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1. (WO2020008907) 受光素子、測距モジュール、および、電子機器
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国際公開番号: WO/2020/008907 国際出願番号: PCT/JP2019/024640
国際公開日: 09.01.2020 国際出願日: 21.06.2019
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,G01C 3/06 (2006.01) ,H01L 29/423 (2006.01) ,H04N 5/3745 (2011.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
G 物理学
01
測定;試験
C
距離,水準または方位の測定;測量;航行;ジャイロ計器;写真計量または映像計量
3
視準線上の距離測定;光学的距離計
02
細部
06
最終指示値を得るための電気的手段の使用
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
40
電極
41
その形状,相対的大きさまたは配置に特徴のあるもの
423
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さないもの
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374
アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
3745
1つの画素もしくはセンサマトリクス中の画素グループに接続された付加的構成を有しているもの,例.メモリ,A/D変換器,画素増幅器,共用回路もしくは共用の構成
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
片山 泰志 KATAYAMA Hiroshi; JP
代理人:
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
三浦 勇介 MIURA Yusuke; JP
優先権情報:
2018-12911306.07.2018JP
発明の名称: (EN) LIGHT-RECEIVING ELEMENT, RANGING MODULE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE RÉCEPTION DE LUMIÈRE, MODULE DE TÉLÉMÉTRIE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 受光素子、測距モジュール、および、電子機器
要約:
(EN) This technology pertains to an electronic device, a ranging module, and a light-receiving element configured so as to be capable of reducing signal degradation when transferring a charge. The light-receiving element comprises a pixel that at least has: first and second charge retaining units that retain a charge generated by a photodiode; a first transfer transistor that transfers the charge to the first charge retaining unit; and a second transfer transistor that transfers the charge to the second charge retaining unit. The first and second transfer transistors are configured using vertical transistors that have vertical gate electrodes. This technology can be applied to a light-receiving element or the like that performs ranging via indirect ToF.
(FR) La présente invention se rapporte à un dispositif électronique, à un module de télémétrie, et à un élément de réception de lumière configurés de façon à pouvoir réduire la dégradation du signal lors du transfert d'une charge. L'élément de réception de lumière comprend un pixel qui comprend au moins : des première et seconde unités de retenue de charge qui retiennent une charge générée par une photodiode ; un premier transistor de transfert qui transfère la charge à la première unité de retenue de charge ; et un second transistor de transfert qui transfère la charge à la seconde unité de retenue de charge. Les premier et second transistors de transfert sont configurés à l'aide de transistors verticaux qui ont des électrodes de grille verticales. Cette technologie peut être appliquée à un élément de réception de lumière ou analogue qui effectue une télémétrie par ToF indirect.
(JA) 本技術は、電荷転送時の信号劣化を低減することができるようにする受光素子、測距モジュール、および、電子機器に関する。 受光素子は、フォトダイオードで生成された電荷を保持する第1および第2の電荷保持部と、電荷を第1の電荷保持部に転送する第1の転送トランジスタと、電荷を第2の電荷保持部に転送する第2の転送トランジスタとを少なくとも有する画素を備え、第1および第2の転送トランジスタは、縦ゲート電極部を有する縦型トランジスタで構成されている。本技術は、例えば、間接ToF方式による測距を行う受光素子等に適用できる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)