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1. (WO2020004067) 炭化珪素半導体装置
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国際公開番号: WO/2020/004067 国際出願番号: PCT/JP2019/023555
国際公開日: 02.01.2020 国際出願日: 13.06.2019
IPC:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 29/417 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
02
半導体本体
12
構成材料に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
40
電極
41
その形状,相対的大きさまたは配置に特徴のあるもの
417
整流,増幅またはスイッチされる電流を流すもの
出願人:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
発明者:
堀井 拓 HORII, Taku; JP
日吉 透 HIYOSHI, Toru; JP
代理人:
伊東 忠重 ITOH, Tadashige; JP
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
優先権情報:
2018-11959125.06.2018JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置
要約:
(EN) This silicon carbide semiconductor device is a vertical transistor that has: a first layer 21 of a silicon carbide semiconductor of a first electroconduction type; a second layer 22 of a silicon carbide semiconductor of a second electroconduction type on the first layer 21, the second electroconduction type being different from the first electroconduction type; a third layer 120 of a silicon carbide semiconductor of the first electroconduction type on the second layer 22; and a groove 30 having a side wall 30a on a portion of the third layer 120, the second layer 22, and the first layer 21. The third layer 120 has a first region 121 facing the side wall 30a of the groove 30, and a second region 122 set further apart from the side wall 30a of the groove 30 than the first region 121. The second region 122 and the first region 121 are continuous, and the second region 122 is provided to a greater depth than the first region 121 toward the first layer 21 from the front surface side of the third layer 130.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur en carbure de silicium qui est un transistor vertical qui comporte : une première couche 21 d'un semi-conducteur en carbure de silicium d'un premier type d'électroconduction ; une deuxieme couche 22 d'un semi-conducteur en carbure de silicium d'un second type d'électroconduction sur la première couche 21, le second type d'électroconduction étant différent du premier type d'électroconduction ; une troisième couche 120 d'un semi-conducteur en carbure de silicium du premier type d'électroconduction sur la deuxieme couche 22 ; et une rainure 30 ayant une paroi latérale 30a sur une portion de la troisième couche 120, de la deuxième couche 22, et de la première couche 21. La troisième couche 120 a une première région 121 qui fait face à la paroi latérale 30a de la rainure 30, et une seconde région 122 qui est espacée de la paroi latérale 30a de la rainure 30 par rapport à la première région 121. La seconde région 122 et la première région 121 sont continues, et la seconde région 122 est disposée à une profondeur supérieure à la première région 121 vers la première couche 21 à partir du côté de la surface avant de la troisième couche 130.
(JA) 炭化珪素半導体装置は、第1導電型の炭化珪素半導体の第1層21と、第1層21の上の第1導電型とは異なる第2導電型の炭化珪素半導体の第2層22と、第2層22の上の第1導電型の炭化珪素半導体の第3層120と、第3層120、第2層22、第1層21の一部に側壁30aを有する溝30と、を有する縦型トランジスタであって、第3層120は、溝30の側壁30aに面した第1の領域121と、第1の領域121よりも、溝30の側壁30aより離れた第2の領域122と、を有し、第2の領域122と第1の領域121は連続しており、第2の領域122は、第1の領域121よりも、第3層130の表面側から第1層21に向かって深くまで設けられている。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)