JP
辻本 宏 TSUJIMOTO, Hiroshi; JP
代理人:
伊東 忠重 ITOH, Tadashige; JP
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
優先権情報:
2018-12781104.07.2018JP
発明の名称: (EN) PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE AU PLASMA ET DISPOSITIF DE GRAVURE AU PLASMA
(JA) プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
要約:
(EN) A plasma etching method for maintaining the interior of a processing container having a consumable member at a constant pressure and etching, by means of a plasma, a body being processed, wherein the plasma etching method has: a step for measuring the variation value in the time taken for the temperature of the consumable member to decrease, or the speed at which the temperature of the consumable member decreases, from a first temperature to a second temperature lower than the first temperature; and a step for estimating the degree of consumption of the consumable member on the basis of the measured variation value, in accordance with information indicating the correlation between the variation value and the degree of consumption of the consumable member.
(FR) L'invention concerne un procédé de gravure au plasma destiné à maintenir l'intérieur d'un récipient de traitement présentant un élément consommable à une pression et une gravure constantes, au moyen d'un plasma, un corps étant traité, le procédé de gravure au plasma présentant : une étape de mesure de la valeur de variation du temps nécessaire pour la réduction de la température de l'élément consommable ou de la vitesse de réduction de la température de l'élément consommable d'une première température à une seconde température inférieure à la première température ; et une étape d'estimation du degré de consommation de l'élément consommable sur la base de la valeur de variation mesurée en fonction d'informations indiquant la corrélation entre la valeur de variation et le degré de consommation de l'élément consommable.
(JA) 消耗部材を有する処理容器内を一定の圧力に維持し、被処理体をプラズマによりエッチングするプラズマエッチング方法であって、前記消耗部材の温度が第1温度から該第1温度よりも低い第2温度に達するまでの降温時間又は降温速度の変動値を計測する工程と、前記消耗部材の消耗度合いと前記変動値との相関を示す情報に応じて、計測した前記変動値に基づき前記消耗部材の消耗度合いを推定する工程と、を有するプラズマエッチング方法が提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)