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1. WO2020004012 - 回路基板、半導体装置、および、電子機器

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明 細 書

発明の名称 回路基板、半導体装置、および、電子機器

技術分野

0001  

背景技術

0002   0003   0004   0005   0006   0007  

先行技術文献

特許文献

0008  

発明の概要

発明が解決しようとする課題

0009   0010  

課題を解決するための手段

0011   0012   0013   0014   0015  

発明の効果

0016   0017  

図面の簡単な説明

0018  

発明を実施するための形態

0019   0020   0021   0022   0023   0024   0025   0026   0027   0028   0029   0030   0031   0032   0033   0034   0035   0036   0037   0038   0039   0040   0041   0042   0043   0044   0045   0046   0047   0048   0049   0050   0051   0052   0053   0054   0055   0056   0057   0058   0059   0060   0061   0062   0063   0064   0065   0066   0067   0068   0069   0070   0071   0072   0073   0074   0075   0076   0077   0078   0079   0080   0081   0082   0083   0084   0085   0086   0087   0088   0089   0090   0091   0092   0093   0094   0095   0096   0097   0098   0099   0100   0101   0102   0103   0104   0105   0106   0107   0108   0109   0110   0111   0112   0113   0114   0115   0116   0117   0118   0119   0120   0121   0122   0123   0124   0125   0126   0127   0128   0129   0130   0131   0132   0133   0134   0135   0136   0137   0138   0139   0140   0141   0142   0143   0144   0145   0146   0147   0148   0149   0150   0151   0152   0153   0154   0155   0156   0157   0158   0159   0160   0161   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1306   1307   1308   1309   1310   1311   1312   1313   1314   1315   1316   1317   1318   1319   1320   1321   1322   1323   1324   1325   1326   1327   1328   1329   1330   1331   1332   1333   1334   1335   1336   1337   1338   1339   1340   1341   1342   1343   1344   1345   1346   1347   1348   1349   1350   1351   1352   1353   1354   1355   1356   1357   1358   1359   1360   1361   1362   1363   1364   1365   1366   1367   1368   1369   1370   1371   1372   1373   1374   1375   1376   1377   1378   1379   1380   1381   1382   1383   1384   1385   1386   1387   1388   1389   1390   1391   1392   1393   1394   1395   1396   1397   1398   1399   1400   1401   1402   1403   1404   1405   1406   1407   1408   1409   1410   1411   1412   1413   1414   1415   1416   1417   1418   1419   1420   1421   1422   1423   1424   1425   1426   1427   1428   1429   1430   1431   1432   1433   1434   1435   1436   1437   1438   1439   1440   1441   1442   1443   1444   1445   1446   1447   1448   1449   1450   1451   1452   1453   1454   1455   1456   1457   1458   1459   1460   1461   1462   1463   1464   1465   1466   1467   1468   1469   1470   1471   1472   1473   1474   1475   1476   1477   1478   1479   1480   1481   1482   1483   1484   1485   1486   1487   1488   1489   1490   1491   1492   1493   1494   1495   1496   1497   1498   1499   1500   1501   1502   1503   1504   1505   1506   1507   1508   1509   1510   1511   1512   1513   1514   1515   1516   1517   1518   1519   1520   1521   1522  

符号の説明

1523  

請求の範囲

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20  

図面

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   22   23   24   25   26   27   28   29   30   31   32   33   34   35   36   37   38   39   40   41   42   43   44   45   46   47   48   49   50   51   52   53   54   55   56   57   58   59   60   61   62   63   64   65   66   67   68   69   70   71   72   73   74   75   76   77   78   79   80   81   82   83   84   85   86   87   88   89   90   91   92   93   94   95   96   97   98   99   100   101   102   103   104   105   106   107   108   109   110   111   112   113   114   115   116   117   118   119   120   121   122   123   124   125   126   127   128   129   130   131   132   133   134   135   136   137   138   139   140   141   142   143   144   145   146   147   148   149   150   151   152   153   154   155   156   157   158   159   160   161   162   163   164   165   166   167   168   169  

明 細 書

発明の名称 : 回路基板、半導体装置、および、電子機器

技術分野

[0001]
 本技術は、回路基板、半導体装置、および、電子機器に関し、特に、信号におけるノイズの発生をより効果的に抑制できるようにした回路基板、半導体装置、および、電子機器に関する。

背景技術

[0002]
 CMOS(complementary metal oxide semiconductor)イメージセンサに代表される固体撮像装置においては、各画素が生成する画素信号に対して、固体撮像装置の内部の構成に起因してノイズが生じ得る。
[0003]
 例えば、固体撮像装置の内部に存在するトランジスタやダイオード等の能動素子には微細なホットキャリア発光を生じるものが有り、このホットキャリア発光が画素に形成された光電変換部に漏れ込んだ場合、画素信号にノイズが生じることになる。
[0004]
 能動素子から生じたホットキャリア発光に起因するノイズを抑制する方法としては、能動素子と光電変換部の間の形成されている配線に遮光構造を持たせる技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。
[0005]
 また、例えば、固体撮像装置の内部の構成に起因して生じた磁界による誘導起電力によって画素信号にノイズ(誘導性ノイズ)が生じることがある。具体的には、ある画素から画素信号を読み出す際に、画素信号を読み出す画素を選択するための制御信号が伝達される制御線と、選択された画素から読み出された画素信号が伝達される信号線とから導体ループが画素アレイ上に形成される。
[0006]
 そして、制御線と信号線から成る導体ループの近傍に配線が存在すると、その配線に流れる電流変化により導体ループを通過する磁束が発生し、これにより導体ループに誘導起電力が発生して画素信号に誘導性ノイズが生じることがある。以下、近傍の配線に流れる電流変化により磁束が発生し、それにより誘導起電力が発生する導体ループをVictim導体ループと称することにする。
[0007]
 電子機器の内部における誘導性ノイズを抑制する方法としては、電子機器内部で磁束を生じさせていた配線を、2層の網目状配線とすることにより、発生していた磁束を打ち消す方法が存在する(例えば、特許文献2参照)。

先行技術文献

特許文献

[0008]
特許文献1 : WO2013/115075
特許文献2 : 特開2014-57426号公報

発明の概要

発明が解決しようとする課題

[0009]
 ただし、上述した特許文献2に記載の発明では、誘導性ノイズは抑制できるが、ホットキャリア発光を遮光することについては考慮されていなかった。
[0010]
 本技術はこのような状況に鑑みてなされたものであり、信号におけるノイズの発生をより効果的に抑制できるようにするものである。

課題を解決するための手段

[0011]
 本技術の第1の側面の回路基板は、面状または網目状の第1の基本パタンを同一平面上に繰り返した形状の導体を含む第1の導体部を少なくとも有する第1の導体層と、面状または網目状の第2の基本パタンを同一平面上に繰り返した形状の導体を含む第2の導体部を少なくとも有する第2の導体層と、直線状の第3の基本パタンを同一平面上に繰り返した形状の導体を含む第3の導体部と、直線状の第4の基本パタンを同一平面上に繰り返した形状の導体を含む第4の導体部とを少なくとも有する第3の導体層とを備え、前記第1の基本パタンと前記第2の基本パタンとが差動構造を成し、前記第3の基本パタンと前記第4の基本パタンとが差動構造を成す。
[0012]
 本技術の第2の側面の半導体装置は、面状または網目状の第1の基本パタンを同一平面上に繰り返した形状の導体を含む第1の導体部を少なくとも有する第1の導体層と、面状または網目状の第2の基本パタンを同一平面上に繰り返した形状の導体を含む第2の導体部を少なくとも有する第2の導体層と、直線状の第3の基本パタンを同一平面上に繰り返した形状の導体を含む第3の導体部と、直線状の第4の基本パタンを同一平面上に繰り返した形状の導体を含む第4の導体部とを少なくとも有する第3の導体層とを備え、前記第1の基本パタンと前記第2の基本パタンとが差動構造を成し、前記第3の基本パタンと前記第4の基本パタンとが差動構造を成す回路基板を備える。
[0013]
 本技術の第3の側面の電子機器は、面状または網目状の第1の基本パタンを同一平面上に繰り返した形状の導体を含む第1の導体部を少なくとも有する第1の導体層と、面状または網目状の第2の基本パタンを同一平面上に繰り返した形状の導体を含む第2の導体部を少なくとも有する第2の導体層と、直線状の第3の基本パタンを同一平面上に繰り返した形状の導体を含む第3の導体部と、直線状の第4の基本パタンを同一平面上に繰り返した形状の導体を含む第4の導体部とを少なくとも有する第3の導体層とを備え、前記第1の基本パタンと前記第2の基本パタンとが差動構造を成し、前記第3の基本パタンと前記第4の基本パタンとが差動構造を成す回路基板を備える半導体装置を備える。
[0014]
 本技術の第1乃至第3の側面においては、面状または網目状の第1の基本パタンを同一平面上に繰り返した形状の導体を含む第1の導体部を少なくとも有する第1の導体層と、面状または網目状の第2の基本パタンを同一平面上に繰り返した形状の導体を含む第2の導体部を少なくとも有する第2の導体層と、直線状の第3の基本パタンを同一平面上に繰り返した形状の導体を含む第3の導体部と、直線状の第4の基本パタンを同一平面上に繰り返した形状の導体を含む第4の導体部とを少なくとも有する第3の導体層とが設けられ、前記第1の基本パタンと前記第2の基本パタンとが差動構造を成し、前記第3の基本パタンと前記第4の基本パタンとが差動構造を成すように構成される。
[0015]
 回路基板、半導体装置、及び、電子機器は、独立した装置であっても良いし、他の装置に組み込まれるモジュールであっても良い。

発明の効果

[0016]
 本技術の第1乃至第3の側面によれば、信号におけるノイズの発生を抑制することができる。
[0017]
 なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。

図面の簡単な説明

[0018]
[図1] 導体ループの変化による誘導起電力の変化を説明する図である。
[図2] 本技術を適用した固体撮像装置の構成例を示すブロック図である。
[図3] 画素・アナログ処理部の主な構成要素例を示すブロック図である。
[図4] 画素アレイの詳細な構成例を示す図である。
[図5] 画素の構成例を示す回路図である。
[図6] 固体撮像装置の断面構造例を示すブロック図である。
[図7] 能動素子群が形成された領域から成る回路ブロックの平面配置例を示す概略構成図である。
[図8] 遮光構造による遮光対象領域と、能動素子群の領域および緩衝領域との位置関係例を示す図である。
[図9] 導体層A及びBの第1の比較例を示す図である。
[図10] 第1の比較例に流れる電流条件を示す図である。
[図11] 第1の比較例に対応する誘導性ノイズのシミュレーション結果を示す図である。
[図12] 導体層A及びBの第1の構成例を示す図である。
[図13] 第1の構成例に流れる電流条件を示す図である。
[図14] 第1の構成例に対応する誘導性ノイズのシミュレーション結果を示す図である。
[図15] 導体層A及びBの第2の構成例を示す図である。
[図16] 第2の構成例に流れる電流条件を示す図である。
[図17] 第2の構成例に対応する誘導性ノイズのシミュレーション結果を示す図である。
[図18] 導体層A及びBの第2の比較例を示す図である。
[図19] 第2の比較例に対応する誘導性ノイズのシミュレーション結果を示す図である。
[図20] 導体層A及びBの第3の比較例を示す図である。
[図21] 第3の比較例に対応する誘導性ノイズのシミュレーション結果を示す図である。
[図22] 導体層A及びBの第3の構成例を示す図である。
[図23] 第3の構成例に流れる電流条件を示す図である。
[図24] 第3の構成例に対応する誘導性ノイズのシミュレーション結果を示す図である。
[図25] 導体層A及びBの第4の構成例を示す図である。
[図26] 導体層A及びBの第5の構成例を示す図である。
[図27] 導体層A及びBの第6の構成例を示す図である。
[図28] 第4乃至第6の構成例に対応する誘導性ノイズのシミュレーション結果を示す図である。
[図29] 導体層A及びBの第7の構成例を示す図である。
[図30] 第7の構成例に流れる電流条件を示す図である。
[図31] 第7の構成例に対応する誘導性ノイズのシミュレーション結果を示す図である。
[図32] 導体層A及びBの第8の構成例を示す図である。
[図33] 導体層A及びBの第9の構成例を示す図である。
[図34] 導体層A及びBの第10の構成例を示す図である。
[図35] 第8乃至第10の構成例に対応する誘導性ノイズのシミュレーション結果を示す図である。
[図36] 導体層A及びBの第11の構成例を示す図である。
[図37] 第11の構成例に流れる電流条件を示す図である。
[図38] 第11の構成例に対応する誘導性ノイズのシミュレーション結果を示す図である。
[図39] 導体層A及びBの第12の構成例を示す図である。
[図40] 導体層A及びBの第13の構成例を示す図である。
[図41] 第12及び第13の構成例に対応する誘導性ノイズのシミュレーション結果を示す図である。
[図42] 半導体基板におけるパッドの第1の配置例を示す平面図である。
[図43] 半導体基板におけるパッドの第2の配置例を示す平面図である。
[図44] 半導体基板におけるパッドの第3の配置例を示す平面図である。
[図45] X方向とY方向とで抵抗値が異なる導体の例を示す図である。
[図46] 導体層A及びBの第2の構成例のX方向の導体周期を1/2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。
[図47] 導体層A及びBの第5の構成例のX方向の導体周期を1/2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。
[図48] 導体層A及びBの第6の構成例のX方向の導体周期を1/2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。
[図49] 導体層A及びBの第2の構成例のY方向の導体周期を1/2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。
[図50] 導体層A及びBの第5の構成例のY方向の導体周期を1/2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。
[図51] 導体層A及びBの第6の構成例のY方向の導体周期を1/2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。
[図52] 導体層A及びBの第2の構成例のX方向の導体幅を2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。
[図53] 導体層A及びBの第5の構成例のX方向の導体幅を2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。
[図54] 導体層A及びBの第6の構成例のX方向の導体幅を2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。
[図55] 導体層A及びBの第2の構成例のY方向の導体幅を2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。
[図56] 導体層A及びBの第5の構成例のY方向の導体幅を2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。
[図57] 導体層A及びBの第6の構成例のY方向の導体幅を2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。
[図58] 導体層A及びBの各構成例を形成する網目状導体の変形例を示す図である。
[図59] レイアウト自由度の向上を説明するための図である。
[図60] 電圧降下(IR-Drop)の低減を説明するための図である。
[図61] 電圧降下(IR-Drop)の低減を説明するための図である。
[図62] 容量性ノイズの低減を説明するための図である。
[図63] 導体層の主導体部と引出し導体部を説明する図である。
[図64] 導体層A及びBの第11の構成例を示す図である。
[図65] 導体層A及びBの第14の構成例を示す図である。
[図66] 導体層A及びBの第14の構成例の第1変形例を示す図である。
[図67] 導体層A及びBの第14の構成例の第2変形例を示す図である。
[図68] 導体層A及びBの第14の構成例の第3変形例を示す図である。
[図69] 導体層A及びBの第15の構成例を示す図である。
[図70] 導体層A及びBの第15の構成例の第1変形例を示す図である。
[図71] 導体層A及びBの第15の構成例の第2変形例を示す図である。
[図72] 導体層A及びBの第16の構成例を示す図である。
[図73] 導体層A及びBの第16の構成例の第1変形例を示す図である。
[図74] 導体層A及びBの第16の構成例の第2変形例を示す図である。
[図75] 導体層A及びBの第17の構成例を示す図である。
[図76] 導体層A及びBの第17の構成例の第1変形例を示す図である。
[図77] 導体層A及びBの第17の構成例の第2変形例を示す図である。
[図78] 導体層A及びBの第18の構成例を示す図である。
[図79] 導体層A及びBの第19の構成例を示す図である。
[図80] 導体層A及びBの第19の構成例の変形例を示す図である。
[図81] 導体層A及びBの第20の構成例を示す図である。
[図82] 導体層A及びBの第21の構成例を示す図である。
[図83] 導体層A及びBの第22の構成例を示す図である。
[図84] 第22の構成例における導体層Bの他の構成例を示す図である。
[図85] 導体層A及びBの第23の構成例を示す図である。
[図86] 導体層A及びBの第24の構成例を示す図である。
[図87] 導体層A及びBの第25の構成例を示す図である。
[図88] 導体層A及びBの第26の構成例を示す図である。
[図89] 導体層A及びBの第27の構成例を示す図である。
[図90] 導体層A及びBの第28の構成例を示す図である。
[図91] 第28の構成例における導体層Aの他の構成例を示す図である。
[図92] 基板上に形成された導体層Aの全体を示す平面図である。
[図93] パッドの第4の配置例を示す平面図である。
[図94] パッドの第5の配置例を示す平面図である。
[図95] パッドの第6の配置例を示す平面図である。
[図96] パッドの第7の配置例を示す平面図である。
[図97] パッドの第8の配置例を示す平面図である。
[図98] パッドの第9の配置例を示す平面図である。
[図99] パッドの第10の配置例を示す平面図である。
[図100] パッドの第11の配置例を示す平面図である。
[図101] パッドの第12の配置例を示す平面図である。
[図102] パッドの第13の配置例を示す平面図である。
[図103] パッドの第14の配置例を示す平面図である。
[図104] パッドの第15の配置例を示す平面図である。
[図105] パッドの第16の配置例を示す平面図である。
[図106] パッドの第17の配置例を示す平面図である。
[図107] パッドの第18の配置例を示す平面図である。
[図108] パッドの第19の配置例を示す平面図である。
[図109] Victim導体ループとAggressor導体ループの基板配置例を示す断面図である。
[図110] Victim導体ループとAggressor導体ループの基板配置例を示す断面図である。
[図111] 3種類の基板が積層された構造におけるVictim導体ループとAggressor導体ループの配置例を説明する図である。
[図112] 3種類の基板が積層された構造におけるVictim導体ループとAggressor導体ループの配置例を説明する図である。
[図113] 固体撮像装置を成す第1の半導体基板と第2の半導体基板とのパッケージ積層例を示す図である。
[図114] 導電性シールドを設けた構成例を示す断面図である。
[図115] 導電性シールドを設けた構成例を示す断面図である。
[図116] 導電性シールドの信号線に対する配置と平面形状の第1の構成例を示す図である。
[図117] 導電性シールドの信号線に対する配置と平面形状の第2の構成例を示す図である。
[図118] 導電性シールドの信号線に対する配置と平面形状の第3の構成例を示す図である。
[図119] 導電性シールドの信号線に対する配置と平面形状の第4の構成例を示す図である。
[図120] 導体層が3層ある場合の配置例を示す図である。
[図121] 導体層が3層ある場合の問題を説明する図である。
[図122] 3層導体層の第1の構成例を示す図である。
[図123] 3層導体層の第2の構成例を示す図である。
[図124] 3層導体層の第2の構成例の第1変形例を示す図である。
[図125] 3層導体層の第2の構成例の第2変形例を示す図である。
[図126] 3層導体層の第3の構成例を示す図である。
[図127] 3層導体層の第3の構成例の変形例を示す図である。
[図128] 3層導体層の第4の構成例を示す図である。
[図129] 3層導体層の第4の構成例の第1変形例を示す図である。
[図130] 3層導体層の第4の構成例の第2変形例を示す図である。
[図131] 3層導体層の第5の構成例を示す図である。
[図132] 3層導体層の第6の構成例を示す図である。
[図133] 3層導体層の第6の構成例の変形例を示す図である。
[図134] 3層導体層の第7の構成例を示す図である。
[図135] 3層導体層の第8の構成例を示す図である。
[図136] 3層導体層の第8の構成例の第1変形例を示す図である。
[図137] 3層導体層の第8の構成例の第2変形例を示す図である。
[図138] 3層導体層の第8の構成例の第3変形例を示す図である。
[図139] 3層導体層の第8の構成例の第4変形例を示す図である。
[図140] 3層導体層の第8の構成例の第5変形例を示す図である。
[図141] 3層導体層の第9の構成例を示す図である。
[図142] 3層導体層の第9の構成例の第1変形例を示す図である。
[図143] 3層導体層の第9の構成例の第2変形例を示す図である。
[図144] 3層導体層の第9の構成例の第3変形例を示す図である。
[図145] 3層導体層の第9の構成例の第4変形例を示す図である。
[図146] 3層導体層の第10の構成例を示す図である。
[図147] 3層導体層の第10の構成例の変形例を示す図である。
[図148] 3層導体層の第11の構成例を示す図である。
[図149] 3層導体層の第12の構成例を示す図である。
[図150] 3層導体層の第12の構成例の第1変形例を示す図である。
[図151] 3層導体層の第12の構成例の第2変形例を示す図である。
[図152] 3層導体層の第13の構成例を示す図である。
[図153] 3層導体層の第14の構成例を示す図である。
[図154] 3層導体層の第14の構成例の第1変形例を示す図である。
[図155] 3層導体層の第14の構成例の第2変形例を示す図である。
[図156] 3層導体層の第14の構成例の第3変形例乃至第5変形例を示す図である。
[図157] 3層導体層の第14の構成例の第6変形例乃至第8変形例を示す図である。
[図158] 3層導体層の第14の構成例の第9変形例乃至第11変形例を示す図である。
[図159] 3層導体層の第14の構成例の第12変形例乃至第14変形例を示す図である。
[図160] 3層導体層の第14の構成例の第15変形例乃至第17変形例を示す図である。
[図161] 3層導体層の第14の構成例の第18変形例乃至第20変形例を示す図である。
[図162] 3層導体層の第14の構成例の第21変形例乃至第23変形例を示す図である。
[図163] 3層導体層の第14の構成例の第24変形例乃至第26変形例を示す図である。
[図164] 撮像装置の構成例を示すブロック図である。
[図165] 体内情報取得システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。
[図166] 内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。
[図167] カメラヘッド及びCCUの機能構成の一例を示すブロック図である。
[図168] 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。
[図169] 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。

