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国際・国内特許データベース検索
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1. (WO2020004210) 半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法
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国際公開番号: WO/2020/004210 国際出願番号: PCT/JP2019/024454
国際公開日: 02.01.2020 国際出願日: 20.06.2019
IPC:
H01L 21/301 (2006.01) ,B23K 26/53 (2014.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301
半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
[IPC code unknown for B23K 26/53]
出願人:
リンテック株式会社 LINTEC CORPORATION [JP/JP]; 東京都板橋区本町23番23号 23-23, Honcho, Itabashi-ku, Tokyo 1730001, JP
発明者:
佐藤 陽輔 SATO Yosuke; JP
岩屋 渉 IWAYA Wataru; JP
田中 佑耶 TANAKA Yuya; JP
代理人:
西澤 和純 NISHIZAWA Kazuyoshi; JP
五十嵐 光永 IGARASHI Koei; JP
加藤 広之 KATO Hiroyuki; JP
優先権情報:
2018-12415829.06.2018JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) MÉTHODE DE PRODUCTION DE PUCE SEMI-CONDUCTRICE ET MÉTHODE DE PRODUCTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法
要約:
(EN) In a method for producing a semiconductor chip according to one embodiment of the present invention, a first modification layer is formed in a first region of the inner part of a semiconductor wafer, said first region ranging from the circuit formation surface of the semiconductor wafer to the depth of 215 μm, by irradiating the semiconductor wafer with laser light from the back surface side of the semiconductor wafer; a second modification layer is formed in a second region of the inner part of the semiconductor wafer, said second region ranging from the back surface to the depth of 215 μm, at a position closer to the back surface than the first modification layer by irradiating the semiconductor wafer with laser light from the back surface side; the back surface of the semiconductor wafer is ground; and a semiconductor chip is obtained by dividing the semiconductor wafer at the positions of the first modification layer and the second modification layer by means of a force that is applied to the semiconductor wafer in association with the grinding.
(FR) Un mode de réalisation de la présente invention concerne un procédé de fabrication d'une puce semi-conductrice dans lequel, une première couche de modification est formée dans une première région de la partie interne d'une tranche de semi-conducteur, ladite première région allant de la surface de formation de circuit de la tranche de semi-conducteur à la profondeur de 215 µm, en irradiant la tranche de semi-conducteur avec une lumière laser à partir du côté de surface arrière de la tranche de semi-conducteur ; une seconde couche de modification est formée dans une seconde région de la partie interne de la tranche de semi-conducteur, ladite seconde région allant de la surface arrière à la profondeur de 215 µm, à une position plus proche de la surface arrière que la première couche de modification par irradiation de la tranche de semi-conducteur avec une lumière laser provenant du côté de surface arrière ; la surface arrière de la tranche de semi-conducteur est meulée ; et une puce semi-conductrice est obtenue en divisant la tranche de semi-conducteur au niveau des positions de la première couche de modification et de la seconde couche de modification au moyen d'une force qui est appliquée à la tranche de semi-conducteur en association avec le meulage.
(JA) 本実施形態の半導体チップの製造方法においては、半導体ウエハの裏面側から半導体ウエハにレーザー光を照射することで、半導体ウエハの内部のうち、半導体ウエハの回路形成面から215μmの深さまでの第1領域中に、第1改質層を形成し、前記裏面側から半導体ウエハにレーザー光を照射することで、半導体ウエハの内部のうち、前記裏面から215μmの深さまでの第2領域中で、かつ、第1改質層よりも前記裏面側の箇所に、第2改質層を形成し、半導体ウエハの前記裏面を研削するとともに、この研削に伴って半導体ウエハに加えられる力によって、第1改質層及び第2改質層の部位において、半導体ウエハを分割し、半導体チップを得る。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)