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1. (WO2020004670) 分極ツイストを示す誘電体材料、分極を制御可能な誘電体構造体、並びにこれを使用したキャパシタ及び圧電素子、並びにセラミックス、並びにこれを使用したキャパシタ及び圧電素子
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国際公開番号: WO/2020/004670 国際出願番号: PCT/JP2019/026162
国際公開日: 02.01.2020 国際出願日: 01.07.2019
IPC:
C30B 29/32 (2006.01) ,C01G 29/00 (2006.01) ,C30B 29/30 (2006.01) ,H01G 4/08 (2006.01) ,H01G 4/12 (2006.01) ,H01L 41/187 (2006.01) ,H01L 41/253 (2013.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
16
酸化物
22
複合酸化物
32
チタン酸塩;ゲルマニウム酸塩;モリブデン酸塩;タングステン酸塩
C 化学;冶金
01
無機化学
G
サブクラスC01DまたはC01Fに包含されない金属を含有する化合物
29
ビスマス化合物
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
16
酸化物
22
複合酸化物
30
ニオブ酸塩;バナジン酸塩;タンタル酸塩
H 電気
01
基本的電気素子
G
コンデンサ;電解型のコンデンサ,整流器,検波器,開閉装置,感光装置また感温装置
4
固定コンデンサ;その製造方法
002
細部
018
誘電体
06
固体誘電体
08
無機誘電体
H 電気
01
基本的電気素子
G
コンデンサ;電解型のコンデンサ,整流器,検波器,開閉装置,感光装置また感温装置
4
固定コンデンサ;その製造方法
002
細部
018
誘電体
06
固体誘電体
08
無機誘電体
12
セラミック誘電体
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41
圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
16
材料の選択
18
圧電または電歪素子用
187
セラミック組成物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41
圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
22
圧電または電歪装置またはその部品の組み立て,製造または処理に特に適用される方法または装置
253
圧電特性または電歪特性を修正する装置またはその部品の取扱い,例.分極の特徴,振動の特徴またはモード同調
出願人:
国立大学法人 東京大学 THE UNIVERSITY OF TOKYO [JP/JP]; 東京都文京区本郷七丁目3番1号 3-1, Hongo 7-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1138654, JP
発明者:
野口 祐二 NOGUCHI, Yuji; JP
北中 佑樹 KITANAKA, Yuki; JP
野元 颯 NOMOTO, Hayate; JP
代理人:
在原 元司 ARIHARA Motoji; JP
優先権情報:
2018-12434429.06.2018JP
発明の名称: (EN) DIELECTRIC MATERIAL EXHIBITING POLARIZATION TWIST, DIELECTRIC STRUCTURE IN WHICH POLARIZATION CAN BE CONTROLLED AND CAPACITOR AND PIEZOELECTRIC ELEMENT EACH USING SAME, AND CERAMIC AND CAPACITOR AND PIEZOELECTRIC ELEMENT EACH USING SAME
(FR) MATÉRIAU DIÉLECTRIQUE PRÉSENTANT UNE TORSION DE POLARISATION, STRUCTURE DIÉLECTRIQUE DANS LAQUELLE LA POLARISATION PEUT ÊTRE RÉGLÉE ET CONDENSATEUR ET ÉLÉMENT PIÉZOÉLECTRIQUE UTILISANT CHACUN CELLE-CI ET CÉRAMIQUE ET CONDENSATEUR ET ÉLÉMENT PIÉZOÉLECTRIQUE UTILISANT CHACUN CELLE-CI
(JA) 分極ツイストを示す誘電体材料、分極を制御可能な誘電体構造体、並びにこれを使用したキャパシタ及び圧電素子、並びにセラミックス、並びにこれを使用したキャパシタ及び圧電素子
要約:
(EN) [Problem] To provide: a dielectric material exhibiting polarization twist; a dielectric structure in which polarization can be controlled, and a capacitor and a piezoelectric element each using the dielectric structure; and a ceramic, and a capacitor and a piezoelectric element each using the ceramic. [Solution] A dielectric material exhibiting polarization twist, in which the concentration of vacancy of anions on X-site, which are introduced as the result of the formation of A-site vacancy, i.e., the deficiency of a metal located on A-site at each apical position of a cubic crystal or a pseudo-cubic crystal, is 1% or less, octahedrons of anions present in a perovskite structure are arranged with twisting an angle ω around the crystal axis of the cubic crystal or the pseudo-cubic crystal, and both of the angle ω and the polarization value vary upon the application of an electric field. In a ceramic represented by general formula: (A1(1-x+δ)/2A2(1-x-3δ)/2A3xδ)BO3, the properties of the ceramic can be controlled by adjusting the combination of the amount δ of A-site vacancy and the amount x of A3.
(FR) La présente invention concerne un matériau diélectrique présentant une torsion de polarisation ; une structure diélectrique dans laquelle la polarisation peut être réglée et un condensateur et un élément piézoélectrique utilisant chacun la structure diélectrique ; et une céramique et un condensateur et un élément piézoélectrique utilisant chacun la céramique. À cet effet, l'invention porte sur un matériau diélectrique présentant une torsion de polarisation, dans lequel la concentration de lacunes d'anions sur site X, qui sont introduites comme suite à la formation d'une lacune sur site A, c'est-à-dire le déficit d'un métal situé sur site A à chaque position apicale d'un cristal cubique ou d'un cristal pseudo-cubique, est inférieure ou égale à 1%, des octaèdres d'anions présents dans une structure pérovskite sont agencés avec torsion d'un angle ω autour de l'axe cristallin du cristal cubique ou du cristal pseudo-cubique et l'angle ω et la valeur de polarisation varient tous deux lors de l'application d'un champ électrique. Dans une céramique représentée par la formule générale : (A1(1-x+δ)/2A2(1-x-3δ)/2A3xδ)BO3, les propriétés de la céramique peuvent être réglées par ajustement de la combinaison de la quantité δ de lacunes de site A et de la quantité x de A3.
(JA) 【課題】分極ツイストを示す誘電体材料、分極を制御可能な誘電体構造体、並びにこれを使用したキャパシタ及び圧電素子、並びにセラミックス、並びにこれを使用したキャパシタ及び圧電素子を提供する。 【解決手段】立方晶または疑似立方晶の各頂点のAサイトに配置された金属が欠落したAサイト空孔により導入されるアニオンXサイトの空孔の濃度が1%以下であり、上記立方晶または疑似立方晶の結晶軸に対して、ペロブスカイト構造に存在するアニオンの八面体が角度ωをもって回転して配列するとともに、電場の印加により上記角度ωと分極値との両方がともに変化する、分極ツイストを示す誘電体材料である。また、一般式 (A1(1-x+δ)/2A2(1-x-3δ)/2A3δ)BO で示されるセラミックスは、Aサイト空孔の量δとA3の量xとの組合せを調整し、セラミックスの性質を制御することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)