発明を実施するための形態

[0019]
 以下、本技術を実施するための最良の形態(以下、実施の形態と称する)について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、説明は、以下の順序で行なう。
 1.Victim導体ループと磁束
 2.本技術の実施の形態である固体撮像装置(半導体装置)の構成例
 3.ホットキャリア発光に対する遮光構造
 4.導体層A及びBの構成例
 5.導体層A及びBが形成される半導体基板における電極の配置例
 6.導体層A及びBの構成例の変形例
 7.網目状導体の変形例
 8.様々な効果
 9.引き出し部が異なる構成例
 10.パッドとの接続構成例
 11.導電性シールドの配置例
 12.導体層が3層ある場合の構成例
 13.応用例
 14.撮像装置の構成例
 15.体内情報取得システムへの応用例
 16.内視鏡手術システムへの応用例
 17.移動体への応用例
[0020]
<1.Victim導体ループと磁束>
 例えば、CMOSイメージセンサ等の固体撮像装置(半導体装置)において電源配線の近傍にVictim導体ループが形成される回路が存在する場合、Victim導体ループのループ面内を通過する磁束が変化すると、Victim導体ループに発生する誘導起電力が変化し、画素信号にノイズが発生することがあった。なお、Victim導体ループは、少なくとも一部に導体を含んで形成されていればよい。また、Victim導体ループが全て導体で形成されていてもよい。
[0021]
 ここで、Victim導体ループ(第1の導体ループ)とは、近傍で生じた磁界強度の変化に影響を受ける側の導体ループを指す。一方、Victim導体ループの近傍に存在し、流れる電流の変化によって磁界強度に変化を生じさせ、Victim導体ループに対して影響を及ぼす側の導体ループをAggressor導体ループ(第2の導体ループ)と称する。
[0022]
 図1は、Victim導体ループの変化による誘導起電力の変化を説明する図である。例えば、図1に示されるCMOSイメージセンサ等の固体撮像装置は、ピクセル基板10とロジック基板20とが、上からその順に積層されて構成される。図1の固体撮像装置においては、ピクセル基板10の画素領域にVictim導体ループ11(11A,11B)の少なくとも一部が形成され、そのピクセル基板10に積層されるロジック基板20の、このVictim導体ループ11の近傍には、(デジタル)電源を供給するための電源配線21が形成される。
[0023]
 そして、ピクセル基板10上のVictim導体ループ11のループ面内には、この電源配線21による磁束が通過し、それによってVictim導体ループ11に誘導起電力が発生する。
[0024]
 なお、Victim導体ループ11に発生する誘導起電力Vemfは次式(1)および(2)によって算出できる。なお、Φは磁束、Hは磁界強度、μは透磁率、SはVictim導体ループ11の面積をそれぞれ示す。
[0025]
[数1]


           ・・・(1)
[数2]


