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1. (WO2020004250) 結晶性酸化物膜
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国際公開番号: WO/2020/004250 国際出願番号: PCT/JP2019/024654
国際公開日: 02.01.2020 国際出願日: 21.06.2019
IPC:
C30B 29/16 (2006.01) ,C01G 15/00 (2006.01) ,C01G 55/00 (2006.01) ,C23C 16/40 (2006.01) ,C30B 25/18 (2006.01) ,H01L 21/365 (2006.01) ,H01L 21/368 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
16
酸化物
C 化学;冶金
01
無機化学
G
サブクラスC01DまたはC01Fに包含されない金属を含有する化合物
15
ガリウム,インジウム,またはタリウム化合物
C 化学;冶金
01
無機化学
G
サブクラスC01DまたはC01Fに包含されない金属を含有する化合物
55
ルテニウム,ロジウム,パラジウム,オスミウム,イリジウムまたは白金の化合物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
40
酸化物
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25
反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02
エピタキシャル層成長
18
基板によって特徴づけられたもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない21/06,21/16および21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
365
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない21/06,21/16および21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
368
液相成長を用いるもの
出願人:
株式会社FLOSFIA FLOSFIA INC. [JP/JP]; 京都府京都市西京区御陵大原1番29号 1-29, Goryoohara, Nishikyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158245, JP
発明者:
▲高▼橋勲 TAKAHASHI Isao; JP
四戸孝 SHINOHE Takashi; JP
優先権情報:
2018-12140526.06.2018JP
発明の名称: (EN) CRYSTALLINE OXIDE FILM
(FR) FILM D'OXYDE CRISTALLIN
(JA) 結晶性酸化物膜
要約:
(EN) The present invention provides an epitaxial film that has a corundum structure, in which defects such as dislocation due to facet growth are reduced, which is useful for semiconductor devices and the like, and which has excellent crystal quality. A crystalline oxide film includes a traverse direction growth region having a corundum structure, wherein: the traverse direction growth region does not substantially include a facet growth region, has a crystal growth direction that is the c-axis direction or approximately the c-axis direction, and includes a dislocation line extending in the c-axis direction or in the approximately c-axis direction; and crystalline oxides, in which crystal growth extends in the c-axis direction or in the approximately c-axis direction, are bonded to each other.
(FR) La présente invention concerne un film épitaxial qui possède une structure de corindon, dans laquelle des défauts tels que la dislocation due à la croissance de facettes sont réduits, qui est utile pour des dispositifs à semi-conducteur et similaires, et qui possède une excellente qualité de cristal. Le film d'oxyde cristallin comprend une région de croissance dans la direction transversale possédant une structure de corindon, la région de croissance dans la direction transversale ne comprenant sensiblement pas de région de croissance de facette, possédant une direction de croissance cristalline qui est la direction d'axe c ou approximativement la direction d'axe c, et comprenant une ligne de dislocation s'étendant dans la direction de l'axe c ou approximativement dans la direction de l'axe c ; et des oxydes cristallins, dans lesquels la croissance cristalline s'étend dans la direction de l'axe c ou approximativement dans la direction de l'axe c, étant liés les uns aux autres.
(JA) 本発明は、ファセット成長による転位などの欠陥が低減された半導体装置等に有用な結晶品質に優れたコランダム構造を有するエピタキシャル膜を提供する。コランダム構造の横方向成長領域を含む結晶性酸化物膜であって、前記横方向成長領域が、ファセット成長領域を実質的に含まず、結晶成長方向がc軸または略c軸方向であり、c軸または略c軸方向に伸びている転位線を含んでおり、c軸または略c軸方向に結晶成長が拡がった結晶性酸化物同士が互いに接合している。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)