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1. (WO2020004316) リソグラフィー用膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法
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国際公開番号: WO/2020/004316 国際出願番号: PCT/JP2019/024930
国際公開日: 02.01.2020 国際出願日: 24.06.2019
IPC:
G03F 7/11 (2006.01) ,C08F 2/48 (2006.01) ,C08F 4/04 (2006.01) ,C08F 4/38 (2006.01) ,C08F 22/40 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,G03F 7/26 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01) ,C08F 220/28 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
09
構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11
被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
2
重合方法
46
波動エネルギーまたは粒子線の照射によって開始される重合
48
紫外線または可視光線によるもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
4
重合触媒
04
アゾ化合物
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
4
重合触媒
28
酸素または遊離酸素を発生する化合物
32
有機化合物
38
過酸化化合物の混合物
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
22
ただ1つの炭素-炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,その少なくとも1つがカルボキシル基によって停止されており,そして分子中に少なくとも1個の他のカルボキシル基を含有する化合物,その塩,無水物,エステル,アミド,イミドまたはそのニトリルの単独重合体または共重合体
36
アミドまたはイミド
40
イミド,例.環状イミド
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
220
ただ1つの炭素―炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,そのうちのただ1つの脂肪族基がただ1つのカルボキシル基によって停止されている化合物.その塩,無水物,エステル,アミド,イミドまたはそのニトリルの共重合体
02
9個以下の炭素原子をもつモノカルボン酸;その誘導体
10
エステル
26
カルボキシ酸素以外の酸素を含有するエステル
28
アルコール残基中に芳香族環をもたないもの
出願人:
三菱瓦斯化学株式会社 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目5番2号 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324, JP
発明者:
上野 雅義 UENO, Masayoshi; JP
山田 弘一 YAMADA, Kouichi; JP
千葉 彬史 CHIBA, Akifumi; JP
杉戸 健 SUGITO, Ken; JP
堀内 淳矢 HORIUCHI, Junya; JP
牧野嶋 高史 MAKINOSHIMA, Takashi; JP
越後 雅敏 ECHIGO, Masatoshi; JP
代理人:
稲葉 良幸 INABA, Yoshiyuki; JP
大貫 敏史 ONUKI, Toshifumi; JP
内藤 和彦 NAITO, Kazuhiko; JP
優先権情報:
2018-12081526.06.2018JP
発明の名称: (EN) FILM FORMING MATERIAL FOR LITHOGRAPHY, FILM FORMING COMPOSITION FOR LITHOGRAPHY, UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, AND METHOD FOR FORMING PATTERN
(FR) MATÉRIAU FILMOGÈNE POUR LITHOGRAPHIE, COMPOSITION FILMOGÈNE POUR LITHOGRAPHIE, FILM DE SOUS-COUCHE POUR LITHOGRAPHIE ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF
(JA) リソグラフィー用膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法
要約:
(EN) The present invention addresses the problem of providing a film forming material for lithography, etc. to which a wet process is applicable and which is useful for forming a photoresist underlayer film having excellent heat resistance, etching resistance, characteristics embedding into a stepped substrate, and film flatness. The problem can be solved by a film forming material for lithography containing a compound having a group of formula (0).
(FR) La présente invention aborde le problème de la fourniture d'un matériau filmogène pour lithographie auquel un procédé humide est applicable et qui est utile pour la formation d'un film de sous-couche de résine photosensible ayant une excellente résistance à la chaleur, une excellente résistance à la gravure, des caractéristiques incorporées dans un substrat étagé et une planéité de film. Le problème peut être résolu par un matériau filmogène pour lithographie qui contient un composé ayant un groupe de la formule (0).
(JA) 本発明は、湿式プロセスが適用可能であり、耐熱性、エッチング耐性、段差基板への埋め込み特性及び膜の平坦性に優れるフォトレジスト下層膜を形成するために有用な、リソグラフィー用膜形成材料等を提供することを課題とする。前記課題は、下記式(0)の基: を有する化合物を含有する、リソグラフィー用膜形成材料によって解決することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)