           ・・・(2)
[0026]
 ピクセル基板10の画素領域に形成されるVictim導体ループ11のループ経路は、画素信号を読み出す読み出し対象画素として選択される画素の位置によって変わる。図1の例の場合、画素Aが選択された際に形成されるVictim導体ループ11Aのループ経路は、画素Aと異なる位置の画素Bが選択された際に形成されるVictim導体ループ11Bのループ経路と異なる。換言すると、選択される画素の位置によって、導体ループの実効的な形状が変化する。
[0027]
 このようにVictim導体ループ11のループ経路が変化すると、Victim導体ループのループ面内を通過する磁束が変化し、それによってVictim導体ループに発生する誘導起電力が大きく変化することがあった。また、その誘導起電力の変化により、画素から読み出される画素信号にノイズ(誘導性ノイズ)が生じることがあった。そして、この誘導性ノイズにより、撮像画像に縞状の画像ノイズが発生することがあった。つまり、撮像画像の画質が低減することがあった。
[0028]
 そこで、本開示では、Victim導体ループおける誘導起電力による誘導性ノイズの発生を抑制する技術を提案する。
[0029]
<2.本技術の実施の形態である固体撮像装置(半導体装置)の構成例>
 図2は、本技術の実施の形態である固体撮像装置の主な構成例を示すブロック図である。
[0030]
 図2に示される固体撮像装置100は、被写体からの光を光電変換して画像データとして出力するデバイスである。例えば、固体撮像装置100は、CMOSを用いた裏面照射型CMOSイメージセンサ等として構成される。
[0031]
 図2に示されるように、固体撮像装置100は、第1の半導体基板101と第2の半導体基板102とが積層されて構成される。
[0032]
 第1の半導体基板101には、画素やアナログ回路等を有する画素・アナログ処理部111が形成されている。第2の半導体基板102には、デジタル回路等を有するデジタル処理部112が形成されている。
[0033]
 第1の半導体基板101および第2の半導体基板102は、互いに絶縁された状態で重畳される。つまり、画素・アナログ処理部111の構成と第2の半導体基板102の構成とは、基本的に互いに絶縁されている。なお、図示を省略しているが、画素・アナログ処理部111に形成される構成と、デジタル処理部112に形成される構成とは、必要に応じて(必要な部分が)、例えば、導体ビア(VIA)、シリコン貫通ビア(TSV)、Cu-Cu接合、Au-Au接合、若しくは、Al-Al接合等の同種金属接合、Cu-Au接合、Cu-Al接合、若しくは、Au-Al接合等の異種金属接合、または、ボンディングワイヤ等を介して互いに電気的に接続される。
[0034]
 なお、図2においては、積層された2層の基板からなる固体撮像装置100を例に説明したが、固体撮像装置100を構成する基板の積層数は任意である。例えば単層であってもよいし、3層以上であってもよい。以下においては、図2の例のように2層の基板により構成される場合について説明する。
[0035]
 図3は、画素・アナログ処理部111に形成される主な構成要素例を示すブロック図である。
[0036]
 図3に示されるように、画素・アナログ処理部111には、画素アレイ121、A/D変換部122、および垂直走査部123等が形成される。
[0037]
 画素アレイ121は、フォトダイオード等の光電変換素子をそれぞれ有する複数の画素131(図4)が縦横に配置されている。
[0038]
 A/D変換部122は、画素アレイ121の各画素131から読み出されたアナログ信号等をA/D変換し、その結果得られるデジタルの画素信号を出力する。
[0039]
 垂直走査部123は、画素アレイ121の各画素131のトランジスタ(図5の転送トランジスタ142等)の動作を制御する。つまり、画素アレイ121の各画素131に蓄積された電荷は、垂直走査部123に制御されて読み出され、画素信号として、単位画素のカラム毎に信号線132(図4)を介してA/D変換部122に供給され、A/D変換される。
[0040]
 A/D変換部122は、そのA/D変換結果(デジタルの画素信号)を、画素131のカラム毎に、デジタル処理部112に形成されるロジック回路(図示せず)に供給する。
[0041]
 図4は、画素アレイ121の詳細な構成例を示す図である。画素アレイ121には、画素131-11乃至131-MNが形成されている(M,Nは任意の自然数)。すなわち、画素アレイ121には、M行N列の画素131が行列状(アレイ状)に配置されている。以下、画素131-11乃至131-MNを個々に区別する必要が無い場合、画素131と称する。
[0042]
 画素アレイ121には、信号線132-1乃至132-Nと、制御線133-1乃至133-Mが形成されている。以下、信号線132-1乃至132-Nを個々に区別する必要が無い場合、信号線132と称し、制御線133-1乃至133-Mを個々に区別する必要が無い場合、制御線133と称する。
[0043]
 画素131には、カラム(列)毎に、そのカラムに対応する信号線132が接続されている。また、画素131には、行毎に、その行に対応する制御線133に接続されている。画素131に対しては、制御線133を介して、垂直走査部123からの制御信号が伝送される。
[0044]
 画素131からは、信号線132を介して、アナログの画素信号がA/D変換部122に出力される。
[0045]
 次に、図5は、画素131の構成例を示す回路図である。画素131は、光電変換素子としてのフォトダイオード141、転送トランジスタ142、リセットトランジスタ143、増幅トランジスタ144、およびセレクトトランジスタ145を有する。
[0046]
 フォトダイオード141は、受光した光をその光量に応じた電荷量の光電荷(ここでは、光電子)に光電変換してその光電荷を蓄積する。フォトダイオード141のアノード電極はGNDに接続され、カソード電極は転送トランジスタ142を介してフローティングディフュージョン(FD)に接続される。もちろん、フォトダイオード141のカソード電極が電源に接続され、アノード電極が転送トランジスタ142を介してフローティングディフュージョンに接続され、光電荷を光正孔として読み出す方式としてもよい。
[0047]
 転送トランジスタ142は、フォトダイオード141からの光電荷の読み出しを制御する。転送トランジスタ142は、ドレイン電極がフローティングディフュージョンに接続され、ソース電極がフォトダイオード141のカソード電極に接続される。また、転送トランジスタ142のゲート電極には、垂直走査部123(図3)から供給される転送制御信号TRGを伝送する転送制御線が接続される。転送制御信号TRG(すなわち、転送トランジスタ142のゲート電位)がオフ状態のとき、フォトダイオード141からの光電荷の転送が行われない(フォトダイオード141において光電荷が蓄積される)。転送制御信号TRG(すなわち、転送トランジスタ142のゲート電位)がオン状態のとき、フォトダイオード141に蓄積された光電荷がフローティングディフュージョンに転送される。
[0048]
 リセットトランジスタ143は、フローティングディフュージョンの電位をリセットする。リセットトランジスタ143は、ドレイン電極が電源電位に接続され、ソース電極がフローティングディフュージョンに接続される。また、リセットトランジスタ143のゲート電極には、垂直走査部123から供給されるリセット制御信号RSTを伝送するリセット制御線が接続される。リセット制御信号RST(すなわち、リセットトランジスタ143のゲート電位)がオフ状態のとき、フローティングディフュージョンは電源電位と切り離されている。リセット制御信号RST(すなわち、リセットトランジスタ143のゲート電位)がオン状態のとき、フローティングディフュージョンの電荷が電源電位に排出されて、フローティングディフュージョンがリセットされる。
[0049]
 増幅トランジスタ144は、フローティングディフュージョンの電圧に応じた電気信号(アナログ信号)を出力する(電流を流す)。増幅トランジスタ144は、ゲート電極がフローティングディフュージョンに接続され、ドレイン電極が(ソースフォロワ)電源電圧に接続され、ソース電極がセレクトトランジスタ145のドレイン電極に接続されている。例えば、増幅トランジスタ144は、リセットトランジスタ143によってリセットされたフローティングディフュージョンの電圧に応じた電気信号としてのリセット信号(リセットレベル)を画素信号としてセレクトトランジスタ145に出力する。また、増幅トランジスタ144は、転送トランジスタ142によって光電荷が転送されたフローティングディフュージョンの電圧に応じた電気信号としての光蓄積信号(信号レベル)を画素信号としてセレクトトランジスタ145に出力する。
[0050]
 セレクトトランジスタ145は、増幅トランジスタ144から供給される電気信号の信号線(VSL)132(すなわち、A/D変換部122)への出力を制御する。セレクトトランジスタ145は、ドレイン電極が増幅トランジスタ144のソース電極に接続され、ソース電極が信号線132に接続されている。また、セレクトトランジスタ145のゲート電極には、垂直走査部123から供給されるセレクト制御信号SELを伝送するセレクト制御線が接続される。セレクト制御信号SEL(すなわち、セレクトトランジスタ145のゲート電位)がオフ状態のとき、増幅トランジスタ144と信号線132は電気的に切り離されている。したがって、この状態のとき、当該画素131から画素信号としてのリセット信号や光蓄積信号が出力されない。セレクト制御信号SEL(すなわち、セレクトトランジスタ145のゲート電位)がオン状態のとき、当該画素131が選択状態となる。つまり、増幅トランジスタ144と信号線132が電気的に接続され、増幅トランジスタ144から出力される画素信号としてのリセット信号や光蓄積信号が、信号線132を介してA/D変換部122に供給される。すなわち、当該画素131から画素信号としてのリセット信号や光蓄積信号が読み出される。
[0051]
 なお、画素131の構成は任意であり、図5の例に限定されない。
[0052]
 以上のように構成される画素・アナログ処理部111においては、画素信号としてのアナログ信号の読み出しの対象として画素131が選択されると、上述した各種トランジスタを制御する制御線133や、信号線132、電源配線(アナログ電源配線、デジタル電源配線)等により、様々なVictim導体ループ(ループ形状(環状)の導体)が形成される。このVictim導体ループのループ面内に、近傍の配線等から発生する磁束が通過することにより誘導起電力が発生する。
[0053]
 Victim導体ループとしては、制御線133または信号線132の少なくとも一方の一部の配線を含んでいればよい。また、制御線133の一部を含むVictim導体ループと、信号線132の一部を含むVictim導体ループとがそれぞれ独立のVictim導体ループとして存在してもよい。さらに、Victim導体ループは、その一部または全部が第2の半導体基板102に含まれていてもよい。さらに、Victim導体ループは、ループ経路が可変であってもよいし、固定であってもよい。
[0054]
 Victim導体ループを成す制御線133と信号線132の配線方向は互いに略直交することが望ましいが、互いに略平行であってもよい。
[0055]
 なお、他の導体ループの近傍に存在する導体ループは、Victim導体ループになり得る。例えば、近傍のAggressorループに流れる電流の変化によって磁界強度に変化が生じても、影響を受けない導体ループであっても、Victim導体ループとなり得る。
[0056]
 Victim導体ループでは、その近傍に存在する配線(Aggressor導体ループ)に高周波信号が流れて、Aggressor導体ループの周辺の磁界強度が変化すると、その影響によりVictim導体ループに誘導起電力が生じ、Victim導体ループにノイズが発生することがあった。特に、Victim導体ループの近傍に、互いに同一の方向に電流が流れる配線が密集する場合、磁界強度の変化が大きくなり、Victim導体ループに発生する誘導起電力(すなわちノイズ)も大きくなる。
[0057]
 そこで、本開示では、Aggressor導体ループのループ面から生じる磁束の方向を調整し、その磁界がAggressor導体ループを通過させないようにする。
[0058]
<3.ホットキャリア発光に対する遮光構造>
 図6は、固体撮像装置100の断面構造例を示す図である。
[0059]
 上述したように、固体撮像装置100は、第1の半導体基板101と、第2の半導体基板102とが積層されて構成される。
[0060]
 第1の半導体基板101には、例えば、光電変換部となるフォトダイオード141と、複数の画素トランジスタ(図5の転送トランジスタ142乃至セレクトトランジスタ145)とからなる画素単位が2次元的に複数配列された画素アレイが形成される。
[0061]
 フォトダイオード141は、例えば、半導体基体152に形成されたウェル領域内にn型半導体領域と基体表面側(図中、下側)のp型半導体領域を有して形成される。半導体基体152上には、複数の画素トランジスタ(図5の転送トランジスタ142乃至セレクトトランジスタ145)が形成される。
[0062]
 半導体基体152の表面側には、層間絶縁膜を介して複数層の配線が配置された多層配線層153が形成される。配線は、例えば銅配線で形成される。画素トランジスタ及び垂直走査部123等は、異なる配線層の配線同士が、配線層間を貫通する接続導体により所要箇所で接続される。半導体基体152の裏面(図中、上側の面)上には、例えば、反射防止膜、所定領域を遮光する遮光膜、及び、各フォトダイオード141に対応する位置に設けられたカラーフィルタやマイクロレンズ等の光学部材155が形成される。
[0063]
 一方、第2の半導体基板102には、デジタル処理部112(図2)としてのロジック回路が形成される。ロジック回路は、例えば、半導体基体162のp型の半導体ウェル領域に形成された、複数のMOSトランジスタ164からなる。
[0064]
 さらに、半導体基体162上には、層間絶縁膜を介して配線が配置された配線層を複数備える多層配線層163が形成される。図6では、多層配線層163を形成する複数の配線層のうちの2層の配線層(配線層165A,165B)を示している。
[0065]
 固体撮像装置100においては、配線層165Aおよび配線層165Bによって遮光構造151を成している。
[0066]
 ここで、第2の半導体基板102において、MOSトランジスタ164等の能動素子が形成されている領域を能動素子群167とする。第2の半導体基板102では、例えば、複数のnMOSトランジスタやpMOSトランジスタ等の能動素子を組み合わせて一つの機能を実現するための回路が構成される。そして、この能動素子群167が形成された領域を、回路ブロック(図7の回路ブロック202乃至204に相当)とする。なお、第2の半導体基板102に形成される能動素子としては、MOSトランジスタ164以外にダイオード等も存在し得る。
[0067]
 そして、第2の半導体基板102の多層配線層163において、配線層165Aと配線層165Bから成る遮光構造151が、能動素子群167とフォトダイオード141との間に存在することにより、能動素子群167から発生するホットキャリア発光がフォトダイオード141に漏れ込むことを抑制している(詳細は後述する)。
[0068]
 以下、遮光構造151を成す配線層165Aと配線層165Bのうち、フォトダイオード141等が形成された第1の半導体基板101に近い方の配線層165Aを導体層A(第1の導体層)と称することにする。また、能動素子群167に近い方の配線層165Bを導体層B(第2の導体層)と称することにする。
[0069]
 ただし、フォトダイオード141等が形成された第1の半導体基板101に近い方の配線層165Aを導体層B、能動素子群167に近い方の配線層165Bを導体層Aとしてもよい。さらに、導体層A及びBの間には、絶縁層、半導体層、他の導体層等のいずれかが設けられていてもよい。また、導体層A及びBの間以外にも、絶縁層、半導体層、他の導体層等のいずれかが設けられていてもよい。
[0070]
 導体層Aや導体層Bは、回路基板や半導体基板や電子機器の中で最も電流の流れやすい導体層であることが望ましいが、その限りではない。
[0071]
 導体層Aと導体層Bの一方が、回路基板や半導体基板や電子機器の中で1番目に電流の流れやすい導体層であり、他方が、回路基板や半導体基板や電子機器の中で2番目に電流の流れやすい導体層であることが望ましいが、その限りではない。
[0072]
 導体層Aと導体層Bの一方が、回路基板や半導体基板や電子機器の中で最も電流の流れにくい導体層ではないことが望ましいが、その限りではない。導体層Aと導体層Bの両方が、回路基板や半導体基板や電子機器の中で最も電流の流れにくい導体層ではないことが望ましいが、その限りではない。
[0073]
 例えば、導体層Aと導体層Bの一方が、第1の半導体基板101の中で1番目に電流の流れやすい導体層であり、他方が、第1の半導体基板101の中で2番目に電流の流れやすい導体層であってもよい。
[0074]
 例えば、導体層Aと導体層Bの一方が、第2の半導体基板102の中で1番目に電流の流れやすい導体層であり、他方が、第2の半導体基板102の中で2番目に電流の流れやすい導体層であってもよい。
[0075]
 例えば、導体層Aと導体層Bの一方が、第1の半導体基板101の中で1番目に電流の流れやすい導体層であり、他方が、第2の半導体基板102の中で1番目に電流の流れやすい導体層であってもよい。
[0076]
 例えば、導体層Aと導体層Bの一方が、第1の半導体基板101の中で1番目に電流の流れやすい導体層であり、他方が、第2の半導体基板102の中で2番目に電流の流れやすい導体層であってもよい。
[0077]
 例えば、導体層Aと導体層Bの一方が、第1の半導体基板101の中で2番目に電流の流れやすい導体層であり、他方が、第2の半導体基板102の中で1番目に電流の流れやすい導体層であってもよい。
[0078]
 例えば、導体層Aと導体層Bの一方が、第1の半導体基板101の中で2番目に電流の流れやすい導体層であり、他方が、第2の半導体基板102の中で2番目に電流の流れやすい導体層であってもよい。
[0079]
 例えば、導体層Aと導体層Bの一方が、第1の半導体基板101または第2の半導体基板102の中で最も電流の流れにくい導体層ではなくてもよい。
[0080]
 例えば、導体層Aと導体層Bの両方が、第1の半導体基板101または第2の半導体基板102の中で最も電流の流れにくい導体層ではなくてもよい。
[0081]
 なお、上述した1番目は、3番目や4番目やN番目(Nは正数)として置き換え可能であり、上述した2番目も、3番目や4番目やN番目(Nは正数)として置き換え可能である。
[0082]
 なお、上述した回路基板や半導体基板や電子機器の中で電流の流れやすい導体層は、回路基板の中で電流の流れやすい導体層、半導体基板の中で電流の流れやすい導体層、電子機器の中で電流の流れやすい導体層、の何れかであると考えてもよい。また、上述した回路基板や半導体基板や電子機器の中で電流の流れにくい導体層は、回路基板の中で電流の流れにくい導体層、半導体基板の中で電流の流れにくい導体層、電子機器の中で電流の流れにくい導体層、の何れかであると考えてもよい。また、上述した電流の流れやすい導体層をシート抵抗の低い導体層とし、電流の流れにくい導体層をシート抵抗の高い導体層としても、それぞれ置き換え可能である。
[0083]
 なお、導体層A及びBに用いる導体の材料としては、銅、アルミ、タングステン、クロム、ニッケル、タンタル、モリブデン、チタン、金、銀、鉄等の金属、若しくは、これらの何れかを少なくとも含む混合物、化合物、または、合金が主に用いられる。また、シリコン、ゲルマニウム、化合物半導体、有機半導体等の半導体が含まれていてもよい。さらに、綿、紙、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、天然ゴム、ポリエステル、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン、合成樹脂、マイカ、石綿、ガラス繊維、磁器等の絶縁体が含まれていてもよい。
[0084]
 遮光構造151を成す導体層A及びBは、電流が流されることによってAggressor導体ループと成り得る。
[0085]
 次に、遮光構造151によって遮光される領域(遮光対象領域)について説明する。
[0086]
 図7は、半導体基体162における、能動素子群167が形成された領域から成る回路ブロックの平面配置例を示す概略構成図である。
[0087]
 図7のAは、複数の回路ブロック202乃至204が一括して遮光構造151による遮光対象領域とされる場合の例であり、回路ブロック202,203および204の全てを含む領域205が遮光対象領域となる。
[0088]
 図7のBは、複数の回路ブロック202乃至204が個別に遮光構造151による遮光対象領域とされる場合の例であり、回路ブロック202,203、および204のそれぞれを含む領域206,207、および208が個別に遮光対象領域となり、領域206乃至208以外の領域209が遮光非対象領域とされる。
[0089]
 図7のBに示した例の場合、遮光構造151を成す導体層A及びBのレイアウトの自由度が制限されることを回避することができる。しかしながら、導体層A及びBのレイアウトが複雑化するため、導体層A及びBのレイアウトを設計するために多大な労力が必要となる。
[0090]
 遮光構造151を成す導体層A及びBのレイアウトを容易に設計するためには、図7のAに示した例を採用し、複数の回路ブロックを一括して遮光対象領域とすることが望ましい。
[0091]
 そこで、本開示では、導体層A及びBのレイアウトの自由度が制限されることを回避しつつ、レイアウトを容易に設計できる導体層A及びBの構造を提案する。
[0092]
 なお、本実施の形態における遮光対象領域には、ホットキャリア発光の発光源となる能動素子群167の領域を表す回路ブロックに加えて、回路ブロックの周辺にも遮光対象領域となるように緩衝領域を設けるようにする。回路ブロックの周囲に緩衝領域を設けることにより、回路ブロックから斜め方向に射出されるホットキャリア発光がフォトダイオード141に漏れ込むことを抑止できる。
[0093]
 図8は、遮光構造151による遮光対象領域と、能動素子群の領域および緩衝領域との位置関係例を示す図である。
[0094]
 図8に示す例では、能動素子群167が形成された領域と、能動素子群167の周囲の緩衝領域191が遮光対象領域194としており、遮光対象領域194に対向するように、遮光構造151が形成される。
[0095]
 ここで、能動素子群167から遮光構造151までの長さを層間距離192とする。また、能動素子群167の端部から配線による遮光構造151の端部までの長さを緩衝領域幅193とする。
[0096]
 遮光構造151は、緩衝領域幅193が、層間距離192よりも大きくなるように形成する。これにより、点光源として発生するホットキャリア発光の斜め成分についても遮光することが可能となる。
[0097]
 なお、緩衝領域幅193の適切な値は、遮光構造151と能動素子群167との層間距離192に依存して変わる。例えば、層間距離192が長い場合、能動素子群167からのホットキャリア発光の斜め成分を十分に遮蔽できるように緩衝領域191を大きく設ける必要がある。一方、層間距離192が短い場合、緩衝領域191を大きく設けなくても能動素子群167からのホットキャリア発光を十分に遮光することができる。従って、多層配線層163を構成する複数の配線層のうち、能動素子群167に近い配線層を用いて遮光構造151を形成するようにすれば、導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることができる。ただし、能動素子群167に近い配線層を用いて遮光構造151を形成することは、能動素子群167に近い配線層のレイアウト制約などにより、難しい場合が多い。本技術では、能動素子群167から遠い配線層を用いて遮光構造151を形成する場合でも、高いレイアウト自由度が得られる。
[0098]
<4.導体層A及びBの構成例>
 以下、本技術を適用した固体撮像装置100におけるAggressor導体ループと成り得る、遮光構造151を成す導体層A(配線層165A)および導体層B(配線層165B)の構成例について説明するが、その前に、構成例の比較対象とする比較例について説明する。
[0099]
 <第1の比較例>
 図9は、遮光構造151を成す導体層A及びBの、後述する複数の構成例と比較するための第1の比較例を示す平面図である。なお、図9のAは導体層Aを、図9のBは導体層Bを示している。図9における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0100]
 第1の比較例における導体層Aは、Y方向に長い直線状導体211が、X方向に導体周期FXAで周期的に配置されている。なお、導体周期FXA=X方向の導体幅WXA+X方向の間隙幅GXAである。各直線状導体211は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。
[0101]
 第1の比較例における導体層Bは、Y方向に長い直線状導体212が、X方向に導体周期FXBで周期的に配置されている。なお、導体周期FXB=X方向の導体幅WXB+X方向の間隙幅GXBである。各直線状導体212は、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。ここで、導体周期FXB=導体周期FXAである。
[0102]
 なお、各直線状導体211をVdd配線とし、各直線状導体212をVss配線とするように、導体層A及びBの接続先を入れ替えてもよい。
[0103]
 図9のCは、図9のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBをフォトダイオード141側(裏面側)から見た状態を示している。第1の比較例の場合、図9のCに示されるように、導体層Aを構成する直線状導体211と、導体層Bを構成する直線状導体212とを重ねて配置した場合に、導体部分が重畳する重複部分が生じるように、直線状導体211,212が形成されるので、能動素子群167からのホットキャリア発光を十分に遮光することができる。なお、重複部分の幅を重複幅とも称する。
[0104]
 図10は、第1の比較例(図9)に流れる電流条件を示す図である。
[0105]
