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1. (WO2020008882) デバイス層転写基板の製造方法及びデバイス層転写基板
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国際公開番号: WO/2020/008882 国際出願番号: PCT/JP2019/024300
国際公開日: 09.01.2020 国際出願日: 19.06.2019
IPC:
H01L 21/02 (2006.01) ,C09J 183/04 (2006.01) ,G02F 1/13 (2006.01) ,G09F 9/00 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01) ,H01L 27/12 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
J
接着剤;接着方法一般の非機械的観点;他に分類されない接着方法;物質の接着剤としての使用
183
主鎖のみに,いおう,窒素,酸素または炭素を含みまたは含まずにけい素を含む結合を形成する反応によって得られる高分子化合物に基づく接着剤;そのような重合体の誘導体に基づく接着剤
04
ポリシロキサン
G 物理学
02
光学
F
光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1
独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01
強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13
液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
F
表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9
情報が個別素子の選択または組合わせによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
12
基板が半導体本体以外のもの,例.絶縁体本体
出願人:
信越化学工業株式会社 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目6番1号 6-1, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
発明者:
小西 繁 KONISHI, Shigeru; JP
久保田 芳宏 KUBOTA, Yoshihiro; JP
川合 信 KAWAI, Makoto; JP
飛坂 優二 TOBISAKA, Yuji; JP
代理人:
奥山 尚一 OKUYAMA, Shoichi; JP
松島 鉄男 MATSUSHIMA, Tetsuo; JP
森本 聡二 MORIMOTO, Toshiji; JP
中村 綾子 NAKAMURA, Ayako; JP
優先権情報:
2018-12844205.07.2018JP
発明の名称: (EN) DEVICE-LAYER-TRANSFERRED SUBSTRATE PRODUCTION METHOD AND DEVICE LAYER-TRANSFERRED SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT TRANSFÉRÉ PAR COUCHE DE DISPOSITIF ET SUBSTRAT TRANSFÉRÉ PAR COUCHE DE DISPOSITIF
(JA) デバイス層転写基板の製造方法及びデバイス層転写基板
要約:
(EN) Provided is a method that is for transferring a device layer on a transparent substrate and that can be easily implemented at the wafer level in a large caliber with a high yield rate. This device-layer-transferred substrate production method comprises: a step for temporarily bonding, to a supporting substrate 15 using a temporary adhesive 16, a device-layer side of an SOI wafer 14 including a silicon layer 11, an insulator layer 12, and a device layer 13; a step for obtaining a thinned device wafer by removing the silicon layer 11 of the SOI wafer 14 until the insulator layer 12 is exposed; a step for applying a transfer adhesive 18 to a transparent substrate 17 and/or the insulator layer 12 being exposed in the thinned device wafer; a step for bonding, by means of the transfer adhesive 18, the transparent substrate 17 and the insulator layer 12 being exposed in the thinned device wafer; and a step for removing the supporting substrate 15, in a state where warpage is corrected if there is any warpage found in the thinned device wafer, the transparent substrate 17, and the bonded body thereof.
(FR) L'invention concerne un procédé qui permet de transférer une couche de dispositif sur un substrat transparent et qui peut être facilement mis en œuvre au niveau de la tranche dans un grand calibre avec un rendement élevé. Ce procédé de production de substrat transféré par couche de dispositif comprend : une étape de liaison temporaire, à un substrat de support 15 à l'aide d'un adhésif temporaire 16, d'un côté couche de dispositif d'une tranche de SOI 14 comprenant une couche de silicium 11, une couche isolante 12 et une couche de dispositif 13 ; une étape consistant à obtenir une tranche de dispositif amincie par retrait de la couche de silicium 11 de la tranche SOI 14 jusqu'à ce que la couche isolante 12 soit exposée ; une étape d'application d'un adhésif de transfert 18 sur un substrat transparent 17 et/ou de la couche isolante 12 étant exposée dans la tranche de dispositif amincie ; une étape de collage, au moyen de l'adhésif de transfert 18, du substrat transparent 17 et de la couche isolante 12 étant exposée dans la tranche de dispositif amincie ; et une étape pour retirer le substrat de support 15, dans un état dans lequel un gauchissement est corrigé s'il y a un gauchissement quelconque trouvé dans la tranche de dispositif aminci, le substrat transparent 17, et le corps collé de celui-ci.
(JA) ウェハレベルで実施でき、歩留まりよく且つ大口径で実施することが容易な、デバイス層を透明基板上に転写する方法を提供する。 シリコン層11と絶縁体層12とデバイス層13とを含むSOIウェハ14の前記デバイス層側を、仮接合用接着剤16を用いて支持基板15に仮接合する工程と、前記SOIウェハ14の前記シリコン層11を前記絶縁体層12が露出するまで除去して薄化デバイスウェハを得る工程と、前記薄化デバイスウェハの前記露出した絶縁体層12または透明基板17の少なくとも一方に転写用接着剤18を塗布する工程と、前記転写用接着剤18を介して、前記薄化デバイスウェハの前記露出した絶縁体層12と前記透明基板17とを接合する工程と、前記薄化デバイスウェハと前記透明基板17と接合体に反りがある場合には反りを矯正した状態で前記支持基板15を除去する工程とを含む、デバイス層転写基板の製造方法。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)