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1. (WO2020008871) 基板処理システムおよび基板処理方法
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国際公開番号: WO/2020/008871 国際出願番号: PCT/JP2019/024201
国際公開日: 09.01.2020 国際出願日: 19.06.2019
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
24
プラズマの発生
46
電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
発明者:
遠藤 宏紀 ENDO, Hiroki; JP
中村 健一郎 NAKAMURA, Kenichiro; JP
代理人:
特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE; 東京都千代田区霞が関3丁目8番1号 虎の門三井ビルディング Toranomon Mitsui Building, 8-1, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013, JP
優先権情報:
2018-12655503.07.2018JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理システムおよび基板処理方法
要約:
(EN) A substrate processing system comprises a mounting table on which a substrate is mounted, a heater that heats the substrate by being supplied with power, a power supply unit that supplies power to the heater, a sensor that measures a resistance value of the heater, and a control device. The control device records a conversion table in which a plurality of resistance values are associated with a plurality of temperatures, and acquires a reference resistance value measured by the sensor when a heater temperature is equal to a reference temperature. The control device further acquires a temperature adjustment resistance value measured by the sensor when the substrate is heated by the heater, and controls the power supply unit based on the conversion table, the reference temperature, the reference resistance value, and the temperature adjustment resistance value.
(FR) L'invention concerne un système de traitement de substrat comprenant une table de montage sur laquelle un substrat est monté, un dispositif de chauffage qui chauffe le substrat en étant alimenté en énergie, une unité d'alimentation électrique qui fournit de l'énergie au dispositif de chauffage, un capteur qui mesure une valeur de résistance de l'élément chauffant, et un dispositif de commande. Le dispositif de commande enregistre une table de conversion dans laquelle une pluralité de valeurs de résistance sont associées à une pluralité de températures, et acquiert une valeur de résistance de référence mesurée par le capteur lorsqu'une température de dispositif de chauffage est égale à une température de référence. Le dispositif de commande acquiert en outre une valeur de résistance de réglage de température mesurée par le capteur lorsque le substrat est chauffé par le dispositif de chauffage, et commande l'unité d'alimentation électrique sur la base de la table de conversion, de la température de référence, de la valeur de résistance de référence et de la valeur de résistance de réglage de température.
(JA) 基板処理システムは、基板が載置される載置台と、電力が供給されることにより基板を加熱するヒータと、ヒータに電力を供給する電力供給部と、ヒータの抵抗値を測定するセンサと、制御装置とを備えている。制御装置は、複数の抵抗値を複数の温度に対応付ける変換テーブルを記録し、ヒータの温度がリファレンス温度であるときにセンサにより測定されるリファレンス抵抗値を取得する。制御装置は、さらに、ヒータにより基板が加熱されているときにセンサにより測定される温調用抵抗値を取得し、変換テーブルとリファレンス温度とリファレンス抵抗値と温調用抵抗値とに基づいて電力供給部を制御する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)