 導体層Aを構成する直線状導体211と、導体層Bを構成する直線状導体212に対しては、端部では均等にAC電流が流れるものとする。ただし、電流方向は、時間によって変化し、例えば、Vdd配線である直線状導体212に、電流が、図面の上側から下側に流れるとき、Vss配線である直線状導体211に、電流が、図面の下側から上側に流れるものとする。
[0106]
 第1の比較例に、図10に示したように電流が流れる場合、Vss配線である直線状導体211と、Vdd配線である直線状導体212との間には、図10の平面図において、隣接する直線状導体211及び212を含んで形成される、ループ面がXY平面にほぼ平行な導体ループによって、略Z方向の磁束が発生し易くなる。
[0107]
 一方、導体層A及びBから成る遮光構造151が形成された第2の半導体基板102に積層された第1の半導体基板101の画素アレイ121においては、図10に示されるように信号線132と制御線133から成るVictim導体ループがXY平面に形成される。XY平面に形成されるVictim導体ループは、Z方向の磁束によって誘導起電力が生じ易く、誘導起電力の変化が大きいほど、固体撮像装置100から出力される画像が悪化する(誘導性ノイズが増す)ことになる。
[0108]
 さらに、Aggressor導体ループの構成次第では、誘導起電力はVictim導体ループの寸法に比例するので、画素アレイ121において選択画素が移動されることにより、信号線132と制御線133から成るVictim導体ループの実効的な寸法が変化されると、誘導起電力の変化が顕著になる。
[0109]
 第1の比較例の場合、導体層A及びBから成る遮光構造151のAggressor導体ループのループ面から生じる磁束の方向(略Z方向)と、Victim導体ループに誘導起電力を生じさせ易い磁束の方向(Z方向)とが略一致するので、固体撮像装置100から出力される画像の悪化(誘導性ノイズの発生)が予想される。
[0110]
 図11は、第1の比較例を、固体撮像装置100に適用した場合に生じる誘導性ノイズのシミュレーション結果を示している。
[0111]
 図11のAは、固体撮像装置100から出力される、誘導性ノイズが生じた画像を示している。図11のBは、図11のAに示した画像の線分X1-X2における画素信号の変化を示している。図11のCは、画像に誘導性ノイズを生じさせた誘導起電力を表す実線L1を示している。図11のCの横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
[0112]
 以下、図11のCに示した実線L1を、遮光構造151を成す導体層A及びBの構成例を固体撮像装置100に適用した場合に生じる誘導性ノイズのシミュレーション結果との比較に用いることにする。
[0113]
 <第1の構成例>
 図12は、導体層A及びBの第1の構成例を示している。なお、図12のAは導体層Aを、図12のBは導体層Bを示している。図12における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0114]
 第1の構成例における導体層Aは、面状導体213から成る。面状導体213は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。
[0115]
 第1の比較例における導体層Bは、面状導体214から成る。面状導体214は、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。
[0116]
 なお、面状導体213をVdd配線とし、面状導体214をVss配線とするように、導体層A及びBの接続先を入れ替えてもよい。以降に説明する各構成例においても同様とする。
[0117]
 図12のCは、図12のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBをフォトダイオード141側(裏面側)から見た状態を示している。ただし、図12のCにおける斜線が交差するハッチングの領域215は、導体層Aの面状導体213と、導体層Bの面状導体214とが重複する領域を示している。したがって、図12のCの場合は、導体層Aの面状導体213と、導体層Bの面状導体214との全面が重なっていることを示している。第1の構成例の場合、導体層Aの面状導体213と、導体層Bの面状導体214との全面が重なるので、能動素子群167からのホットキャリア発光を確実に遮光することができる。
[0118]
 図13は、第1の構成例(図12)に流れる電流条件を示す図である。
[0119]
 導体層Aを構成する面状導体213と、導体層Bを構成する面状導体214に対しては、端部では均等にAC電流が流れるものとする。ただし、電流方向は、時間によって変化し、例えば、Vdd配線である面状導体214に、電流が、図面の上側から下側に流れるとき、Vss配線である面状導体213に、電流が、図面の下側から上側に流れるものとする。
[0120]
 第1の構成例に、図13に示したように電流が流れる場合、Vss配線である面状導体213と、Vdd配線である面状導体214との間には、面状導体213及び214が配置された断面において、面状導体213及び214(の断面)を含んで形成される、ループ面がX軸にほぼ垂直な導体ループおよびループ面がY軸にほぼ垂直な導体ループによって、略X方向および略Y方向の磁束が発生し易くなる。
[0121]
 一方、導体層A及びBから成る遮光構造151が形成された第2の半導体基板102に積層された第1の半導体基板101の画素アレイ121においては、図13に示されるように信号線132と制御線133から成るVictim導体ループがXY平面に形成される。XY平面に形成されるVictim導体ループは、Z軸方向の磁束によって誘導起電力が生じ易く、誘導起電力の変化が大きいほど、固体撮像装置100から出力される画像が悪化する(誘導性ノイズが増す)ことになる。
[0122]
 さらに、画素アレイ121において選択画素が移動されることにより、信号線132と制御線133から成るVictim導体ループの実効的な寸法が変化されると、誘導起電力の変化が顕著になる。
[0123]
 第1の構成例の場合、導体層A及びBから成る遮光構造151のAggressor導体ループのループ面から生じる磁束の方向(略X方向や略Y方向)と、Victim導体ループに誘導起電力を生じさせる磁束の方向(Z方向)とが略直交して略90度異なる。換言すれば、Aggressor導体ループから磁束が発生するループ面の方向と、Victim導体ループに誘導起電力を発生させるループ面の方向とが略90度異なる。そのため、固体撮像装置100から出力される画像の悪化(誘導性ノイズの発生)は、第1の比較例の場合に比べて少ないことが予想される。
[0124]
 図14は、第1の構成例(図12)を、固体撮像装置100に適用した場合に生じる誘導性ノイズのシミュレーション結果を示している。
[0125]
 図14のAは、固体撮像装置100から出力される、誘導性ノイズが生じ得る画像を示している。図14のBは、図14のAに示した画像の線分X1-X2における画素信号の変化を示している。図14のCは、画像に誘導性ノイズを生じさせた誘導起電力を表す実線L11を示している。図14のCの横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。なお、図14のCの点線L1は、第1の比較例(図9)に対応するものである。
[0126]
 図14のCに示した実線L11と点線L1を比較して明らかなように、第1の構成例は、第1の比較例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化を抑えることができる。よって、固体撮像装置100から出力される画像における誘導性ノイズの発生を抑止することができる。
[0127]
 <第2の構成例>
 図15は、導体層A及びBの第2の構成例を示している。なお、図15のAは導体層Aを、図15のBは導体層Bを示している。図15における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0128]
 第2の構成例における導体層Aは、網目状導体216から成る。網目状導体216におけるX方向の導体幅をWXA、間隙幅をGXA、導体周期をFXA(=導体幅WXA+間隙幅GXA)、端部幅をEXA(=導体幅WXA/2)とする。また、網目状導体216におけるY方向の導体幅をWYA、間隙幅をGYA、導体周期をFYA(=導体幅WYA+間隙幅GYA)、端部幅をEYA(=導体幅WYA/2)とする。網目状導体216は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。
[0129]
 第2の構成例における導体層Bは、網目状導体217から成る。網目状導体217におけるX方向の導体幅をWXB、間隙幅をGXB、導体周期をFXB(=導体幅WXB+間隙幅GXB)、端部幅をEXB(=導体幅WXB/2)とする。また、網目状導体217におけるY方向の導体幅をWYB、間隙幅をGYB、導体周期をFYB(=導体幅WYB+間隙幅GYB)、端部幅をEYB(=導体幅WYB/2)とする。網目状導体217は、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。
[0130]
 なお、網目状導体216と網目状導体217は、以下の関係を満たすことが望ましい。
 導体幅WXA=導体幅WYA=導体幅WXB=導体幅WYB
 間隙幅GXA=間隙幅GYA=間隙幅GXB=間隙幅GYB
 端部幅EXA=端部幅EYA=端部幅EXB=端部幅EYB
 導体周期FXA=導体周期FYA=導体周期FXB=導体周期FYB
[0131]
 図15のCは、図15のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBをフォトダイオード141側(裏面側)から見た状態を示している。ただし、図15のCにおける斜線が交差するハッチングの領域218は、導体層Aの網目状導体216と、導体層Bの網目状導体217とが重複する領域を示している。第2の構成例の場合、導体層Aを成す網目状導体216の間隙と導体層Bを成す網目状導体217の間隙が一致するので、能動素子群167からのホットキャリア発光を十分に遮光することはできない。ただし、後述するように、誘導性ノイズの発生を抑えることはできる。
[0132]
 図16は、第2の構成例(図15)に流れる電流条件を示す図である。
[0133]
 導体層Aを構成する網目状導体216と、導体層Bを構成する網目状導体217に対しては、端部では均等にAC電流が流れるものとする。ただし、電流方向は、時間によって変化し、例えば、Vdd配線である網目状導体217に、電流が、図面の上側から下側に流れるとき、Vss配線である網目状導体216に、電流が、図面の下側から上側に流れるものとする。
[0134]
 第2の構成例に、図16に示したように電流が流れる場合、Vss配線である網目状導体216と、Vdd配線である網目状導体217との間には、網目状導体216及び217が配置された断面において、網目状導体216及び217(の断面)を含んで形成される、ループ面がX軸にほぼ垂直な導体ループおよびループ面がY軸にほぼ垂直な導体ループによって、略X方向および略Y方向の磁束が発生し易くなる。
[0135]
 一方、導体層A及びBから成る遮光構造151が形成された第2の半導体基板102に積層された第1の半導体基板101の画素アレイ121においては、図16に示されるように信号線132と制御線133から成るVictim導体ループがXY平面に形成される。XY平面に形成されるVictim導体ループは、Z方向の磁束によって誘導起電力が生じ易く、誘導起電力の変化が大きいほど、固体撮像装置100から出力される画像が悪化する(誘導性ノイズが増す)ことになる。
[0136]
 さらに、画素アレイ121において選択画素が移動されることにより、信号線132と制御線133から成るVictim導体ループの実効的な寸法が変化されると、誘導起電力の変化が顕著になる。
[0137]
 第2の構成例の場合、導体層A及びBから成る遮光構造151のAggressor導体ループのループ面から生じる磁束の方向(略X方向や略Y方向)と、Victim導体ループに誘導起電力を生じさせる磁束の方向(Z方向)とが略直交して略90度異なる。換言すれば、Aggressor導体ループから磁束が発生するループ面の方向と、Victim導体ループに誘導起電力を発生させるループ面の方向とが略90度異なる。そのため、固体撮像装置100から出力される画像の悪化(誘導性ノイズの発生)は、第1の比較例に比べて少ないことが予想される。
[0138]
 図17は、第2の構成例(図15)を、固体撮像装置100に適用した場合に生じる誘導性ノイズのシミュレーション結果を示している。
[0139]
 図17のAは、固体撮像装置100から出力される、誘導性ノイズが生じ得る画像を示している。図17のBは、図17のAに示した画像の線分X1-X2における画素信号の変化を示している。図17のCは、画像に誘導性ノイズを生じさせた誘導起電力を表す実線L21を示している。図17のCの横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。なお、図17のCの点線L1は、第1の比較例(図9)に対応するものである。
[0140]
 図17のCに示した実線L21と点線L1を比較して明らかなように、第2の構成例は、第1の比較例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化を抑えることができる。よって、固体撮像装置100から出力される画像における誘導性ノイズの発生を抑止することができる。
[0141]
 <第2の比較例>
 第2の構成例(図15)では、導体層Aを成す網目状導体216と導体層Bを成す網目状導体217の関係として、導体周期FXA=導体周期FYA=導体周期FXB=導体周期FYBを満たすようにしている。
[0142]
 このように、導体層AのX方向の導体周期FXAと、導体層AのY方向の導体周期FYAと、導体層BのX方向の導体周期FXBと、導体層BのX方向の導体周期FYBとを一致させると、誘導性ノイズの発生を抑えることができる。
[0143]
 図18および図19は、導体層Aと導体層Bの全ての導体周期を一致させると、誘導性ノイズの発生を抑えることができることを説明するための図である。
[0144]
 図18のAは、図15に示した第2の構成例と比較するための、第2の構成例を変形した第2の比較例を示している、この第2の比較例は、第2の構成例における導体層Aを成す網目状導体216のX方向の間隙幅GXAとY方向の間隙幅GYAを広げて、X方向の導体周期FXAとY方向の導体周期FYAを、第2の構成例の5倍にしたものである。なお、第2の比較例における導体層Bを成す網目状導体217は、第2の構成例と同じものとする。
[0145]
 図18のBは、図15のCに示した第2の構成例を図18のAと同倍率で示したものである。
[0146]
 図19は、第2の比較例(図18のA)と、第2の構成例(図18のB)を固体撮像装置100に適用した場合のミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、第2の比較例に流れる電流条件は、図16に示した場合と同様とする。図19の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
[0147]
 図19における実線L21は、第2の構成例に対応し、点線L31は第2の比較例に対応するものである。
[0148]
 実線L21と点線L31を比較して明らかなように、第2の構成例は、第2の比較例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化を抑えることができ、誘導性ノイズを抑制できることがわかる。
[0149]
 <第3の比較例>
 ところで、第2の比較例における導体層Aを成す網目状導体の導体幅を広げた場合にも誘導性ノイズの発生を抑えることができる。
[0150]
 図20および図21は、導体層Aを成す網目状導体の導体幅を広げると、誘導性ノイズの発生を抑えることができることを説明するための図である。
[0151]
 図20のAは、図18のAに示した第2の比較例を再掲したものである。
[0152]
 図20のBは、第2の比較例と比べるための、第2の構成例を変形した第3の比較例を示している、この第3の比較例は、第2の構成例における導体層Aを成す網目状導体216のX方向とY方向の導体幅WXA,WYAを第2の構成例の5倍に広げたものである。なお、第3の比較例における導体層Bを成す網目状導体217は、第2の構成例と同じものとする。
[0153]
 図21は、第3の比較例と、第2の比較例を固体撮像装置100に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、第3の比較例に流れる電流条件は、図16に示した場合と同様とする。図21の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
[0154]
 図21における実線L41は、第3の比較例に対応し、点線L31は第2の比較例に対応するものである。
[0155]
 実線L41と点線L31を比較して明らかなように、第3の比較例は、第2の比較例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化を抑えることができ、誘導性ノイズを抑制できることがわかる。
[0156]
 <第3の構成例>
 次に、図22は、導体層A及びBの第3の構成例を示している。なお、図22のAは導体層Aを、図22のBは導体層Bを示している。図22における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0157]
 第3の構成例における導体層Aは、面状導体221から成る。面状導体221は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。
[0158]
 第3の構成例における導体層Bは、網目状導体222から成る。網目状導体222におけるX方向の導体幅をWXB、間隙幅をGXB、導体周期をFXB(=導体幅WXB+間隙幅GXB)とする。また、網目状導体222におけるY方向の導体幅をWYB、間隙幅をGYB、導体周期をFYB(=導体幅WYB+間隙幅GYB)、端部幅をEYBとする。網目状導体222は、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。
[0159]
 なお、網目状導体222は、以下の関係を満たすことが望ましい。
 導体幅WXB=導体幅WYB
 間隙幅GXB=間隙幅GYB
 端部幅EYB=導体幅WYB/2
 導体周期FXB=導体周期FYB
[0160]
 上述した関係のように、X方向とY方向で導体幅、導体周期、間隙幅を揃えることにより、網目状導体222のX方向とY方向とで配線抵抗や配線インピーダンスが均一になるので、X方向とY方向とで磁界耐性や電圧降下を均等にすることができる。
[0161]
 また、端部幅EYBを導体幅WYBの1/2とすることにより、網目状導体222の端部周辺で発生する磁界によってVictim導体ループに生じる誘導起電力を抑制することができる。
[0162]
 図22のCは、図22のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBをフォトダイオード141側(裏面側)から見た状態を示している。ただし、図22のCにおける斜線が交差するハッチングの領域223は、導体層Aの面状導体221と、導体層Bの網目状導体222とが重複する領域を示している。第3の構成例の場合、導体層Aまたは導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群167が覆われていることになるので、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光することができる。
[0163]
 図23は、第3の構成例(図22)に流れる電流条件を示す図である。
[0164]
 導体層Aを構成する面状導体221と、導体層Bを構成する網目状導体222に対しては、端部では均等にAC電流が流れるものとする。ただし、電流方向は、時間によって変化し、例えば、Vdd配線である網目状導体222に、電流が、図面の上側から下側に流れるとき、Vss配線である面状導体221に流れる電流は、図面の下側から上側に流れるものとする。
[0165]
 第3の構成例に、図23に示したように電流が流れる場合、Vss配線である面状導体221と、Vdd配線である網目状導体222との間には、面状導体221と網目状導体222が配置された断面において、面状導体221と網目状導体222(の断面)を含んで形成される、ループ面がX軸にほぼ垂直な導体ループおよびループ面がY軸にほぼ垂直な導体ループによって、略X方向および略Y方向の磁束が発生し易くなる。
[0166]
 一方、導体層A及びBから成る遮光構造151が形成された第2の半導体基板102に積層された第1の半導体基板101の画素アレイ121においては、信号線132と制御線133から成るVictim導体ループがXY平面に形成される。XY平面に形成されるVictim導体ループは、Z方向の磁束によって誘導起電力が生じ易く、誘導起電力の変化が大きいほど、固体撮像装置100から出力される画像が悪化する(誘導性ノイズが増す)ことになる。
[0167]
 さらに、画素アレイ121において選択画素が移動されることにより、信号線132と制御線133から成るVictim導体ループの実効的な寸法が変化されると、誘導起電力の変化が顕著になる。
[0168]
 第3の構成例の場合、導体層A及びBから成る遮光構造151のAggressor導体ループのループ面から生じる磁束の方向(略X方向や略Y方向)と、Victim導体ループに誘導起電力を生じさせる磁束の方向(Z方向)とが略直交して略90度異なる。換言すれば、Aggressor導体ループから磁束が発生するループ面の方向と、Victim導体ループに誘導起電力を発生させるループ面の方向とが略90度異なる。そのため、固体撮像装置100から出力される画像の悪化(誘導性ノイズの発生)は、第1の比較例に比べて少ないことが予想される。
[0169]
 図24は、第3の構成例(図22)を、固体撮像装置100に適用した場合に生じる誘導性ノイズのシミュレーション結果を示している。
[0170]
 図24のAは、固体撮像装置100から出力される、誘導性ノイズが生じ得る画像を示している。図24のBは、図24のAに示した画像の線分X1-X2における画素信号の変化を示している。図24のCは、画像に誘導性ノイズを生じさせた誘導起電力を表す実線L51を示している。図24のCの横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。なお、図24のCの点線L1は、第1の比較例(図9)に対応するものである。
[0171]
 図24のCに示した実線L51と点線L1を比較して明らかなように、第3の構成例は、第1の比較例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化を抑えることができる。よって、固体撮像装置100から出力される画像における誘導性ノイズの発生を抑止することができる。
[0172]
 <第4の構成例>
 次に、図25は、導体層A及びBの第4の構成例を示している。なお、図25のAは導体層Aを、図25のBは導体層Bを示している。図25における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0173]
 第4の構成例における導体層Aは、網目状導体231から成る。網目状導体231におけるX方向の導体幅をWXA、間隙幅をGXA、導体周期をFXA(=導体幅WXA+間隙幅GXA)、端部幅をEXA(=導体幅WXA/2)とする。また、網目状導体231におけるY方向の導体幅をWYA、間隙幅をGYA、導体周期をFYA(=導体幅WYA+間隙幅GYA)とする。網目状導体231は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。
[0174]
 第4の構成例における導体層Bは、網目状導体232から成る。網目状導体232におけるX方向の導体幅をWXB、間隙幅をGXB、導体周期をFXB(=導体幅WXB+間隙幅GXB)とする。また、網目状導体232におけるY方向の導体幅をWYB、間隙幅をGYB、導体周期をFYB(=導体幅WYB+間隙幅GYB)、端部幅をEYB(=導体幅WYB/2)とする。網目状導体232は、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。
[0175]
 なお、網目状導体231と網目状導体232は、以下の関係を満たすことが望ましい。
 導体幅WXA=導体幅WYA=導体幅WXB=導体幅WYB
 間隙幅GXA=間隙幅GYA=間隙幅GXB=間隙幅GYB
 端部幅EXA=端部幅EYB
 導体周期FXA=導体周期FYA=導体周期FXB=導体周期FYB
 導体幅WYA=2×重複幅+間隙幅GYA、導体幅WXA=2×重複幅+間隙幅GXA
 導体幅WYB=2×重複幅+間隙幅GYB、導体幅WXB=2×重複幅+間隙幅GXB
[0176]
 ここで、重複幅とは、導体層Aの網目状導体231と、導体層Bの網目状導体232とを重ねて配置した場合に、導体部分が重複する重複部分の幅である。
[0177]
 上述した関係のように、網目状導体231と網目状導体232のX方向とY方向の導体周期を全て揃えることにより、網目状導体231の電流分布と、網目状導体232の電流分布とを略均等、且つ、逆特性にできるので、網目状導体231の電流分布によって生じる磁界と、網目状導体232の電流分布によって生じる磁界とを効果的に相殺できる。
[0178]
 また、網目状導体231と網目状導体232のX方向とY方向の導体周期、導体幅、間隙幅を全て揃えることにより、網目状導体231と網目状導体232のX方向とY方向とで配線抵抗や配線インピーダンスが均一になるので、X方向とY方向とで磁界耐性や電圧降下を均等にすることができる。
[0179]
 また、網目状導体231の端部幅EXAを導体幅WXAの1/2とすることにより、網目状導体231の端部周辺で発生する磁界によってVictim導体ループに生じる誘導起電力を抑制することができる。また、網目状導体232の端部幅EYBを導体幅WYBの1/2とすることにより、網目状導体231の端部周辺で発生する磁界によってVictim導体ループに生じる誘導起電力を抑制することができる。
[0180]
 なお、導体層Aの網目状導体231のX方向に端部を設ける代わりに、導体層Bの網目状導体232のX方向の端部を設けるようにしてもよい。また、導体層Bの網目状導体232のY方向の端部を設ける代わりに、導体層Aの網目状導体231のY方向に端部を設けるようにしてもよい。
