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1. (WO2020008682) 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
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国際公開番号: WO/2020/008682 国際出願番号: PCT/JP2019/008424
国際公開日: 09.01.2020 国際出願日: 04.03.2019
IPC:
H01L 21/318 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
318
窒化物からなるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
455
ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
316
酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
出願人:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 1010045, JP
発明者:
八田 啓希 HATTA Hiroki; JP
花島 建夫 HANASHIMA Takeo; JP
栗林 幸永 KURIBAYASHI Koei; JP
曽根 新 SONE Shin; JP
代理人:
福岡 昌浩 FUKUOKA Masahiro; JP
阿仁屋 節雄 ANIYA Setuo; JP
優先権情報:
2018-12851805.07.2018JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE-PROCESSING DEVICE, AND PROGRAM
(FR) PROCÉDÉ DESTINÉ À FABRIQUER UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET PROGRAMME
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
要約:
(EN) This method for manufacturing a semiconductor device comprises a step of forming a film on substrates by performing, a predetermined number of times, a cycle in which (a) a step of performing, a predetermined number of times, a first set and (b) a step of performing, a predetermined number of times, a second set are non-simultaneously performed, the first set comprisng a step of supplying, through first jet ports of first nozzles disposed along a substrate arrangement direction of a substrate arrangement region in which substrates are arranged, a raw material to the substrates and a step of supplying a reactant to the substrates are non-simultaneously performed, and the second set comprising a step of supplying, through second jet ports of second nozzles disposed along the substrate arrangement direction of the substrate arrangement region, the raw material to the substrates and a step of supplying the reactant to the substrates are non-simultaneously performed. The first nozzles and the second nozzles have different structures, and at least part of a region in which the first jet ports are installed in the first nozzles and at least part of a region in which the second jet ports are installed in the second nozzles are overlapped in the substrate arrangement direction.
(FR) La présente invention concerne un procédé destiné à fabriquer un dispositif semi-conducteur qui consiste en une étape destinée à former une pellicule sur des substrats en mettant en œuvre, un nombre préétabli de fois, un cycle selon lequel (a) une étape destinée à mettre en œuvre, un nombre préétabli de fois, un premier ensemble et (b) une étape destinée à mettre en œuvre, un nombre préétabli de fois, un deuxième ensemble sont conduites non simultanément, le premier ensemble consistant en ce qu’une étape destinée à injecter, à travers de premiers ports de jet de premières buses disposées le long d’une direction d’agencement de substrats d’une zone d’agencement de substrats dans laquelle des substrats sont agencés, une matière première vers les substrats et une étape destinée à injecter un réactif vers les substrats sont conduites non simultanément, et le deuxième ensemble consistant en ce qu’une étape destinée à injecter, à travers de deuxièmes ports de jet de deuxièmes buses disposées le long de la direction d’agencement de substrats de la zone d’agencement de substrats, la matière première vers les substrats et une étape destinée à injecter le réactif vers les substrats sont conduites non simultanément. Les premières buses et les deuxièmes buses ont des structures différentes, et au moins une partie d’une zone dans laquelle les premiers ports de jet sont installés dans les premières buses et au moins une partie d’une zone dans laquelle les deuxièmes ports de jet sont installés dans les deuxièmes buses sont superposées dans la direction d’agencement de substrats.
(JA) (a)基板が配列される基板配列領域の基板配列方向に沿って配置された第1ノズルの第1噴出口より基板に対して原料を供給する工程と、基板に対して反応体を供給する工程と、を非同時に行う第1セットを所定回数行う工程と、(b)基板配列領域の基板配列方向に沿って配置された第2ノズルの第2噴出口より基板に対して原料を供給する工程と、基板に対して反応体を供給する工程と、を非同時に行う第2セットを所定回数行う工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、基板上に膜を形成する工程を有し、第1ノズルの構造と第2ノズルの構造とを異ならせ、かつ、第1ノズルにおける第1噴出口の設置領域の少なくとも一部と、第2ノズルにおける第2噴出口の設置領域の少なくとも一部とを、基板配列方向において重複させる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)