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1. (WO2020004563) セラミック焼結体およびプラズマ処理装置用部材
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国際公開番号: WO/2020/004563 国際出願番号: PCT/JP2019/025653
国際公開日: 02.01.2020 国際出願日: 27.06.2019
IPC:
C04B 35/505 (2006.01) ,C04B 35/44 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
C 化学;冶金
04
セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B
石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
35
組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理
50
希土類化合物を基とするもの
505
酸化イットリウムを基とするもの
C 化学;冶金
04
セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B
石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
35
組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理
01
酸化物を基とするもの
44
アルミン酸塩を基とするもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人:
京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 京都府京都市伏見区竹田鳥羽殿町6番地 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501, JP
発明者:
田中 万平 TANAKA,Manpei; JP
優先権情報:
2018-12303328.06.2018JP
発明の名称: (EN) CERAMIC SINTERED BODY AND MEMBER FOR PLASMA TREATMENT DEVICE
(FR) CORPS FRITTÉ EN CÉRAMIQUE ET ÉLÉMENT POUR DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) セラミック焼結体およびプラズマ処理装置用部材
要約:
(EN) The ceramic sintered body according to the present disclosure contains yttrium oxide as a main component and yttrium silicate, wherein the ratio (I1/Io) of the maximum peak strength I1 of yttrium silicate at a diffraction angle 2θ of 30°-32° with respect to the maximum peak strength Io of yttrium oxide at a diffraction angle 2θ of 28°-30°, determined by an X-ray diffraction technique, is 0.03-0.12. The member for a plasma treatment device according to the present disclosure comprises the ceramic sintered body according to the present disclosure, is in the shape of a cylinder, the inside of which serves as a flow path of a gas for generating a plasma. The inner circumferential surface of the cylinder contains more yttrium silicate than the outer circumferential surface of the cylinder.
(FR) L'invention concerne un corps fritté en céramique contenant de l'oxyde d'yttrium en tant que constituant principal et du silicate d'yttrium, le rapport (I1/Io) de l'intensité maximale de pic I1 du silicate d'yttrium à un angle de diffraction 2θ de 30°-32° par rapport à l'intensité maximale de pic Io de l'oxyde d'yttrium à un angle de diffraction 2θ de 28°-30°, déterminées par une technique de diffraction des rayons X, étant de 0,03-0,12. L'élément pour un dispositif de traitement au plasma selon la présente invention comprend le corps fritté en céramique selon la présente invention, se présente sous la forme d'un cylindre dont l'intérieur sert de trajet d'écoulement à un gaz pour générer un plasma. La surface circonférentielle interne du cylindre contient plus de silicate d'yttrium que la surface circonférentielle externe du cylindre.
(JA) 本開示のセラミック焼結体は、酸化イットリウムを主成分とし、珪酸イットリウムを含み、X線回折法によって得られる、回折角2θが28°~30°の酸化イットリウムの最大ピーク強度Ioに対する、回折角2θが30°~32°の珪酸イットリウムの最大ピーク強度I1の比(I1/Io)が0.03以上0.12以下である。本開示のプラズマ処理装置用部材は、本開示のセラミック焼結体からなり、内部がプラズマ生成用ガスの流路となる筒状体であり、前記筒状体の内周面は前記筒状体の外周面よりも珪酸イットリウムを多く含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)