[0181]
 図25のCは、図25のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBをフォトダイオード141側(裏面側)から見た状態を示している。ただし、図25のCにおける斜線が交差するハッチングの領域233は、導体層Aの網目状導体231と、導体層Bの網目状導体232とが重複する領域を示している。第4の構成例の場合、導体層Aまたは導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群167が覆われていることになるので、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光することができる。
[0182]
 ただし、導体層Aの網目状導体231と、導体層Bの網目状導体232とにより、完全にホットキャリア発光を遮光するためには、以下の関係を満たす必要がある。
導体幅WYA≧間隙幅GYA
導体幅WXA≧間隙幅GXA
導体幅WYB≧間隙幅GYB
導体幅WXB≧間隙幅GXB
[0183]
 この場合、以下の関係が満たされることになる。
導体幅WYA=2×重複幅+間隙幅GYA
導体幅WXA=2×重複幅+間隙幅GXA
導体幅WYB=2×重複幅+間隙幅GYB
導体幅WXB=2×重複幅+間隙幅GXB
[0184]
 第4の構成例に、図23に示した場合と同様に電流が流れる場合、Vss配線である網目状導体231と、Vdd配線である網目状導体232との間には、網目状導体231及び232が配置された断面において、網目状導体231及び232(の断面)を含んで形成される、ループ面がX軸にほぼ垂直な導体ループおよびループ面がY軸にほぼ垂直な導体ループによって、略X方向および略Y方向の磁束が発生し易くなる。
[0185]
 <第5の構成例>
 次に、図26は、導体層A及びBの第5の構成例を示している。なお、図26のAは導体層Aを、図26のBは導体層Bを示している。図26における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0186]
 第5の構成例における導体層Aは、網目状導体241から成る。網目状導体241は、第4の構成例(図25)における導体層Aを成す網目状導体231をY方向に導体周期FYA/2だけ移動したものである。網目状導体241は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。
[0187]
 第5の構成例における導体層Bは、網目状導体242から成る。網目状導体242は、第4の構成例(図25)における導体層Bを成す網目状導体232と同様の形状を有するので、その説明は省略する。網目状導体242は、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。
[0188]
 なお、網目状導体241と網目状導体242は、以下の関係を満たすことが望ましい。
 導体幅WXA=導体幅WYA=導体幅WXB=導体幅WYB
 間隙幅GXA=間隙幅GYA=間隙幅GXB=間隙幅GYB
 端部幅EXA=端部幅EYB
 導体周期FXA=導体周期FYA=導体周期FXB=導体周期FYB
 導体幅WYA=2×重複幅+間隙幅GYA、導体幅WXA=2×重複幅+間隙幅GXA
 導体幅WYB=2×重複幅+間隙幅GYB、導体幅WXB=2×重複幅+間隙幅GXB
[0189]
 ここで、重複幅とは、導体層Aの網目状導体241と、導体層Bの網目状導体242とを重ねて配置した場合に、導体部分が重複する重複部分の幅である。
[0190]
 図26のCは、図26のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBをフォトダイオード141側(裏面側)から見た状態を示している。ただし、図26のCにおける斜線が交差するハッチングの領域243は、導体層Aの網目状導体241と、導体層Bの網目状導体242とが重複する領域を示している。第5の構成例の場合、導体層Aまたは導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群167が覆われていることになるので、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光することができる。
[0191]
 また、第5の構成例の場合、網目状導体241と網目状導体242との重複する領域243がX方向に連なる。網目状導体241と網目状導体242との重複する領域243では、網目状導体241と網目状導体242に互いに極性が異なる電流が流れるので、領域243から生じる磁界が互いに打ち消されることになる。よって、領域243付近における誘導性ノイズの発生を抑えることができる。
[0192]
 第5の構成例に、図23に示した場合と同様に電流が流れる場合、Vss配線である網目状導体241と、Vdd配線である網目状導体242との間には、網目状導体241及び242が配置された断面において、網目状導体241及び242(の断面)を含んで形成される、ループ面がX軸にほぼ垂直な導体ループおよびループ面がY軸にほぼ垂直な導体ループによって、略X方向および略Y方向の磁束が発生し易くなる。
[0193]
 <第6の構成例>
 次に、図27は、導体層A及びBの第6の構成例を示している。なお、図27のAは導体層Aを、図27のBは導体層Bを示している。図27における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0194]
 第6の構成例における導体層Aは、網目状導体251から成る。網目状導体251は、第4の構成例(図25)における導体層Aを成す網目状導体231と同様の形状を有するので、その説明は省略する。網目状導体251は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。
[0195]
 第6の構成例における導体層Bは、網目状導体252から成る。網目状導体252は、第4の構成例(図25)における導体層Bを成す網目状導体232をX方向に導体周期FXB/2だけ移動したものである。網目状導体252は、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。
[0196]
 なお、網目状導体251と網目状導体252は、以下の関係を満たすことが望ましい。
 導体幅WXA=導体幅WYA=導体幅WXB=導体幅WYB
 間隙幅GXA=間隙幅GYA=間隙幅GXB=間隙幅GYB
 端部幅EXA=端部幅EYB
 導体周期FXA=導体周期FYA=導体周期FXB=導体周期FYB
 導体幅WYA=2×重複幅+間隙幅GYA、導体幅WXA=2×重複幅+間隙幅GXA
 導体幅WYB=2×重複幅+間隙幅GYB、導体幅WXB=2×重複幅+間隙幅GXB
[0197]
 ここで、重複幅とは、導体層Aの網目状導体251と、導体層Bの網目状導体252とを重ねて配置した場合に、導体部分が重複する重複部分の幅である。
[0198]
 図27のCは、図27のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBをフォトダイオード141側(裏面側)から見た状態を示している。ただし、図27のCにおける斜線が交差するハッチングの領域253は、導体層Aの網目状導体251と、導体層Bの網目状導体252とが重複する領域を示している。第6の構成例の場合、導体層Aまたは導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群167が覆われていることになるので、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光することができる。
[0199]
 第6の構成例に、図23に示した場合と同様に電流が流れる場合、Vss配線である網目状導体251と、Vdd配線である網目状導体252との間には、網目状導体251及び252が配置された断面において、網目状導体251及び252(の断面)を含んで形成される、ループ面がX軸にほぼ垂直な導体ループおよびループ面がY軸にほぼ垂直な導体ループによって、略X方向および略Y方向の磁束が発生し易くなる。
[0200]
 さらに、第6の構成例の場合、網目状導体251と網目状導体252の重複する領域253がY方向に連なる。この網目状導体251と網目状導体252との重複する領域253では、網目状導体251と網目状導体252に互いに極性が異なる電流が流れるので、領域253から生じる磁界が互いに打ち消されることになる。よって、領域253付近における誘導性ノイズの発生を抑えることができる。
[0201]
 <第4乃至第6の構成例のシミュレーション結果>
 図28は、第4乃至第6の構成例(図25乃至図27)を固体撮像装置100に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、第4乃至第6の構成例に流れる電流条件は、図23に示した場合と同様とする。図28の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
[0202]
 図28のAにおける実線L52は、第4の構成例(図25)に対応するものであり、点線L1は第1の比較例(図9)に対応するものである。実線L52と点線L1を比較して明らかなように、第4の構成例は、第1の比較例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化を抑えることができ、誘導性ノイズを抑制できることがわかる。
[0203]
 図28のBにおける実線L53は、第5の構成例(図26)に対応するものであり、点線L1は第1の比較例(図9)に対応するものである。実線L53と点線L1を比較して明らかなように、第5の構成例は、第1の比較例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化を抑えることができ、誘導性ノイズを抑制できることがわかる。
[0204]
 図28のCにおける実線L54は、第6の構成例(図27)に対応するものであり、点線L1は第1の比較例(図9)に対応するものである。実線L54と点線L1を比較して明らかなように、第6の構成例は、第1の比較例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化を抑えることができ、誘導性ノイズを抑制できることがわかる。
[0205]
 また、実線L52乃至L54を比較して明らかなように、第6の構成例は、第4の構成例及び第5の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化をより抑えることができ、誘導性ノイズをより抑制できることがわかる。
[0206]
 <第7の構成例>
 次に、図29は、導体層A及びBの第7の構成例を示している。なお、図29のAは導体層Aを、図29のBは導体層Bを示している。図29における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0207]
 第7の構成例における導体層Aは、面状導体261から成る。面状導体261は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。
[0208]
 第7の構成例における導体層Bは、網目状導体262と中継導体301から成る。網目状導体262は、第3の構成例(図22)における導体層Bの網目状導体222と同様の形状を有するので、その説明は省略する。網目状導体262は、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。
[0209]
 中継導体(他の導体)301は、網目状導体262の導体ではない間隙領域に配置されて網目状導体262と電気的に絶縁されており、導体層Aの面状導体261が接続されたVssに接続される。
[0210]
 中継導体301の形状は任意であり、回転対称または鏡面対称などのように対称な円形または多角形が望ましい。中継導体301は、網目状導体262の間隙領域の中央その他の任意の位置に配置することができる。中継導体301は、導体層Aとは異なるVss配線としての導体層に接続されるようにしてもよい。中継導体301は、導体層Bよりも能動素子群167に近い側のVss配線としての導体層に接続されるようにしてもよい。中継導体301は、Z方向に延伸された導体ビア(VIA)を介して、導体層Aとは異なる導体層や、導体層Bよりも能動素子群167に近い側の導体層等に接続することができる。
[0211]
 図29のCは、図29のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBをフォトダイオード141側(裏面側)から見た状態を示している。ただし、図29のCにおける斜線が交差するハッチングの領域263は、導体層Aの面状導体261と、導体層Bの網目状導体262とが重複する領域を示している。第7の構成例の場合、導体層Aまたは導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群167が覆われていることになるので、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光することができる。
[0212]
 また、第7の構成例の場合、中継導体301を設けたことにより、Vss配線である面状導体261を略最短距離または短距離で能動素子群167と接続することができる。面状導体261と能動素子群167とを略最短距離または短距離で接続することにより、面状導体261と能動素子群167の間の電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[0213]
 図30は、第7の構成例(図29)に流れる電流条件を示す図である。
[0214]
 導体層Aを構成する面状導体261と、導体層Bを構成する網目状導体262に対しては、端部では均等にAC電流が流れるものとする。ただし、電流方向は、時間によって変化し、例えば、Vdd配線である網目状導体262に、電流が、図面の上側から下側に流れるとき、Vss配線である面状導体261に、電流が、図面の下側から上側に流れるものとする。
[0215]
 第7の構成例に、図30に示したように電流が流れる場合、Vss配線である面状導体261と、Vdd配線である網目状導体262との間には、面状導体261と網目状導体262が配置された断面において、面状導体261と網目状導体262(の断面)を含んで形成される、ループ面がX軸にほぼ垂直な導体ループおよびループ面がY軸にほぼ垂直な導体ループによって、略X方向および略Y方向の磁束が発生し易くなる。
[0216]
 一方、導体層A及びBから成る遮光構造151が形成された第2の半導体基板102に積層された第1の半導体基板101の画素アレイ121においては、信号線132と制御線133から成るVictim導体ループがXY平面に形成される。XY平面に形成されるVictim導体ループは、Z方向の磁束によって誘導起電力が生じ易く、誘導起電力の変化が大きいほど、固体撮像装置100から出力される画像が悪化する(誘導性ノイズが増す)ことになる。
[0217]
 さらに、画素アレイ121において選択画素が移動されることにより、信号線132と制御線133から成るVictim導体ループの実効的な寸法が変化されると、誘導起電力の変化が顕著になる。
[0218]
 第7の構成例の場合、導体層A及びBから成る遮光構造151のAggressor導体ループのループ面から生じる磁束の方向(略X方向や略Y方向)と、Victim導体ループに誘導起電力を生じさせる磁束の方向(Z方向)とが略直交して略90度異なる。換言すれば、Aggressor導体ループから磁束が発生するループ面の方向と、Victim導体ループに誘導起電力を発生させるループ面の方向とが略90度異なる。そのため、固体撮像装置100から出力される画像の悪化(誘導性ノイズの発生)は、第1の比較例に比べて少ないことが予想される。
[0219]
 図31は、第7の構成例(図29)を、固体撮像装置100に適用した場合に生じる誘導性ノイズのシミュレーション結果を示している。
[0220]
 図31のAは、固体撮像装置100から出力される、誘導性ノイズが生じ得る画像を示している。図31のBは、図31のAに示した画像の線分X1-X2における画素信号の変化を示している。図31のCは、画像に誘導性ノイズを生じさせた誘導起電力を表す実線L61を示している。図31のCの横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。なお、図31のCの点線L51は、第3の構成例(図22)に対応するものである。
[0221]
 図31のCに示した実線L61と点線L51を比較して明らかなように、第7の構成例は、第3の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化を悪化させないことがわかる。すなわち、導体層Bの網目状導体262の間隙に中継導体301が配置された第7の構成例でも、固体撮像装置100から出力される画像における誘導性ノイズの発生を、第3の構成例と同じ程度に抑制することができる。ただし、このシミュレーション結果は、面状導体261が能動素子群167と接続されておらず、かつ、網目状導体262が能動素子群167と接続されていない場合のシミュレーション結果である。例えば、面状導体261と能動素子群167の少なくとも一部が導体ビア等を介して略最短距離または短距離で接続されている場合や、網目状導体262と能動素子群167の少なくとも一部が導体ビア等を介して略最短距離または短距離で接続されている場合には、面状導体261や網目状導体262に流れる電流量が位置に応じて徐々に小さくなる。このような場合には、中継導体301を設けたことにより、電圧降下やエネルギ損失や誘導性ノイズが半分以下へ大幅に改善される条件もある。
[0222]
 <第8の構成例>
 次に、図32は、導体層A及びBの第8の構成例を示している。なお、図32のAは導体層Aを、図32のBは導体層Bを示している。図32における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0223]
 第8の構成例における導体層Aは、網目状導体271から成る。網目状導体271は、第4の構成例(図25)における導体層Aの網目状導体231と同様の形状を有するので、その説明は省略する。網目状導体271は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。
[0224]
 第8の構成例における導体層Bは、網目状導体272と中継導体302から成る。網目状導体272は、第4の構成例(図25)における導体層Bの網目状導体232と同様の形状を有するので、その説明は省略する。網目状導体232は、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。
[0225]
 中継導体(他の導体)302は、網目状導体272の導体ではない間隙領域に配置されて、網目状導体272と電気的に絶縁されており、導体層Aの網目状導体271が接続されたVssに接続される。
[0226]
 なお、中継導体302の形状は任意であり、回転対称または鏡面対称などのように対称な円形または多角形が望ましい。中継導体302は、網目状導体272の間隙領域の中央その他の任意の位置に配置することができる。中継導体302は、導体層Aとは異なるVss配線としての導体層に接続されるようにしてもよい。中継導体302は、導体層Bよりも能動素子群167に近い側のVss配線としての導体層に接続されるようにしてもよい。中継導体302は、Z方向に延伸された導体ビア(VIA)を介して、導体層Aとは異なる導体層や、導体層Bよりも能動素子群167に近い側の導体層等に接続することができる。
[0227]
 図32のCは、図32のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBをフォトダイオード141側(裏面側)から見た状態を示している。ただし、図32のCにおける斜線が交差するハッチングの領域273は、導体層Aの網目状導体271と、導体層Bの網目状導体272とが重複する領域を示している。第8の構成例の場合、導体層Aまたは導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群167が覆われていることになるので、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光することができる。
[0228]
 第8の構成例に、図30に示した場合と同様に電流が流れる場合、Vss配線である網目状導体271と、Vdd配線である網目状導体272との間には、網目状導体271及び272が配置された断面において、網目状導体271及び272(の断面)を含んで形成される、ループ面がX軸にほぼ垂直な導体ループおよびループ面がY軸にほぼ垂直な導体ループによって、略X方向および略Y方向の磁束が発生し易くなる。
[0229]
 また、第8の構成例の場合、中継導体302を設けたことにより、Vss配線である網目状導体271を略最短距離または短距離で能動素子群167と接続することができる。網目状導体271と能動素子群167とを略最短距離または短距離で接続することにより、網目状導体271と能動素子群167の間の電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[0230]
 <第9の構成例>
 次に、図33は、導体層A及びBの第9の構成例を示している。なお、図33のAは導体層Aを、図33のBは導体層Bを示している。図33における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0231]
 第9の構成例における導体層Aは、網目状導体281から成る。網目状導体281は、第5の構成例(図26)における導体層Aの網目状導体241と同様の形状を有するので、その説明は省略する。網目状導体281は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。
[0232]
 第9の構成例における導体層Bは、網目状導体282と中継導体303から成る。網目状導体282は、第5の構成例(図26)における導体層Bの網目状導体242と同様の形状を有するので、その説明は省略する。網目状導体282は、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。
[0233]
 中継導体(他の導体)303は、網目状導体282の導体ではない間隙領域に配置されて、網目状導体282と電気的に絶縁されており、導体層Aの網目状導体281が接続されたVssに接続される。
[0234]
 なお、中継導体303の形状は任意であり、回転対称または鏡面対称などのように対称な円形または多角形が望ましい。中継導体303は、網目状導体282の間隙領域の中央その他の任意の位置に配置することができる。中継導体303は、導体層Aとは異なるVss配線としての導体層に接続されるようにしてもよい。中継導体303は、導体層Bよりも能動素子群167に近い側のVss配線としての導体層に接続されるようにしてもよい。中継導体303は、Z方向に延伸された導体ビア(VIA)を介して、導体層Aとは異なる導体層や、導体層Bよりも能動素子群167に近い側の導体層等に接続することができる。
[0235]
 図33のCは、図33のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBをフォトダイオード141側(裏面側)から見た状態を示している。ただし、図33のCにおける斜線が交差するハッチングの領域283は、導体層Aの網目状導体281と、導体層Bの網目状導体282とが重複する領域を示している。第9の構成例の場合、導体層Aまたは導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群167が覆われていることになるので、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光することができる。
[0236]
 第9の構成例に、図30に示した場合と同様に電流が流れる場合、Vss配線である網目状導体281と、Vdd配線である網目状導体282との間には、網目状導体281及び282が配置された断面において、網目状導体281及び282(の断面)を含んで形成される、ループ面がX軸にほぼ垂直な導体ループおよびループ面がY軸にほぼ垂直な導体ループによって、略X方向および略Y方向の磁束が発生し易くなる。
[0237]
 また、第9の構成例の場合、中継導体303を設けたことにより、Vss配線である網目状導体281を略最短距離または短距離で能動素子群167と接続することができる。網目状導体281と能動素子群167とを略最短距離または短距離で接続することにより、網目状導体281と能動素子群167の間の電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[0238]
 <第10の構成例>
 次に、図34は、導体層A及びBの第10の構成例を示している。なお、図34のAは導体層Aを、図34のBは導体層Bを示している。図34における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0239]
 第10の構成例における導体層Aは、網目状導体291から成る。網目状導体291は、第6の構成例(図27)における導体層Aの網目状導体251と同様の形状を有するので、その説明は省略する。網目状導体291は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。
[0240]
 第10の構成例における導体層Bは、網目状導体292と中継導体304から成る。網目状導体292は、第6の構成例(図27)における導体層Bの網目状導体252と同様の形状を有するので、その説明は省略する。網目状導体292は、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。
[0241]
 中継導体(他の導体)304は、網目状導体292の導体ではない間隙領域に配置されて、網目状導体292と電気的に絶縁されており、導体層Aの網目状導体291が接続されたVssに接続される。
[0242]
