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1. (WO2020004522) 高周波受動部品
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国際公開番号: WO/2020/004522 国際出願番号: PCT/JP2019/025527
国際公開日: 02.01.2020 国際出願日: 27.06.2019
IPC:
H01P 3/12 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
P
導波管;導波管型の共振器,線路または他の装置
3
導波管;導波管型の伝送線路
12
中空導波管
出願人:
株式会社フジクラ FUJIKURA LTD. [JP/JP]; 東京都江東区木場1-5-1 1-5-1, Kiba, Koto-ku, Tokyo 1358512, JP
発明者:
額賀 理 NUKAGA Osamu; JP
文屋 勝 BUNYA Masaru; JP
徐 磊 XU Lei; JP
代理人:
棚井 澄雄 TANAI Sumio; JP
五十嵐 光永 IGARASHI Koei; JP
小室 敏雄 KOMURO Toshio; JP
清水 雄一郎 SHIMIZU Yuichiro; JP
優先権情報:
2018-12321128.06.2018JP
2019-11285518.06.2019JP
発明の名称: (EN) HIGH-FREQUENCY PASSIVE COMPONENT
(FR) COMPOSANT PASSIF HAUTE FRÉQUENCE
(JA) 高周波受動部品
要約:
(EN) This high-frequency passive component is provided with: a substrate which is formed of a dielectric material and comprises a waveguide region; a waveguide structure which is arranged in such a manner that a first wide wall, a second wide wall and a plurality of through electrodes surround the waveguide region; a first dielectric layer which is positioned outside the first wide wall; a second dielectric layer which is formed on the first wide wall; and an upper conductor layer. The upper conductor layer is formed so as to extend over the first dielectric layer, a part of the substrate positioned between the first dielectric layer and the first wide wall, and the first wide wall.
(FR) L'invention concerne un composant passif haute fréquence comprenant : un substrat qui est formé d'un matériau diélectrique et comprend une région de guide d'ondes ; une structure de guide d'ondes qui est agencée de telle sorte qu'une première paroi large, une seconde paroi large et une pluralité d'électrodes traversantes entourent la région de guide d'ondes ; une première couche diélectrique qui est positionnée à l'extérieur de la première paroi large ; une seconde couche diélectrique qui est formée sur la première paroi large ; et une couche conductrice supérieure. La couche conductrice supérieure est formée de manière à s'étendre sur la première couche diélectrique, une partie du substrat positionnée entre la première couche diélectrique et la première paroi large, et la première paroi large.
(JA) 高周波受動部品は、導波領域を含む誘電体により形成された基板と、第1広壁と第2広壁と複数の貫通電極が前記導波領域を囲むように配置された導波路構造と、前記第1広壁の外側に位置する第1誘電体層と、前記第1広壁の上に形成された第2誘電体層と、上部導体層と、を備える。前記上部導体層は、前記第1誘電体層と、前記第1誘電体層および前記第1広壁の間の前記基板上と、前記第1広壁と、にわたって形成されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)