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1. (WO2020008839) 光電子素子、これを用いた平面ディスプレイ、及び光電子素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2020/008839 国際出願番号: PCT/JP2019/023604
国際公開日: 09.01.2020 国際出願日: 14.06.2019
IPC:
H05B 33/14 (2006.01) ,G09F 9/30 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 31/0352 (2006.01) ,H01L 51/44 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
12
実質的に2次元放射面をもつ光源
14
エレクトロルミネッセンス材料の配置あるいは化学的または物理的組成によって特徴づけられたもの
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
F
表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9
情報が個別素子の選択または組合わせによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30
必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
28
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる構成部品を含むもの
32
光放出に特に適用される構成部品を有するもの,例.有機発光ダイオードを使用したフラットパネル・ディスプレイ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
0248
半導体本体に特徴のあるもの
0352
半導体本体の形状にまたは半導体領域の形状,相対的大きさまたは配列に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
42
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応に特に適用されるもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
44
装置の細部
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
出願人:
国立大学法人東京工業大学 TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 東京都目黒区大岡山2丁目12番1号 2-12-1, Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 1528550, JP
発明者:
細野 秀雄 HOSONO, Hideo; JP
金 正煥 KIM, Junghwan; JP
雲見 日出也 KUMOMI, Hideya; JP
代理人:
伊東 忠重 ITOH, Tadashige; JP
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
優先権情報:
2018-12633202.07.2018JP
発明の名称: (EN) OPTOELECTRONIC ELEMENT, FLAT DISPLAY IN WHICH SAME IS USED, AND METHOD FOR MANUFACTURING OPTOELECTRONIC ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT OPTOÉLECTRONIQUE, ÉCRAN PLAT DANS LAQUELLE IL EST UTILISÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT OPTOÉLECTRONIQUE
(JA) 光電子素子、これを用いた平面ディスプレイ、及び光電子素子の製造方法
要約:
(EN) Provided is an optoelectronic element in which leak current is suppressed, and good photoluminescence properties are obtained at a low voltage. In this optoelectronic element, an active layer containing inorganic particles, and an oxide semiconductor conductive layer containing at least zinc (Zn), silicon (Si), and oxygen (O), are laminated.
(FR) L'invention concerne un élément optoélectronique dans lequel un courant de fuite est supprimé, et de bonnes propriétés de photoluminescence sont obtenues à basse tension. Dans cet élément optoélectronique, une couche active contenant des particules inorganiques, et une couche conductrice semi-conductrice d'oxyde contenant au moins du zinc (Zn), du silicium (Si) et de l'oxygène (O), sont stratifiées.
(JA) リーク電流が抑制され、低電圧で良好なフォトルミネセンス特性を有する光電子素子を提供する。光電子素子において、無機粒子を含む活性層と、少なくとも亜鉛(Zn)、珪素(Si)、及び酸素(O)を含む酸化物半導体導層とが積層されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)