 なお、中継導体304の形状は任意であり、回転対称または鏡面対称などのように対称な円形または多角形が望ましい。中継導体304は、網目状導体292の間隙領域の中央その他の任意の位置に配置することができる。中継導体304は、導体層Aとは異なるVss配線としての導体層に接続されるようにしてもよい。中継導体304は、導体層Bよりも能動素子群167に近い側のVss配線としての導体層に接続されるようにしてもよい。中継導体304は、Z方向に延伸された導体ビア(VIA)を介して、導体層Aとは異なる導体層や、導体層Bよりも能動素子群167に近い側の導体層等に接続することができる。
[0243]
 図34のCは、図34のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBをフォトダイオード141側(裏面側)から見た状態を示している。ただし、図34のCにおける斜線が交差するハッチングの領域293は、導体層Aの網目状導体291と、導体層Bの網目状導体292とが重複する領域を示している。第10の構成例の場合、導体層Aまたは導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群167が覆われていることになるので、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光することができる。
[0244]
 第10の構成例に、図30に示した場合と同様に電流が流れる場合、Vss配線である網目状導体291と、Vdd配線である網目状導体292との間には、網目状導体291及び292が配置された断面において、網目状導体291及び292(の断面)を含んで形成される、ループ面がX軸にほぼ垂直な導体ループおよびループ面がY軸にほぼ垂直な導体ループによって、略X方向および略Y方向の磁束が発生し易くなる。
[0245]
 また、第10の構成例の場合、中継導体304を設けたことにより、Vss配線である網目状導体291を略最短距離または短距離で能動素子群167と接続することができる。網目状導体291と能動素子群167とを略最短距離または短距離で接続することにより、網目状導体291と能動素子群167の間の電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[0246]
 <第8乃至第10の構成例のシミュレーション結果>
 図35は、第8乃至第10の構成例(図32乃至図34)を固体撮像装置100に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、第8乃至第10の構成例に流れる電流条件は、図30に示した場合と同様とする。図35の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
[0247]
 図35のAにおける実線L62は、第8の構成例(図32)に対応するものであり、点線L52は、第4の構成例(図25)に対応するものである。実線L62と点線L52を比較して明らかなように、第8の構成例は、第4の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化を悪化させないことがわかる。すなわち、導体層Bの網目状導体272の間隙に中継導体302が配置された第8の構成例でも、固体撮像装置100から出力される画像における誘導性ノイズの発生を第4の構成例と同じ程度に抑制することができる。ただし、このシミュレーション結果は、網目状導体271が能動素子群167と接続されておらず、かつ、網目状導体272が能動素子群167と接続されていない場合のシミュレーション結果である。例えば、網目状導体271と能動素子群167の少なくとも一部が導体ビア等を介して略最短距離または短距離で接続されている場合や、網目状導体272と能動素子群167の少なくとも一部が導体ビア等を介して略最短距離または短距離で接続されている場合には、網目状導体271や網目状導体272に流れる電流量が位置に応じて徐々に小さくなる。このような場合には、中継導体302を設けたことにより、電圧降下やエネルギ損失や誘導性ノイズが半分以下へ大幅に改善される条件もある。
[0248]
 図35のBにおける実線L63は、第9の構成例(図33)に対応するものであり、点線L53は、第5の構成例(図26)に対応するものである。実線L63と点線L53を比較して明らかなように、第9の構成例は、第5の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化を悪化させないことがわかる。すなわち、導体層Bの網目状導体282の間隙に中継導体303が配置された第9の構成例でも、固体撮像装置100から出力される画像における誘導性ノイズの発生を第5の構成例と同じ程度に抑制することができる。ただし、このシミュレーション結果は、網目状導体281が能動素子群167と接続されておらず、かつ、網目状導体282が能動素子群167と接続されていない場合のシミュレーション結果である。例えば、網目状導体281と能動素子群167の少なくとも一部が導体ビア等を介して略最短距離または短距離で接続されている場合や、網目状導体282と能動素子群167の少なくとも一部が導体ビア等を介して略最短距離または短距離で接続されている場合には、網目状導体281や網目状導体282に流れる電流量が位置に応じて徐々に小さくなる。このような場合には、中継導体303を設けたことにより、電圧降下やエネルギ損失や誘導性ノイズが半分以下へ大幅に改善される条件もある。
[0249]
 図35のCにおける実線L64は、第10の構成例に(図34)対応するものであり、点線L54は、第6の構成例(図27)に対応するものである。実線L64と点線L54を比較して明らかなように、第10の構成例は、第6の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化を悪化させないことがわかる。すなわち、導体層Bの網目状導体292の間隙に中継導体304が配置された第10の構成例でも、固体撮像装置100から出力される画像における誘導性ノイズの発生を第6の構成例と同じ程度に抑制することができる。ただし、このシミュレーション結果は、網目状導体291が能動素子群167と接続されておらず、かつ、網目状導体292が能動素子群167と接続されていない場合のシミュレーション結果である。例えば、網目状導体291と能動素子群167の少なくとも一部が導体ビア等を介して略最短距離または短距離で接続されている場合や、網目状導体292と能動素子群167の少なくとも一部が導体ビア等を介して略最短距離または短距離で接続されている場合には、網目状導体291や網目状導体292に流れる電流量が位置に応じて徐々に小さくなる。このような場合には、中継導体304を設けたことにより、電圧降下やエネルギ損失や誘導性ノイズが半分以下へ大幅に改善される条件もある。
[0250]
 また、実線L62乃至L64を比較して明らかなように、第10の構成例は、第8の構成例及び第9の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化をより抑えることができ、誘導性ノイズをより抑制できることがわかる。
[0251]
 <第11の構成例>
 次に、図36は、導体層A及びBの第11の構成例を示している。なお、図36のAは導体層Aを、図36のBは導体層Bを示している。図36における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0252]
 第11の構成例における導体層Aは、X方向(第1の方向)の抵抗値とY方向(第2の方向)の抵抗値が異なる網目状導体311から成る。網目状導体311は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。
[0253]
 網目状導体311におけるX方向の導体幅をWXA、間隙幅をGXA、導体周期をFXA(=導体幅WXA+間隙幅GXA)、端部幅をEXA(=導体幅WXA/2)とする。また、網目状導体311におけるY方向の導体幅をWYA、間隙幅をGYA、導体周期をFYA(=導体幅WYA+間隙幅GYA)、端部幅をEYA(=導体幅WYA/2)とする。網目状導体311においては、間隙幅GYA>間隙幅GXAが満たされる。したがって、網目状導体311の間隙領域は、Y方向がX方向よりも長い形状を有しており、X方向とY方向とで抵抗値が異なり、Y方向の抵抗値がX方向の抵抗値よりも小さくなる。
[0254]
 第11の構成例における導体層Bは、X方向の抵抗値とY方向の抵抗値が異なる網目状導体312から成る。網目状導体312は、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。
[0255]
 網目状導体312におけるX方向の導体幅をWXB、間隙幅をGXB、導体周期をFXB(=導体幅WXB+間隙幅GXB)とする。また、網目状導体312におけるY方向の導体幅をWYB、間隙幅をGYB、導体周期をFYB(=導体幅WYB+間隙幅GYB)、端部幅をEYB(=導体幅WYB/2)とする。網目状導体312においては、間隙幅GYB>間隙幅GXBが満たされる。したがって、網目状導体312の間隙領域は、Y方向がX方向よりも長い形状を有しており、X方向とY方向とで抵抗値が異なり、Y方向の抵抗値がX方向の抵抗値よりも小さくなる。
[0256]
 なお、網目状導体311のシート抵抗値が網目状導体312のシート抵抗値よりも大きい場合、網目状導体311と網目状導体312は、以下の関係を満たすことが望ましい。
 導体幅WYA≧導体幅WYB
 導体幅WXA≧導体幅WXB
 間隙幅GXA≦間隙幅GXB
 間隙幅GYA≦間隙幅GYB
[0257]
 反対に、網目状導体311のシート抵抗値が網目状導体312のシート抵抗値よりも小さい場合、網目状導体311と網目状導体312は、以下の関係を満たすことが望ましい。
 導体幅WYA≦導体幅WYB
 導体幅WXA≦導体幅WXB
 間隙幅GXA≧間隙幅GXB
 間隙幅GYA≧間隙幅GYB
[0258]
 さらに、網目状導体311,312のシート抵抗値と導体幅については、以下の関係を満たすことが望ましい。
 (網目状導体311のシート抵抗値)/(網目状導体312のシート抵抗値)
≒導体幅WYA/導体幅WYB
 (網目状導体311のシート抵抗値)/(網目状導体312のシート抵抗値)
≒導体幅WXA/導体幅WXB
[0259]
 本明細書で開示する寸法関係に関わる限定は必須ではなく、網目状導体311の電流分布と、網目状導体312の電流分布とが、略均等、略同一、または、略類似した電流分布であり、且つ、逆特性な電流分布となるように構成されていることが望ましい。
[0260]
 例えば、網目状導体311のX方向の配線抵抗と網目状導体311のY方向の配線抵抗との比と、網目状導体312のX方向の配線抵抗と網目状導体312のY方向の配線抵抗との比とが、略同一となるように構成されていることが望ましい。
[0261]
 また、網目状導体311のX方向の配線インダクタンスと網目状導体311のY方向の配線インダクタンスとの比と、網目状導体312のX方向の配線インダクタンスと網目状導体312のY方向の配線インダクタンスとの比とが、略同一となるように構成されていることが望ましい。
[0262]
 また、網目状導体311のX方向の配線キャパシタンスと網目状導体311のY方向の配線キャパシタンスとの比と、網目状導体312のX方向の配線キャパシタンスと網目状導体312のY方向の配線キャパシタンスとの比とが、略同一となるように構成されていることが望ましい。
[0263]
 また、網目状導体311のX方向の配線インピーダンスと網目状導体311のY方向の配線インピーダンスとの比と、網目状導体312のX方向の配線インピーダンスと網目状導体312のY方向の配線インピーダンスとの比とが、略同一となるように構成されていることが望ましい。
[0264]
 換言すると、(網目状導体311のX方向の配線抵抗×網目状導体312のY方向の配線抵抗)≒(網目状導体312のX方向の配線抵抗×網目状導体311のY方向の配線抵抗)、
(網目状導体311のX方向の配線インダクタンス×網目状導体312のY方向の配線インダクタンス)≒(網目状導体312のX方向の配線インダクタンス×網目状導体311のY方向の配線インダクタンス)、
(網目状導体311のX方向の配線キャパシタンス×網目状導体312のY方向の配線キャパシタンス)≒(網目状導体312のX方向の配線キャパシタンス×網目状導体311のY方向の配線キャパシタンス)、または、
(網目状導体311のX方向の配線インピーダンス×網目状導体312のY方向の配線インピーダンス)≒(網目状導体312のX方向の配線インピーダンス×網目状導体311のY方向の配線インピーダンス)、
の何れかの関係を満たすことが望ましいが、この関係を満たすことが必須ではない。
[0265]
 なお、上述した配線抵抗、配線インダクタンス、配線キャパシタンス、および、配線インピーダンスは、それぞれ、導体抵抗、導体インダクタンス、導体キャパシタンス、および、導体インピーダンスに、置き換え可能である。
[0266]
 なお、上述したインピーダンスZ、抵抗R、インダクタンスL、キャパシタンスCの間には、角周波数ωおよび虚数単位jによってZ=R+jωL+1÷(jωC)の関係がある。
[0267]
 なお、これらの比の関係は、網目状導体311および網目状導体312の全体として満たされていてもよいし、網目状導体311および網目状導体312における一部の範囲内で満たされていてもよく、任意の範囲内で満たされていればよい。
[0268]
 さらに、電流分布が略均等または略同一または略類似、且つ、逆特性となるように調整する回路が設けられていてもよい。
[0269]
 上述した関係を満たすことにより、網目状導体311の電流分布と、網目状導体312の電流分布とを略均等、且つ、逆特性にできるので、網目状導体311の電流分布によって生じる磁界と、網目状導体312の電流分布によって生じる磁界とを効果的に相殺できる。
[0270]
 図36のCは、図36のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBをフォトダイオード141側(裏面側)から見た状態を示している。ただし、図36のCにおける斜線が交差するハッチングの領域313は、導体層Aの網目状導体311と、導体層Bの網目状導体312とが重複する領域を示している。第11の構成例の場合、導体層Aまたは導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群167が覆われていることになるので、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光することができる。
[0271]
 また、第11の構成例の場合、網目状導体311と網目状導体312との重複する領域313がX方向に連なる。網目状導体311と網目状導体312との重複する領域313では、網目状導体311と網目状導体312に互いに極性が異なる電流が流れるので、領域313から生じる磁界が互いに打ち消されることになる。よって、領域313付近における誘導性ノイズの発生を抑えることができる。
[0272]
 また、第11の構成例の場合、網目状導体311のY方向の間隙幅GYAとX方向の間隙幅GXAが異なるように形成されるとともに、網目状導体312のY方向の間隙幅GYBとX方向の間隙幅GXBが異なるように形成される。
[0273]
 このように、網目状導体311,312をX方向とY方向の間隙幅に差異を設けた形状とすることにより、実際に導体層を設計、製造する際の、配線領域の寸法、空隙領域の寸法、各導体層における配線領域の占有率等の制約を守ることができ、配線レイアウトの設計の自由度を高めることができる。また、間隙幅に差異を設けない場合に比較して、電圧降下(IR-Drop)や誘導性ノイズなどの観点で有利なレイアウトに配線を設計することができる。
[0274]
 図37は、第11の構成例(図36)に流れる電流条件を示す図である。
[0275]
 導体層Aを構成する網目状導体311と、導体層Bを構成する網目状導体312に対しては、端部では均等にAC電流が流れるものとする。ただし、電流方向は、時間によって変化し、例えば、Vdd配線である網目状導体312に、電流が、図面の上側から下側に流れるとき、Vss配線である網目状導体311に、電流が、図面の下側から上側に流れるものとする。
[0276]
 第11の構成例に、図37に示したように電流が流れる場合、Vss配線である網目状導体311と、Vdd配線である網目状導体312との間には、網目状導体311及び312が配置された断面において、網目状導体311及び312(の断面)を含んで形成される、ループ面がX軸にほぼ垂直な導体ループおよびループ面がY軸にほぼ垂直な導体ループによって、略X方向および略Y方向の磁束が発生し易くなる。
[0277]
 一方、導体層A及びBから成る遮光構造151が形成された第2の半導体基板102に積層された第1の半導体基板101の画素アレイ121においては、信号線132と制御線133から成るVictim導体ループがXY平面に形成される。XY平面に形成されるVictim導体ループは、Z方向の磁束によって誘導起電力が生じ易く、誘導起電力の変化が大きいほど、固体撮像装置100から出力される画像が悪化する(誘導性ノイズが増す)ことになる。
[0278]
 さらに、画素アレイ121において選択画素が移動されることにより、信号線132と制御線133から成るVictim導体ループの実効的な寸法が変化されると、誘導起電力の変化が顕著になる。
[0279]
 第11の構成例の場合、導体層A及びBから成る遮光構造151のAggressor導体ループのループ面から生じる磁束の方向(略X方向や略Y方向)と、Victim導体ループに誘導起電力を生じさせる磁束の方向(Z方向)とが略直交して略90度異なる。換言すれば、Aggressor導体ループから磁束が発生するループ面の方向と、Victim導体ループに誘導起電力を発生させるループ面の方向とが略90度異なる。そのため、固体撮像装置100から出力される画像の悪化(誘導性ノイズの発生)は、第1の比較例に比べて少ないことが予想される。
[0280]
 図38は、第11の構成例(図36)を、固体撮像装置100に適用した場合に生じる誘導性ノイズのシミュレーション結果を示している。
[0281]
 図38のAは、固体撮像装置100から出力される、誘導性ノイズが生じ得る画像を示している。図38のBは、図38のAに示した画像の線分X1-X2における画素信号の変化を示している。図38のCは、画像に誘導性ノイズを生じさせた誘導起電力を表す実線L71を示している。図38のCの横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。なお、図38のCの点線L1は、第1の比較例(図9)に対応するものである。
[0282]
 図38のCに示した実線L71と点線L1を比較して明らかなように、第11の構成例は、第1の比較例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化を抑えることができ、誘導性ノイズを抑制できることがわかる。
[0283]
 なお、第11の構成例は、XY平面状で90度回転させて用いてもよい。また、90度に限らず任意の角度に回転させて用いてもよい。例えば、X軸やY軸に対して斜めに構成してもよい。
[0284]
 <第12の構成例>
 次に、図39は、導体層A及びBの第12の構成例を示している。なお、図39のAは導体層Aを、図39のBは導体層Bを示している。図39における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0285]
 第12の構成例における導体層Aは、網目状導体321から成る。網目状導体321は、第11の構成例(図36)における導体層Aの網目状導体311と同様の形状を有するので、その説明は省略する。網目状導体321は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。
[0286]
 第12の構成例における導体層Bは、網目状導体322と中継導体305から成る。網目状導体322は、第11の構成例(図36)における導体層Bの網目状導体312と同様の形状を有するので、その説明は省略する。網目状導体322は、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。
[0287]
 中継導体(他の導体)305は、網目状導体322の導体ではないY方向に長い長方形の間隙領域に配置されて、網目状導体322と電気的に絶縁されており、導体層Aの網目状導体321が接続されたVssに接続される。
[0288]
 なお、中継導体305の形状は任意であり、回転対称または鏡面対称などのように対称な円形または多角形が望ましい。中継導体305は、網目状導体322の間隙領域の中央その他の任意の位置に配置することができる。中継導体305は、導体層Aとは異なるVss配線としての導体層に接続されるようにしてもよい。中継導体305は、導体層Bよりも能動素子群167に近い側のVss配線としての導体層に接続されるようにしてもよい。中継導体305は、Z方向に延伸された導体ビア(VIA)を介して、導体層Aとは異なる導体層や、導体層Bよりも能動素子群167に近い側の導体層等に接続することができる。
[0289]
 図39のCは、図39のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBをフォトダイオード141側(裏面側)から見た状態を示している。ただし、図39のCにおける斜線が交差するハッチングの領域323は、導体層Aの網目状導体321と、導体層Bの網目状導体322とが重複する領域を示している。第12の構成例の場合、導体層Aまたは導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群167が覆われていることになるので、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光することができる。
[0290]
 第12の構成例に、図37に示した場合と同様に電流が流れる場合、Vss配線である網目状導体321と、Vdd配線である網目状導体322との間には、網目状導体321及び322が配置された断面において、網目状導体321及び322(の断面)を含んで形成される、ループ面がX軸にほぼ垂直な導体ループおよびループ面がY軸にほぼ垂直な導体ループによって、略X方向および略Y方向の磁束が発生し易くなる。
[0291]
 さらに、第12の構成例の場合、網目状導体321と網目状導体322との重複する領域323がX方向に連なる。網目状導体321と網目状導体322との重複する領域323では、網目状導体321と網目状導体322に互いに極性が異なる電流が流れるので、領域323から生じる磁界が互いに打ち消されることになる。よって、領域323付近における誘導性ノイズの発生を抑えることができる。
[0292]
 また、第12の構成例の場合、中継導体305を設けたことにより、Vss配線である網目状導体321を略最短距離または短距離で能動素子群167と接続することができる。網目状導体321と能動素子群167とを略最短距離または短距離で接続することにより、網目状導体321と能動素子群167の間の電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[0293]
 なお、第12の構成例は、XY平面状で90度回転させて用いてもよい。また、90度に限らず任意の角度に回転させて用いてもよい。例えば、X軸やY軸に対して斜めに構成してもよい。
[0294]
 <第13の構成例>
 次に、図40は、導体層A及びBの第13の構成例を示している。なお、図40のAは導体層Aを、図40のBは導体層Bを示している。図40における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0295]
 第13の構成例における導体層Aは、網目状導体331から成る。網目状導体331は、第11の構成例(図36)における導体層Aの網目状導体311と同様の形状を有するので、その説明は省略する。網目状導体331は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。
[0296]
 第13の構成例における導体層Bは、網目状導体332と中継導体306から成る。網目状導体332は、第11の構成例(図36)における導体層Bの網目状導体312と同様の形状を有するので、その説明は省略する。網目状導体332は、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。
[0297]
 中継導体(他の導体)306は、第12の構成例(図39)における中継導体305を、間隔を空けて複数(図40の場合は10)に分割したものである。中継導体306は、網目状導体332のY方向に長い長方形の間隙領域に配置されて、網目状導体332と電気的に絶縁されており、導体層Aの網目状導体331が接続されたVssに接続される。中継導体の分割数やVssへの接続の有無は、領域によって異ならせてもよい。この場合には、設計時に電流分布を微調整できるので、誘導性ノイズ抑制や電圧降下(IR-Drop)低減に繋げることができる。
[0298]
 なお、中継導体306の形状は任意であり、回転対称または鏡面対称などのように対称な円形または多角形が望ましい。中継導体306の分割数は、任意に変更することができる。中継導体306は、網目状導体332の間隙領域の中央その他の任意の位置に配置することができる。中継導体306は、導体層Aとは異なるVss配線としての導体層に接続されるようにしてもよい。中継導体306は、導体層Bよりも能動素子群167に近い側のVss配線としての導体層に接続されるようにしてもよい。中継導体306は、Z方向に延伸された導体ビア(VIA)を介して、導体層Aとは異なる導体層や、導体層Bよりも能動素子群167に近い側の導体層等に接続することができる。
[0299]
 図40のCは、図40のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBをフォトダイオード141側(裏面側)から見た状態を示している。ただし、図40のCにおける斜線が交差するハッチングの領域333は、導体層Aの網目状導体331と、導体層Bの網目状導体332とが重複する領域を示している。第13の構成例の場合、導体層Aまたは導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群167が覆われていることになるので、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光することができる。
[0300]
 第13の構成例に、図37に示した場合と同様に電流が流れる場合、Vss配線である網目状導体331と、Vdd配線である網目状導体332との間には、網目状導体331及び332が配置された断面において、網目状導体331及び332(の断面)を含んで形成される、ループ面がX軸にほぼ垂直な導体ループおよびループ面がY軸にほぼ垂直な導体ループによって、略X方向および略Y方向の磁束が発生し易くなる。
