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1. (WO2020004306) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、樹脂
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国際公開番号: WO/2020/004306 国際出願番号: PCT/JP2019/024899
国際公開日: 02.01.2020 国際出願日: 24.06.2019
IPC:
G03F 7/038 (2006.01) ,C08F 224/00 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
038
不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
224
ただ1つの炭素―炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,その少なくとも1つが酸素含有複素環によって停止されている化合物の共重合体
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
039
光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
後藤 研由 GOTO Akiyoshi; JP
川島 敬史 KAWASHIMA Takashi; JP
八木 一成 YAGI Kazunari; JP
浅川 大輔 ASAKAWA Daisuke; JP
▲高▼田 暁 TAKADA Akira; JP
代理人:
伊東 秀明 ITOH Hideaki; JP
三橋 史生 MITSUHASHI Fumio; JP
優先権情報:
2018-12319528.06.2018JP
発明の名称: (EN) ACTIVE RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, PATTERN FORMATION METHOD, ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD, RESIN
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE AUX RAYONS ACTIFS OU AU RAYONNEMENT, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, RÉSINE
(JA) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、樹脂
要約:
(EN) The present invention provides an active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that is less likely to generate defects during both development processes of alkali development and organic solvent development, and also provides a pattern forming method, an electronic device manufacturing method, and a resin. The active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition of the present invention comprises a resin having a repeating unit represented by the formula (1) and a repeating unit having an acid-decomposable group, and a photoacid generator.
(FR) La présente invention concerne une composition de résine sensible aux rayons actifs ou au rayonnement qui est moins susceptible de générer des défauts pendant les deux processus de développement que sont le développement alcalin et le développement avec solvant organique. La présente invention concerne également un procédé de formation de motif, un procédé de fabrication de dispositif électronique et une résine. La composition de résine sensible aux rayons actifs ou au rayonnement de la présente invention comprend une résine ayant une unité de répétition représentée par la formule (1) et une unité de répétition ayant un groupe décomposable par un acide, et un générateur de photoacide.
(JA) 本発明は、アルカリ現像及び有機溶剤現像のいずれの現像処理の際にも、欠陥の発生が少ない感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、樹脂を提供する。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、式(1)で表される繰り返し単位、及び、酸分解性基を有する繰り返し単位を有する樹脂と、光酸発生剤とを含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)