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1. (WO2020008888) 被処理基板にシリコン膜を形成する方法
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国際公開番号: WO/2020/008888 国際出願番号: PCT/JP2019/024413
国際公開日: 09.01.2020 国際出願日: 20.06.2019
IPC:
H01L 21/208 (2006.01) ,C01B 33/02 (2006.01) ,C01B 33/04 (2006.01) ,C30B 7/06 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
208
液相成長を用いるもの
C 化学;冶金
01
無機化学
B
非金属元素;その化合物
33
けい素;その化合物
02
けい素
C 化学;冶金
01
無機化学
B
非金属元素;その化合物
33
けい素;その化合物
04
けい素の水素化物
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
7
常温で液体の溶媒を用いる溶液からの単結晶成長,例.水溶液
02
溶媒の蒸発によるもの
06
非水性溶媒を用いるもの
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学 JAPAN ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 石川県能美市旭台一丁目1番地 1-1, Asahidai, Nomi-shi, Ishikawa 9231292, JP
発明者:
橋本 浩幸 HASHIMOTO, Hiroyuki; JP
田中 有紀 TANAKA, Yuki; JP
増田 貴史 MASUDA, Takashi; JP
下田 達也 SHIMODA, Tatsuya; JP
代理人:
特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE; 東京都千代田区霞が関3丁目8番1号 虎の門三井ビルディング Toranomon Mitsui Building, 8-1, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013, JP
優先権情報:
2018-12733104.07.2018JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR FORMING SILICON FILM ON SUBSTRATE TO BE PROCESSED
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN FILM DE SILICIUM SUR UN SUBSTRAT À TRAITER
(JA) 被処理基板にシリコン膜を形成する方法
要約:
(EN) A method for forming a silicon film on a substrate to be processed, the method comprising: (A) a step for forming a coating film by coating, onto a substrate to be processed, a solution in which a silane polymer is dissolved in a mixed solvent that comprises a first solvent comprising a six- to eight-membered monocyclic saturated carbocyclic ring in each molecule and having a boiling point of less than 160 °C, and comprises a second solvent comprising a saturated carbocyclic ring or a partially saturated carbocyclic ring in each molecule and having a boiling point of at least 160 °C; and (B) a step for heating the coating film.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'un film de silicium sur un substrat à traiter, le procédé comprenant : (A) une étape de formation d'un film de revêtement par revêtement, sur un substrat à traiter, une solution dans laquelle un polymère de silane est dissous dans un solvant mixte qui comprend un premier solvant comprenant un cycle carbocyclique saturé monocyclique à six à huit chaînons dans chaque molécule et ayant un point d'ébullition inférieur à 160 °C, et comprend un second solvant comprenant un cycle carbocyclique saturé ou un noyau carbocyclique partiellement saturé dans chaque molécule et ayant un point d'ébullition d'au moins 160 °C ; et (B) une étape consistant à chauffer le film de revêtement.
(JA) (A)分子中に6~8員の単環式飽和炭素環を含み沸点が160℃未満である第1の溶媒と分子中に飽和炭素環又は部分飽和炭素環を含み沸点が160℃以上である第2の溶媒を含む混合溶媒にシランポリマーを溶解させた溶液を、被処理基板に塗布して塗布膜を形成する工程、及び(B)塗布膜を加熱する工程を含む、被処理基板にシリコン膜を形成する方法。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)