[0301]
 さらに、第13の構成例の場合、網目状導体331と網目状導体332との重複する領域333がX方向に連なる。領域333では、網目状導体331と網目状導体332に互いに極性が異なる電流が流れるので、領域333から生じる磁界が互いに打ち消されることになる。よって、領域333付近における誘導性ノイズの発生を抑えることができる。
[0302]
 また、第13の構成例の場合、中継導体306を設けたことにより、Vss配線である網目状導体331を略最短距離または短距離で能動素子群167と接続することができる。網目状導体331と能動素子群167とを略最短距離または短距離で接続することにより、網目状導体331と能動素子群167の間の電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[0303]
 さらに、第13の構成例では、中継導体306が複数に分割されていることにより、導体層Aにおける電流分布と、導体層Bとにおける電流分布とを、略均一、かつ、逆極性にすることができるので、導体層Aから生じる磁界と導体層Bから生じる磁界とを互いに打ち消すことができる。したがって、第13の構成例では、外的要因によるVdd配線とVss配線との電流分布差を生じさせ難くすることができる。よって、第16の構成例は、XY平面の電流分布が複雑である場合や、網目状導体331,332に接続される導体のインピーダンスがVdd配線とVss配線とで異なる場合に好適である。
[0304]
 なお、第13の構成例は、XY平面状で90度回転させて用いてもよい。また、90度に限らず任意の角度に回転させて用いてもよい。例えば、X軸やY軸に対して斜めに構成してもよい。
[0305]
 <第12及び第13の構成例のシミュレーション結果>
 図41は、第12の構成例(図39)及び第13の構成例(図40)を固体撮像装置100に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、第12及び第13の構成例に流れる電流条件は、図37に示した場合と同様とする。図41の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
[0306]
 図41のAにおける実線L72は、第12の構成例(図39)に対応するものであり、点線L1は、第1の比較例(図9)に対応するものである。実線L72と点線L1を比較して明らかなように、第12の構成例は、第1の比較例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力を変化させないことがわかる。よって、第12の構成例は、第1の比較例に比べて、固体撮像装置100から出力される画像における誘導性ノイズを抑制することができる。ただし、このシミュレーション結果は、網目状導体321が能動素子群167と接続されておらず、かつ、網目状導体322が能動素子群167と接続されていない場合のシミュレーション結果である。例えば、網目状導体321と能動素子群167の少なくとも一部が導体ビア等を介して略最短距離または短距離で接続されている場合や、網目状導体322と能動素子群167の少なくとも一部が導体ビア等を介して略最短距離または短距離で接続されている場合には、網目状導体321や網目状導体322に流れる電流量が位置に応じて徐々に小さくなる。このような場合には、中継導体305を設けたことにより、電圧降下やエネルギ損失や誘導性ノイズが半分以下へ大幅に改善される条件もある。
[0307]
 図41のBにおける実線L73は、第13の構成例(図40)に対応するものであり、点線L1は、第1の比較例(図9)に対応するものである。実線L73と点線L1を比較して明らかなように、第13の構成例は、第1の比較例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力を変化させないことがわかる。よって、第13の構成例は、第1の比較例に比べて、固体撮像装置100から出力される画像における誘導性ノイズを抑制することができる。ただし、このシミュレーション結果は、網目状導体331が能動素子群167と接続されておらず、かつ、網目状導体332が能動素子群167と接続されていない場合のシミュレーション結果である。例えば、網目状導体331と能動素子群167の少なくとも一部が導体ビア等を介して略最短距離または短距離で接続されている場合や、網目状導体332と能動素子群167の少なくとも一部が導体ビア等を介して略最短距離または短距離で接続されている場合には、網目状導体331や網目状導体332に流れる電流量が位置に応じて徐々に小さくなる。このような場合には、中継導体306を設けたことにより、電圧降下やエネルギ損失や誘導性ノイズが半分以下へ大幅に改善される条件もある。
[0308]
<5.導体層A及びBが形成される半導体基板における電極の配置例>
 次に、上述した導体層A及びBの第11乃至第13の構成例のように、X方向とY方向とで抵抗値が異なる導体が形成される半導体基板における電極の配置について説明する。
[0309]
 なお、以下の説明では、Y方向の抵抗値がX方向の抵抗値よりも小さい導体(網目状導体331,332)を含む導体層A及びBから成る第13の構成例(図40)が半導体基板に形成される場合を例にして説明する。ただし、Y方向の抵抗値がX方向の抵抗値よりも小さい導体を含む導体層A及びBの第11および第12の構成例が半導体基板に形成される場合についても同様とする。
[0310]
 半導体基板に形成される導体層A及びBの第13の構成例では、導体(網目状導体331,332)のY方向の抵抗値がX方向の抵抗値よりも小さいので、Y方向に電流が流れ易い。したがって、導体層A及びBの第13の構成例の導体における電圧降下(IR-Drop)をできるだけ小さくするためには、半導体基板に配置する複数のパッド(電極)を、抵抗値が小さい方向であるY方向よりも、抵抗値が大きい方向であるX方向に密に配置することが望ましいが、X方向よりもY方向に密に配置してもよい。
[0311]
 <半導体基板におけるパッドの第1の配置例>
 図42は、半導体基板においてY方向よりもX方向に密にパッドを配置した第1の配置例を示す平面図である。なお、図42における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0312]
 図42のAは、導体層A及びBから成る第13の構成例(図40)が複数形成される配線領域400の1辺にパッドを配置した場合を示している。図42のBは、導体層A及びBから成る第13の構成例(図40)が複数形成される配線領域400のY方向で対向する2辺にパッドを配置した場合を示している。なお、図中の点線矢印は、そこに流れる電流の向きの一例を示しており、点線矢印で示した電流による電流ループ411が生じる。点線矢印で示した電流の方向は、時々刻々と変化する。
[0313]
 図42のCは、導体層A及びBから成る第13の構成例(図40)が複数形成される配線領域400の3辺にパッドを配置した場合を示している。図42のDは、導体層A及びBから成る第13の構成例(図40)が複数形成される配線領域400の4辺にパッドを配置した場合を示している。図42のEは配線領域400に複数形成される導体層A及びBの第13の構成例の向きを示している。
[0314]
 配線領域400に配置されるパッド401はVdd配線に接続され、パッド402は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。
[0315]
 図42に示した第1の配置例の場合、パッド401及び402は、それぞれ、1又は隣接して配置された複数(図42の場合、2)のパッドから成る。パッド401と402とは、隣接して配置される。1のパッドからなるパッド401と1のパッドからなるパッド402とは、隣接して配置され、2のパッドからなるパッド401と2のパッドからなるパッド402とは、隣接して配置される。パッド401と402との極性(接続先がVdd配線またはVss配線)は逆極性とされている。配線領域400に配置するパッド401の数と、パッド402の数は略同数とする。
[0316]
 これにより、配線領域400に形成される導体層A及びBのそれぞれに流れる電流分布を略均一、かつ、逆極性にできるので、導体層A及びBのそれぞれから生じる磁界とそれに基づく誘導起電力を効果的に相殺することができる。
[0317]
 また、図42のB,C,Dに示されるように、配線領域400の2辺以上にパッドを形成した場合、対向する辺で向かい合うパッドの極性が逆極性とされている。これにより、図42のBに点線矢印で示したように、配線領域400のX座標が共通であってY座標が異なる位置には、同じ方向の電流が分布し易くなる。
[0318]
 <半導体基板におけるパッドの第2の配置例>
 次に、図43は、半導体基板においてY方向よりもX方向に密にパッドを配置した第2の配置例を示す平面図である。なお、図43における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0319]
 図43のAは、導体層A及びBから成る第13の構成例(図40)が複数形成される配線領域400のY方向で対向する2辺にパッドを配置した場合を示している。なお、図中の点線矢印は、そこに流れる電流の向きを示しており、点線矢印で示した電流による電流ループ412が生じる。点線矢印で示した電流の方向は、時々刻々と変化する。
[0320]
 図43のBは、導体層A及びBから成る第13の構成例(図40)が複数形成される配線領域400の3辺にパッドを配置した場合を示している。図43のCは、導体層A及びBから成る第13の構成例(図40)が複数形成される配線領域400の4辺にパッドを配置した場合を示している。図43のDは、配線領域400に複数形成される導体層A及びBの第13の構成例の向きを示している。
[0321]
 配線領域400に配置されるパッド401はVdd配線に接続され、パッド402は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。
[0322]
 図43に示した第2の配置例の場合、パッド401及び402は、隣接して配置された複数(図43の場合、2)のパッドから成る。パッド401と402とは、隣接して配置される。1のパッドからなるパッド401と1のパッドからなるパッド402とは、隣接して配置され、2のパッドからなるパッド401と2のパッドからなるパッド402とは、隣接して配置される。パッド401と402との極性(接続先がVdd配線またはVss配線)は逆極性とされている。配線領域400に配置するパッド401の数と、パッド402の数は略同数とする。
[0323]
 これにより、配線領域400に形成される導体層A及びBのそれぞれに流れる電流分布を略均一、かつ、逆極性にできるので、導体層A及びBのそれぞれから生じる磁界とそれに基づく誘導起電力を効果的に相殺することができる。
[0324]
 さらに、第2の配置例では、対向する辺で向かい合うパッドの極性を同極性としている。ただし、対向する辺で向かい合うパッドの一部は極性が逆極性であってもよい。これにより、配線領域400には、図42のBに示した電流ループ411に比べて小さい電流ループ412が生じることになる。電流ループは、その大きさが磁界の分布範囲に影響し、電界ループが小さい程、磁界の分布範囲が狭くなる。したがって、第2の配置例は、第1の配置例に比べて、磁界の分布範囲が狭くなる。よって、第2の配置例は、第1の配置例に比べて、生じる誘導起電力と、それに基づく誘導性ノイズを小さくすることができる。
[0325]
 <半導体基板におけるパッドの第3の配置例>
 次に、図44は、半導体基板においてY方向よりもX方向に密にパッドを配置した第3の配置例を示す平面図である。なお、図44における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0326]
 図44のAは、導体層A及びBから成る第13の構成例(図40)が複数形成される配線領域400の1辺にパッドを配置した場合を示している。図44のBは、導体層A及びBから成る第13の構成例(図40)が複数形成される配線領域400のY方向で対向する2辺にパッドを配置した場合を示している。なお、図中の点線矢印は、そこに流れる電流の向きを示しており、点線矢印で示した電流による電流ループ413が生じる。
[0327]
 図44のCは、導体層A及びBから成る第13の構成例(図40)が複数形成される配線領域400の3辺にパッドを配置した場合を示している。図44のDは、導体層A及びBから成る第13の構成例(図40)が複数形成される配線領域400の4辺にパッドを配置した場合を示している。図44のEは、配線領域400に複数形成される導体層A及びBの第13の構成例の向きを示している。
[0328]
 配線領域400に配置されるパッド401はVdd配線に接続され、パッド402は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。
[0329]
 図44に示した第3の配置例の場合、隣接して配置した複数(図44の場合、2)のパッドから成るパッド群を成す各パッドの極性(接続先がVdd配線またはVss配線)が逆極性とされている。配線領域400の1辺または全ての辺に配置したパッド401の数と、パッド402の数は略同数とする。
[0330]
 さらに、第3の配置例では、対向する辺で向かい合うパッドの極性を同極性としている。ただし、対向する辺で向かい合うパッドの一部は、極性が逆極性であってもよい。
[0331]
 これにより、配線領域400には、図43のAに示した電流ループ412よりも小さい電流ループ413が生じることになる。したがって、第3の配置例は、第2の配置例に比べて、磁界の分布範囲が狭くなる。よって、第3の配置例は、第2の配置例に比べて、生じる誘導起電力と、それに基づく誘導性ノイズを小さくすることができる。
[0332]
 <Y方向の抵抗値とX方向の抵抗値とが異なる導体の例>
 図45は、導体層A及びBを構成する導体の他の例を示す平面図である。すなわち、図45は、Y方向の抵抗値とX方向の抵抗値とが異なる導体の例を示す平面図である。なお、図45のA乃至Cは、Y方向の抵抗値がX方向の抵抗値よりも小さい例を示し、図45のD乃至Fは、X方向の抵抗値がY方向の抵抗値よりも小さい例を示している。
[0333]
 図45のAは、X方向の導体幅WXとY方向の導体幅WYが等しく、X方向の間隙幅GXがY方向の間隙幅GYよりも狭い網目状導体を示している。図45のBは、X方向の導体幅WXがY方向の導体幅WYよりも広く、X方向の間隙幅GXがY方向の間隙幅GYよりも狭い網目状導体を示している。図45のCは、X方向の導体幅WXとY方向の導体幅WYが等しく、X方向の間隙幅GXがY方向の間隙幅GYと等しく、導体幅WYを有するX方向に長い部分の、導体幅WXを有するY方向に長い部分と交差しない領域に穴が設けられた網目状導体を示している。
[0334]
 図45のDは、X方向の導体幅WXとY方向の導体幅WYが等しく、X方向の間隙幅GXがY方向の間隙幅GYよりも広い網目状導体を示している。図45のEは、X方向の導体幅WXがY方向の導体幅WYよりも狭く、X方向の間隙幅GXがY方向の間隙幅GYよりも広い網目状導体を示している。図45のFは、X方向の導体幅WXとY方向の導体幅WYが等しく、X方向の間隙幅GXがY方向の間隙幅GYと等しく、導体幅WXを有するY方向に長い部分の、導体幅WYを有するX方向に長い部分と交差しない領域に穴が設けられた網目状導体を示している。
[0335]
 図42乃至図44に示した配線領域400におけるパッドの第1乃至第3の配置例は、図45のA乃至Cに示したようなY方向の抵抗値がX方向の抵抗値よりも小さく、Y方向に電流が流れ易い導体を配線領域400に形成した場合に、その導体における電圧降下(IR-Drop)を抑制する効果がある。
[0336]
 また、図42乃至図44に示した配線領域400におけるパッドの第1乃至第3の配置例は、図45のD乃至Fに示したようなX方向の抵抗値がY方向の抵抗値よりも小さく、X方向に電流が流れ易い導体を配線領域400に形成した場合に、電流がX方向に拡散し易くなり、配線領域400の辺に配置されたパッドの近傍における磁界が集中しにくくなるので、誘導性ノイズの発生を抑制できる効果が期待できる。
[0337]
<6.導体層A及びBの構成例の変形例>
 次に、上述した導体層A及びBの第1乃至第13の構成例のうちのいくつかの構成例についての変形例について説明する。
[0338]
 図46は、導体層A及びBの第2の構成例(図15)のX方向の導体周期を1/2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。なお、図46のAは導体層A及びBの第2の構成例、図46のBは導体層A及びBの第2の構成例の変形例を示している。
[0339]
 図46のCは、図46のBに示した変形例を固体撮像装置100に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、この変形例に流れる電流条件は、図13に示した場合と同様とする。図46の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
[0340]
 図46のCにおける実線L81は、図46のBに示した変形例に対応するものであり、点線L21は第2の構成例(図15)に対応するものである。実線L81と点線L21を比較して明らかなように、この変形例は、第2の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化が若干少ない。よって、この変形例は、第2の構成例に比較して誘導性ノイズを若干抑制できることがわかる。
[0341]
 図47は、導体層A及びBの第5の構成例(図26)のX方向の導体周期を1/2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。なお、図47のAは導体層A及びBの第5の構成例、図47のBは導体層A及びBの第5の構成例の変形例を示している。
[0342]
 図47のCは、図47のBに示した変形例を固体撮像装置100に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、この変形例に流れる電流条件は、図23に示した場合と同様とする。図47の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
[0343]
 図47のCにおける実線L82は、図47のBに示した変形例に対応するものであり、点線L53は第5の構成例(図26)に対応するものである。実線L82と点線L53を比較して明らかなように、この変形例は、第5の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化がとても少ない。よって、この変形例は、第5の構成例に比較して誘導性ノイズをより一層抑制できることがわかる。
[0344]
 図48は、導体層A及びBの第6の構成例(図27)のX方向の導体周期を1/2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。なお、図48のAは導体層A及びBの第6の構成例、図48のBは導体層A及びBの第6の構成例の変形例を示している。
[0345]
 図48のCは、図48のBに示した変形例を固体撮像装置100に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、この変形例に流れる電流条件は、図23に示した場合と同様とする。図48の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
[0346]
 図48のCにおける実線L83は、図48のBに示した変形例に対応するものであり、点線L54は第6の構成例(図27)に対応するものである。実線L83と点線L54を比較して明らかなように、この変形例は、第6の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化が少ない。よって、この変形例は、第6の構成例に比較して誘導性ノイズをより抑制できることがわかる。
[0347]
 図49は、導体層A及びBの第2の構成例(図15)のY方向の導体周期を1/2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。なお、図49のAは導体層A及びBの第2の構成例、図49のBは導体層A及びBの第2の構成例の変形例を示している。
[0348]
 図49のCは、図49のBに示した変形例を固体撮像装置100に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、この変形例に流れる電流条件は、図13に示した場合と同様とする。図49の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
[0349]
 図49のCにおける実線L111は、図49のBに示した変形例に対応するものであり、点線L21は第2の構成例に対応するものである。実線L111と点線L21を比較して明らかなように、この変形例は、第2の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化が若干少ない。よって、この変形例は、第2の構成例に比較して誘導性ノイズを若干抑制できることがわかる。
[0350]
 図50は、導体層A及びBの第5の構成例(図26)のY方向の導体周期を1/2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。なお、図50のAは導体層A及びBの第5の構成例、図50のBは導体層A及びBの第5の構成例の変形例を示している。
[0351]
 図50のCは、図50のBに示した変形例を固体撮像装置100に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、この変形例に流れる電流条件は、図23に示した場合と同様とする。図50の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
[0352]
 図50のCにおける実線L112は、図50のBに示した変形例に対応するものであり、点線L53は第5の構成例に対応するものである。実線L112と点線L53を比較して明らかなように、この変形例は、第5の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化がとても少ない。よって、この変形例は、第5の構成例に比較して誘導性ノイズをより一層抑制できることがわかる。
[0353]
 図51は、導体層A及びBの第6の構成例(図27)のY方向の導体周期を1/2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。なお、図51のAは導体層A及びBの第6の構成例、図51のBは導体層A及びBの第6の構成例の変形例を示している。
[0354]
 図51のCは、図51のBに示した変形例を固体撮像装置100に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、この変形例に流れる電流条件は、図23に示した場合と同様とする。図51の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
[0355]
 図51のCにおける実線L113は、図51のBに示した変形例に対応するものであり、点線L54は第6の構成例に対応するものである。実線L113と点線L54を比較して明らかなように、この変形例は、第6の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化が少ない。よって、この変形例は、第6の構成例に比較して誘導性ノイズをより抑制できることがわかる。
[0356]
 図52は、導体層A及びBの第2の構成例(図15)のX方向の導体幅を2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。なお、図52のAは導体層A及びBの第2の構成例、図52のBは導体層A及びBの第2の構成例の変形例を示している。
[0357]
 図52のCは、図52のBに示した変形例を固体撮像装置100に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、この変形例に流れる電流条件は、図13に示した場合と同様とする。図52の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
[0358]
 図52のCにおける実線L121は、図52のBに示した変形例に対応するものであり、点線L21は第2の構成例に対応するものである。実線L121と点線L21を比較して明らかなように、この変形例は、第2の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化が若干少ない。よって、この変形例は、第2の構成例に比較して誘導性ノイズを若干抑制できることがわかる。
[0359]
 図53は、導体層A及びBの第5の構成例(図26)のX方向の導体幅を2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。なお、図53のAは導体層A及びBの第5の構成例、図53のBは導体層A及びBの第5の構成例の変形例を示している。
[0360]
 図53のCは、図53のBに示した変形例を固体撮像装置100に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、この変形例に流れる電流条件は、図23に示した場合と同様とする。図53の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
[0361]
 図53のCにおける実線L122は、図53のBに示した変形例に対応するものであり、点線L53は第5の構成例に対応するものである。実線L122と点線L53を比較して明らかなように、この変形例は、第5の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化がとても少ない。よって、この変形例は、第5の構成例に比較して誘導性ノイズをより一層抑制できることがわかる。
[0362]
 図54は、導体層A及びBの第6の構成例(図27)のX方向の導体幅を2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。なお、図54のAは導体層A及びBの第6の構成例、図54のBは導体層A及びBの第6の構成例の変形例を示している。
