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1. (WO2020004047) 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体
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国際公開番号: WO/2020/004047 国際出願番号: PCT/JP2019/023391
国際公開日: 02.01.2020 国際出願日: 13.06.2019
IPC:
H01L 21/304 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
発明者:
相原 明徳 AIBARA, Meitoku; JP
代理人:
特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE; 東京都千代田区霞が関3丁目8番1号 虎の門三井ビルディング Toranomon Mitsui Building, 8-1, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013, JP
優先権情報:
2018-12231827.06.2018JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE CLEANING METHOD, SUBSTRATE CLEANING SYSTEM, AND STORAGE MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE SUBSTRAT, SYSTÈME DE NETTOYAGE DE SUBSTRAT ET SUPPORT DE STOCKAGE
(JA) 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体
要約:
(EN) Provided according to an embodiment is a substrate cleaning method including a film-forming-liquid supplying step, a releasing-liquid supplying step, and a hydrophobic-liquid supplying step. In the film-forming-liquid supply step, a film-forming liquid (L1) including a volatile component and serving to form a film on a substrate (W) is supplied to the substrate (W). In the releasing-liquid supply step, a treating film (F) formed by solidifying or curing the film-forming liquid (L1) on the substrate (W) by volatilizing the volatile component is supplied with a releasing liquid (L2) for releasing the treating film (F) from the substrate (W). In the hydrophobic-liquid supply step, the substrate (W) to which the releasing liquid (L2) has been supplied is supplied with a hydrophobic liquid for hydrophobizing the substrate (W).
(FR) Selon un mode de réalisation, l'invention concerne un procédé de nettoyage de substrat comprenant une étape d'alimentation en liquide filmogène, une étape d'alimentation en liquide de libération, et une étape d'alimentation en liquide hydrophobe. Dans l'étape d'alimentation en liquide filmogène, un liquide filmogène (L1) comprenant un composant volatil et servant à former un film sur un substrat est fourni au substrat (W). Dans l'étape d'alimentation en liquide de libération, un film de traitement (F) formé par solidification ou durcissement du liquide de formation de film (L1) sur le substrat (W) par volatilisation du composant volatil est fourni avec un liquide de libération (L2) pour libérer le film de traitement (F) du substrat (W). Dans l'étape d'alimentation en liquide hydrophobe, le substrat (W) auquel le liquide de libération (L2) a été fourni est fourni avec un liquide hydrophobe pour rendre hydrophobe le substrat (W).
(JA) 本開示の一態様による基板洗浄方法は、成膜処理液供給工程と、剥離処理液供給工程と、疎水化液供給工程とを含む。成膜処理液供給工程は、揮発成分を含み基板(W)上に膜を形成するための成膜処理液(L1)を基板(W)へ供給する。剥離処理液供給工程は、揮発成分が揮発することによって成膜処理液(L1)が基板(W)上で固化または硬化してなる処理膜(F)に対して処理膜(F)を基板(W)から剥離させる剥離処理液(L2)を供給する。疎水化液供給工程は、剥離処理液(L2)が供給された後の基板(W)に対し、基板(W)を疎水化させる疎水化液を供給する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)