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1. (WO2020008853) 磁気トンネル接合素子及び半導体装置
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国際公開番号: WO/2020/008853 国際出願番号: PCT/JP2019/023979
国際公開日: 09.01.2020 国際出願日: 17.06.2019
IPC:
H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 43/02 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
細部
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08
磁界制御抵抗
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
10
材料の選択
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
苅屋田 英嗣 KARIYADA, Eiji; JP
谷川 博信 TANIGAWA, Hironobu; JP
鈴木 哲広 SUZUKI, Tetsuhiro; JP
代理人:
特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE; 東京都千代田区霞が関3丁目8番1号 虎の門三井ビルディング Toranomon Mitsui Building, 8-1, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013, JP
優先権情報:
2018-12772204.07.2018JP
発明の名称: (EN) MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE JONCTION À EFFET TUNNEL MAGNÉTIQUE ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 磁気トンネル接合素子及び半導体装置
要約:
(EN) A magnetic tunnel junction element (1), comprising: a fixed-magnetization layer (120) in which the direction of magnetization is fixed; a first insulation layer (130) provided on the fixed-magnetization layer and formed from an insulating material; a magnetization free layer (140) provided on the first insulation layer; an adjacent layer (150) provided adjacently on the magnetization free layer and formed from a non-magnetic transition metal; and a cap layer (160) provided on the adjacent layer and formed from a multilayer structure including at least one barrier layer (163) formed from the non-magnetic transition metal.
(FR) L'invention concerne un élément de jonction à effet tunnel magnétique (1), comprenant : une couche à magnétisation fixe (120) dans laquelle la direction de magnétisation est fixée ; une première couche d'isolation (130) disposée sur la couche à magnétisation fixe et formée d'un matériau isolant ; une couche libre à magnétisation (140) disposée sur la première couche d'isolation ; une couche adjacente (150) disposée de manière adjacente sur la couche libre à magnétisation et formée d'un métal de transition non magnétique ; et une couche de recouvrement (160) disposée sur la couche adjacente et formée à partir d'une structure multicouche comprenant au moins une couche barrière (163) formée du métal de transition non magnétique.
(JA) 磁化の向きが固定された磁化固定層(120)と、前記磁化固定層の上に設けられ、絶縁材料で形成された第1絶縁層(130)と、前記第1絶縁層の上に設けられた磁化自由層(140)と、前記磁化自由層の上に隣接して設けられ、非磁性遷移金属で形成された隣接層(150)と、前記非磁性遷移金属で形成されたバリア層(163)を少なくとも1つ以上含む多層構造で形成され、前記隣接層の上に設けられたキャップ層(160)と、を備える、磁気トンネル接合素子(1)。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)