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1. WO2020008831 - 基板熱処理装置及び基板熱処理方法

公開番号 WO/2020/008831
公開日 09.01.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/023477
国際出願日 13.06.2019
IPC
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H01L 21/027 (2006.01)
H01L 21/304 (2006.01)
CPC
H01L 21/027
H01L 21/304
出願人
  • 株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神北町1番地の1 Tenjinkita-machi 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
発明者
  • 岡本 大輝 OKAMOTO Daiki; JP
  • 芝 康裕 SHIBA Yasuhiro; JP
  • 和食 雄大 WAJIKI Takehiro; JP
代理人
  • 杉谷 勉 SUGITANI Tsutomu; JP
優先権情報
2018-12614402.07.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE HEAT PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE HEAT PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT THERMIQUE DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT THERMIQUE DE SUBSTRAT
(JA) 基板熱処理装置及び基板熱処理方法
要約
(EN)
According to the present invention, a plurality of exhaust ducts (29) are distributed and disposed over the entire surface of a substrate (W) when viewed in a plan view, whereby the gas of a processing atmosphere (pa) is exhausted from locations distributed over the entire surface of a substrate (W) when viewed in a plan view. Therefore, the distance from the inert gas supplied to the processing atmosphere (pa) to any of the exhaust ducts (29) can be shorter than that in prior arts, whereby the flow of the inert gas on the surface of the substrate (W) is stable and unevenness in the flow of the inert gas can be suppressed. Thus, a film to be coated is not adversely affected and uniformity of the film thickness can be improved.
(FR)
Selon la présente invention, une pluralité de conduits d'échappement (29) sont répartis et disposés sur toute la surface d'un substrat (W) vu dans une vue en plan, ce par quoi le gaz d'une atmosphère de traitement (pa) est évacué à partir d'emplacements répartis sur toute la surface d'un substrat (W) lorsqu'il est observé dans une vue en plan. Par conséquent, la distance du gaz inerte fourni à l'atmosphère de traitement (pa) à l'un quelconque des conduits d'échappement (29) peut être plus courte que celle dans les arts antérieurs, ce par quoi l'écoulement du gaz inerte sur la surface du substrat (W) est stable et l'irrégularité de l'écoulement du gaz inerte peut être supprimée. Ainsi, un film à revêtir n'est pas affecté négativement et l'uniformité de l'épaisseur du film peut être améliorée.
(JA)
複数個の排気ダクト(29)は、平面視で基板(W)の全面に分散して配置されているので、処理雰囲気(pa)の気体が平面視で基板(W)の全面に分散した箇所から排気される。したがって、処理雰囲気(pa)に供給された不活性ガスからいずれかの排気ダクト(29)までの距離が従来に比べて短くできるので、基板(W)の表面上における不活性ガスの気流が安定し、不活性ガスの気流のムラを抑制できる。したがって、塗布被膜が悪影響を受けることがなく、膜厚均一性を向上できる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報