[0363]
 図54のCは、図54のBに示した変形例を固体撮像装置100に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、この変形例に流れる電流条件は、図23に示した場合と同様とする。図54の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
[0364]
 図54のCにおける実線L123は、図54のBに示した変形例に対応するものであり、点線L54は第6の構成例に対応するものである。実線L123と点線L54を比較して明らかなように、この変形例は、第6の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化が少ない。よって、この変形例は、第6の構成例に比較して誘導性ノイズをより抑制できることがわかる。
[0365]
 図55は、導体層A及びBの第2の構成例(図15)のY方向の導体幅を2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。なお、図55のAは導体層A及びBの第2の構成例、図55のBは導体層A及びBの第2の構成例の変形例を示している。
[0366]
 図55のCは、図55のBに示した変形例を固体撮像装置100に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、この変形例に流れる電流条件は、図13に示した場合と同様とする。図55の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
[0367]
 図55のCにおける実線L131は、図55のBに示した変形例に対応するものであり、点線L21は第2の構成例に対応するものである。実線L131と点線L21を比較して明らかなように、この変形例は、第2の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化が若干少ない。よって、この変形例は、第2の構成例に比較して誘導性ノイズを若干抑制できることがわかる。
[0368]
 図56は、導体層A及びBの第5の構成例(図26)のY方向の導体幅を2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。なお、図56のAは導体層A及びBの第5の構成例、図56のBは導体層A及びBの第5の構成例の変形例を示している。
[0369]
 図56のCは、図56のBに示した変形例を固体撮像装置100に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、この変形例に流れる電流条件は、図23に示した場合と同様とする。図56の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
[0370]
 図56のCにおける実線L132は、図56のBに示した変形例に対応するものであり、点線L53は第5の構成例に対応するものである。実線L132と点線L53を比較して明らかなように、この変形例は、第5の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化がとても少ない。よって、この変形例は、第5の構成例に比較して誘導性ノイズをより一層抑制できることがわかる。
[0371]
 図57は、導体層A及びBの第6の構成例(図27)のY方向の導体幅を2倍に変形した変形例とその効果を示す図である。なお、図57のAは導体層A及びBの第6の構成例、図57のBは導体層A及びBの第6の構成例の変形例を示している。
[0372]
 図57のCは、図57のBに示した変形例を固体撮像装置100に適用した場合のシミュレーション結果として、画像に誘導性ノイズを生じさせる誘導起電力の変化を示している。なお、この変形例に流れる電流条件は、図23に示した場合と同様とする。図57の横軸は画像のX軸座標、縦軸は誘導起電力の大きさを示している。
[0373]
 図57のCにおける実線L133は、図57のBに示した変形例に対応するものであり、点線L54は第6の構成例に対応するものである。実線L133と点線L54を比較して明らかなように、この変形例は、第6の構成例に比べて、Victim導体ループに生じさせる誘導起電力の変化が少ない。よって、この変形例は、第6の構成例に比較して誘導性ノイズをより抑制できることがわかる。
[0374]
<7.網目状導体の変形例>
 次に、図58は、上述した導体層A及びBの各構成例に適用できる網目状導体の変形例を示す平面図である。
[0375]
 図58のAは、上述した導体層A及びBの各構成例に採用されている網目状導体の形状を簡略化して示したものである。上述した導体層A及びBの各構成例に採用されている網目状導体は、間隙領域が矩形であり、矩形の各間隙領域がX方向とY方向にそれぞれ直線状に配置されていた。
[0376]
 図58のBは、網目状導体の第1の変形例を簡略化して示したものである。網目状導体の第1の変形例は、間隙領域が矩形であり、各間隙領域がX方向には直線状に配置され、Y方向には段毎にずれて配置される。
[0377]
 図58のCは、網目状導体の第2の変形例を簡略化して示したものである。網目状導体の第2の変形例は、間隙領域が菱形であり、各間隙領域が斜め方向には直線状に配置される。
[0378]
 図58のDは、網目状導体の第3の変形例を簡略化して示したものである。網目状導体の第3の変形例は、間隙領域が矩形以外の円形または多角形(図58のDの場合、8角形)であり、各間隙領域がX方向とY方向にそれぞれ直線状に配置される。
[0379]
 図58のEは、網目状導体の第4の変形例を簡略化して示したものである。網目状導体の第4の変形例は、間隙領域が矩形以外の円形または多角形(図58のEの場合、8角形)であり、各間隙領域がX方向には直線状に配置され、Y方向には段毎にずれて配置される。
[0380]
 図58のFは、網目状導体の第5の変形例を簡略化して示したものである。網目状導体の第5の変形例は、間隙領域が矩形以外の円形または多角形(図58のFの場合、8角形)であり、各間隙領域が斜め方向に直線状に配置される。
[0381]
 なお、導体層A及びBの各構成例に適用できる網目状導体の形状は、図58に示した変形例に限らず、網目状であればよい。
[0382]
<8.様々な効果>
 <レイアウト設計自由度の向上>
 上述したように、導体層A及びBの各構成例では、面状導体または網目状導体を採用している。一般に、網目状導体(格子状導体)は、X方向およびY方向に対して周期的な配線構造を有している。よって、周期構造の単位(1周期分)となる基本周期構造を有する網目状導体を設計すれば、その基本周期構造をX方向やY方向に繰り返して配置することにより、直線状導体を用いる場合に比較して、簡単に配線のレイアウトが設計できる。換言すると、網目状導体を用いた場合、直線状導体を用いるよりもレイアウト自由度が向上する。したがって、レイアウト設計に要する工数や時間や費用を圧縮できる。
[0383]
 図59は、所定の条件を満たす回路配線のレイアウトを、直線状導体を用いて設計する場合の設計工数と、網目状導体(格子状導体)を用いて設計する場合の設計工数とをシミュレーションした結果を示す図である。
[0384]
 図59の場合、直線状導体を用いて設計する場合の設計工数を100%とすれば、網目状導体(格子状導体)を用いて設計するときの設計工数は40%程度となり、大幅に設計工数を減らすことができることがわかる。
[0385]
 <電圧降下(IR-drop)の低減>
 図60は、XY平面に配置された同じ材質であって形状が異なる導体に対して同じ条件でDC電流をY方向に流した場合における電圧変化を示す図である。
[0386]
 図60のAは直線状導体、図60のBは網目状導体、図60のCは面状導体のそれぞれに対応し、色の濃淡が電圧を表している。図60のA,B,Cを比較すると、電圧変化は、直線状導体が最も大きく、次に網目状導体、面状導体の順であることがわかる。
[0387]
 図61は、図60のAに示した直線状導体の電圧降下を100%として、網目状導体と面状導体の電圧降下を相対的にグラフ化して示す図である。
[0388]
 図61からも明らかなように、面状導体および網目状導体は、直線状導体に比較して、半導体装置の駆動にとって致命的な障害となり得る電圧降下(IR-Drop)を低減できることがわかる。
[0389]
 ただし、現在の半導体基板の加工プロセスでは、面状導体を製造できない場合が多いことが知られている。よって、導体層A及びBには、ともに網目状導体を用いる構成例を採用することが現実的である。ただし、半導体基板の加工プロセスが進化して面状導体を製造できるようになった場合には、その限りではない。メタル層の中でも最上層メタルや最下層メタルについては、面状導体を製造できる場合もある。
[0390]
 <容量性ノイズの低減>
 導体層A及びBを形成する導体(面状導体または網目状導体)は、信号線132および制御線133から成るVictim導体ループに対して誘導性ノイズだけでなく、容量性ノイズを生じさせることが考えられる。
[0391]
 ここで、容量性ノイズとは、導体層A及びBを形成する導体に電圧が印加された場合に、その導体と信号線132や制御線133との間の容量結合によって、信号線132や制御線133に電圧が発生し、さらに、印加電圧が変化することにより、信号線132や制御線133に電圧ノイズが生じることを指す。この電圧ノイズは、画素信号のノイズとなる。
[0392]
 容量性ノイズの大きさは、導体層A及びBを形成する導体と、信号線132や制御線133等の配線との間の静電容量や電圧にほぼ比例すると考えられる。静電容量については、2枚の導体(一方が導体、他方が配線でもよい)の重なり合う面積がSであり、2枚の導体の間隔がdで平行に配置され、導体の間に誘電率εの誘電体が均一に充てんされている場合、2枚の導体間の静電容量C=ε*S/dである。したがって、2枚の導体の重なり合う面積Sが広いほど、容量性ノイズは大きくなることがわかる。
[0393]
 図62は、XY平面に配置された同じ材質であって形状が異なる導体と、他の導体(配線)との静電容量の違いを説明するための図である。
[0394]
 図62のAは、Y方向に長い直線状導体と、その直線状導体とZ方向に間隔を空けてY方向に直線状に形成されている配線501,502(信号線132や制御線133に相当する)を示している。ただし、配線501は、その全体が直線状導体の導体領域と重なり合うが、配線502は、その全体が直線状導体の間隙領域と重なり合い、導体領域と重なり合う面積を有していない。
[0395]
 図62のBは、網目状導体と、その網目状導体とZ方向に間隔を空けてY方向に直線状に形成されている配線501,502を示している。ただし、配線501は、その全体が網目状導体の導体領域と重なり合うが、配線502は、その略半分が網目状導体の導体領域と重なり合う。
[0396]
 図62のCは、面状導体と、その面状導体とZ方向に間隔を空けてY方向に直線状に形成されている配線501,502を示している。ただし、配線501,502は、その全体が面状導体の導の領域と重なり合う。
[0397]
 図62のA,B,Cにおける導体(直線状導体、網目状導体、または面状導体)と配線501の静電容量と、導体(直線状導体、網目状導体、または面状導体)と配線502の静電容量との差分を比較した場合、直線状導体が最も大きく、次に、網目状導体、面状導体の順となる。
[0398]
 すなわち、直線状導体では、配線のXY座標の違いによる、直線状導体と配線との静電容量の差が大きく、容量性ノイズの発生も大きく異なることになる。よって、画像においては視認性が高い画素信号のノイズになる可能性が有る。
[0399]
 これに対して、網目状導体や面状導体では、直線状導体に比較して、配線のXY座標の違いによる、導体と配線との静電容量の差が小さいので、容量性ノイズの発生をより小さくすることができる。よって、容量性ノイズに起因する画素信号のノイズを抑制することができる。
[0400]
 <放射性ノイズの低減>
 上述したように、導体層A及びBの各構成例のうち、第1の構成例以外の構成例では、網目状導体を用いている。網目状導体には、放射性ノイズを低減する効果が期待できる。ここで、放射性ノイズは、固体撮像装置100の内部から外部への放射性ノイズ(不要輻射)と、固体撮像装置100の外部から内部への放射性ノイズ(伝達されるノイズ)を含むものとする。
[0401]
 固体撮像装置100の外部から内部への放射性ノイズは、信号線132等における電圧ノイズや画素信号のノイズを発生させ得るので、導体層A及びBの少なくとも一方に網目状導体を用いた構成例を採用した場合、電圧ノイズや画素信号のノイズを抑制する効果を期待できる。
[0402]
 網目状導体の導体周期は、網目状導体が低減できる放射性ノイズの周波数帯に影響するので、導体層A及びBのそれぞれに導体周期が異なる網目状導体を用いた場合、導体層A及びBに同じ導体周波数の網目状導体を用いた場合に比べて、より広い周波数帯の放射性ノイズを低減させることができる。
[0403]
 なお、上述した効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、他の効果があってもよい。
[0404]
<9.引き出し部が異なる構成例>
 ところで、例えば、導体層Aである配線層165Aまたは導体層Bである配線層165Bがパッド401または402に接続される場合には、図42乃至図44に示したように、パッド401または402に接続するための配線引出部が設けられる。配線引出し部は、通常、パッドのサイズに合わせて、配線幅が狭く形成される。
[0405]
 そこで、例えば、配線層165A(導体層A)を、図63のAに示されるように、主導体部165Aaと、引出し導体部165Abとに分けて考える。主導体部165Aaは、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光するとともに、誘導性ノイズの発生を抑止することを主目的とする部分であり、引出し導体部165Abよりも広い面積を有する。引出し導体部165Abは、主導体部165Aaとパッド402とを接続し、GNDやマイナス電源(Vss)等の所定の電圧を主導体部165Aaに供給することを主目的とする部分である。引出し導体部165Abは、X方向(第1の方向)またはY方向(第2の方向)の少なくとも一方の長さ(幅)が、主導体部165Aaの長さ(幅)よりも短く(狭く)なっている。図63のAにおいて一点鎖線で示される主導体部165Aaと引出し導体部165Abとの接続部分を、接合部と称する。
[0406]
 同様に、配線層165B(導体層B)を、図63のBに示されるように、主導体部165Baと、引出し導体部165Bbとに分けて考える。主導体部165Baは、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光するとともに、誘導性ノイズの発生を抑止することを主目的とする部分であり、引出し導体部165Bbよりも広い面積を有する。引出し導体部165Bbは、主導体部165Baとパッド401とを接続し、プラス電源(Vdd)等の所定の電圧を主導体部165Baに供給することを主目的とする部分である。引出し導体部165Bbは、X方向(第1の方向)またはY方向(第2の方向)の少なくとも一方の長さ(幅)が、主導体部165Baの長さ(幅)よりも短く(狭く)なっている。図63のBにおいて一点鎖線で示される主導体部165Baと引出し導体部165Bbとの接続部分を、接合部と称する。
[0407]
 なお、配線層165A(導体層A)と配線層165B(導体層B)を区別することなく、主導体部165Aaと主導体部165Baを総称する場合、および、引出し導体部165Abと引出し導体部165Bbを総称する場合には、それぞれ、主導体部165aと引出し導体部165bのように称する。
[0408]
 図63では、理解を容易にするため、引出し導体部165Abおよび引出し導体部165Bbは、パッド401または402に接続されることを前提として説明したが、必ずしもパッド401または402に接続される必要はなく、他の配線または電極と接続されればよい。
[0409]
 また、図63では、パッド401とパッド402が、略同一な形状で、略同一な位置に配置される例を示したがこの限りではない。例えば、パッド401とパッド402とが、互いに異なる形状であってもよく、互いに異なる位置に配置されていてもよい。また、パッド401とパッド402とが、図63で示した一例よりも小さい寸法で構成されていてもよく、配線層165Aでは互いに接触ないように構成されていてもよく、配線層165Bでは互いに接触ないように構成されていてもよく、複数設けられていてもよい。
[0410]
 さらに、主導体部165Aaと引出し導体部165Abとで、Y方向の端部位置が略一致している例を図63で示したがこの限りではない。例えば、主導体部165Aaと引出し導体部165Abとで、端部位置が一致しないように構成されていてもよい。同様に、主導体部165Baと引出し導体部165Bbとで、Y方向の端部位置が略一致している例を図63で示したがこの限りではない。例えば、主導体部165Baと引出し導体部165Bbとで、端部位置が一致しないように構成されていてもよい。これらの主導体部165aと引出し導体部165bの形状および位置、パッド401および402との関係については、以下で説明する各構成例についても同様である。
[0411]
 上述した第1乃至第13の構成例では、配線層165Aについて、主導体部165Aaと引出し導体部165Abとを特に区別することなく、主導体部165Aaと引出し導体部165Abの両方が、面状導体や網目状導体等の同一の配線パタンで形成されていた。
[0412]
 配線層165Bについても、主導体部165Baと引出し導体部165Bbとを特に区別することなく、主導体部165Baと引出し導体部165Bbの両方が、面状導体や網目状導体等の同一の配線パタンで形成されていた。
[0413]
 図64は、上述した第1乃至第13の構成例の一例として、図36に示した第11の構成例を、異なる配線パタンを用いて配線層165Aおよび配線層165Bに適用した例を示している。
[0414]
 図64のAは導体層A(配線層165A)を、図64のBは導体層B(配線層165B)を示している。図64における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0415]
 図36に示した第11の構成例では、図36のAに示した導体層Aの網目状導体311は、X方向における導体幅WXAが間隙幅GXAよりも広い形状の例であったが、図64のAの導体層Aの網目状導体811は、X方向における導体幅WXAが間隙幅GXAよりも狭い形状となっている。また、Y方向については、図36のAに示した網目状導体311は、導体幅WYAが間隙幅GYAよりも狭い形状の例であったが、図64のAの導体層Aの網目状導体811は、導体幅WYAが間隙幅GYAよりも広い形状となっている。図36のAに示した導体層Aの網目状導体311は、導体幅WYAと導体幅WXAとが略同一な形状の例であったが、図64のAの導体層Aの網目状導体811は、導体幅WYAが導体幅WXAよりも広い形状となっている。そして、図64のAの導体層Aの網目状導体811は、主導体部165Aaと引出し導体部165Abのいずれにおいても、X方向については導体周期FXAで同一パタンが周期的に配置されており、Y方向については、導体周期FYAで同一パタンが周期的に配置されている。
[0416]
 導体層Bについては、図64のBの導体層Bの網目状導体812の、X方向における導体幅WXBに対する間隙幅GXBの比(間隙幅GXB/導体幅WXB)が、図36のBに示した導体層Bの網目状導体312の、X方向における導体幅WXBに対する間隙幅GXBの比(間隙幅GXB/導体幅WXB)よりも大きな形状となっている。換言すれば、図64のBの導体層Bの網目状導体812では、導体幅WXBと間隙幅GXBとの差が、図36のBに示した導体層Bの網目状導体312よりも大きくなっている。Y方向については、図64のBの導体層Bの網目状導体812の導体幅WYBに対する間隙幅GYBの比(間隙幅GYB/導体幅WYB)が、図36のBに示した導体層Bの網目状導体312の導体幅WYBに対する間隙幅GYBの比(間隙幅GYB/導体幅WYB)よりも小さくなっている。図36のBに示した導体層Bの網目状導体312は、導体幅WYBと導体幅WXBとが略同一な形状の例であったが、図64のBの導体層Bの網目状導体812は、導体幅WYBが導体幅WXBよりも広い形状となっている。そして、図64のBの導体層Bの網目状導体812は、主導体部165Baと引出し導体部165Bbのいずれにおいても、X方向については導体周期FXBで同一パタンが周期的に配置されており、Y方向については、導体周期FYBで同一パタンが周期的に配置されている。
[0417]
 図64のCは、図64のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBを導体層A側(フォトダイオード141側)から見た状態を示している。図64のCでは、導体層Aと重なって隠れる導体層Bの領域は示されていない。
[0418]
 図64のCに示されるように、第11の構成例の場合、導体層Aまたは導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群167が覆われることになるので、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光することができるとともに、誘導性ノイズの発生を抑えることができる。
[0419]
 このように、上述した第1乃至第13の構成例は、配線層165A(導体層A)について、主導体部165Aaと引出し導体部165Abとを、特に区別することなく、同一の配線パタンで形成し、配線層165B(導体層B)についても、主導体部165Baと引出し導体部165Bbとを、特に区別することなく、同一の配線パタンで形成した例であった。
[0420]
 しかしながら、引出し導体部165bは、主導体部165aよりも小さい面積で形成されるため、電流が集中する部分であり、配線抵抗を小さくしたり、主導体部165aにおいて電流が拡散しやすい構成にすることが望ましい。
[0421]
 そこで、以下では、配線層165A(導体層A)のうち、引出し導体部165Abの配線パタンを主導体部165Aaと異なる配線パタンにし、配線層165B(導体層B)についても、引出し導体部165Bbの配線パタンを主導体部165Baと異なる配線パタンにした構成例について説明する。
[0422]
 <第14の構成例>
 図65は、導体層A及びBの第14の構成例を示している。なお、図65のAは導体層Aを、図65のBは導体層Bを示している。図65における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0423]
 第14の構成例における導体層Aは、図65のAに示されるように、主導体部165Aaの網目状導体821Aaと、引出し導体部165Abの網目状導体821Abとからなる。網目状導体821Aaと網目状導体821Abは、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。
[0424]
 主導体部165Aaの網目状導体821Aaは、X方向においては、導体幅WXAaおよび間隙幅GXAaを有し、導体周期FXAaで同一パタンが周期的に配置されて構成され、Y方向においては、導体幅WYAaおよび間隙幅GYAaを有し、導体周期FYAaで同一パタンが周期的に配置されて構成されている。したがって、網目状導体821Aaは、X方向またはY方向の少なくとも一方において、所定の基本パタンが導体周期で繰り返し配列される繰り返しパタンを含む形状である。
[0425]
 引出し導体部165Abの網目状導体821Abは、X方向においては、導体幅WXAbおよび間隙幅GXAbを有し、導体周期FXAbで同一パタンが周期的に配置されて構成され、Y方向においては、導体幅WYAbおよび間隙幅GYAbを有する。したがって、網目状導体821Abは、X方向またはY方向の少なくとも一方において、所定の基本パタンが導体周期で繰り返し配列される繰り返しパタンを含む形状である。
[0426]
 また、主導体部165Aaの網目状導体821Aaと、引出し導体部165Abの網目状導体821Abの、対応する導体幅WXA、間隙幅GXA、導体幅WYA、および、間隙幅GYAどうしを比較すると、少なくとも一つは異なる値となっており、引出し導体部165Abの網目状導体821Abの繰り返しパタンは、主導体部165Aaの網目状導体821Aaの繰り返しパタンと異なるパタンである。
[0427]
 主導体部165Aaの網目状導体821AaのY方向の全長LAaと、引出し導体部165Abの網目状導体821AbのY方向の全長LAbとを比較すると、網目状導体821Aaの全長LAaは、網目状導体821Abの全長LAbよりも長い。したがって、引出し導体部165Abの網目状導体821Abは、主導体部165Aaの網目状導体821Aaよりも局所的に電流が集中するため、電圧降下(特にIR-Drop)が大きい。
[0428]
 ここで、引出し導体部165Abの網目状導体821Abの繰り返しパタンは、主導体部165Aaに向かうX方向を第1の方向として、少なくとも第1の方向に電流が流れる形状であり、第1の方向に直交する第2の方向(Y方向)の導体幅(配線幅)WYAbは、主導体部165Aaの網目状導体821Aaの第2の方向の導体幅(配線幅)WYAaよりも大きく形成されている。これにより、電流集中箇所である引出し導体部165Abの網目状導体821Abの配線抵抗を小さくできるため、電圧降下をさらに改善することができる。なお、導体幅WYAbが導体幅WYAaよりも大きい例を用いて説明したがこの限りではなく、例えば導体幅WXAbが導体幅WXAaよりも大きく形成されていてもよい。これにより、網目状導体821Abの配線抵抗を小さくできるため、電圧降下をさらに改善することができる。
[0429]
 また、主導体部165Aaの網目状導体821Aaの少なくとも一部は、X方向(第1の方向)よりもY方向(第2の方向)に電流が流れやすいパタン(形状)となっている。具体的には、配線幅(導体幅WXAa、導体幅WYAa)、配線間隔(間隙幅GXAa、間隙幅GYAa)の少なくとも一方が異なることにより、X方向よりもY方向の配線抵抗が小さく形成されている。これにより、網目状導体821Abの全長LAbよりも長い全長LAaを有する主導体部165Aaにおいて、Y方向へ電流が拡散しやすくなるので、主導体部165Aaと引出し導体部165Abの接合部周辺における電極集中を緩和でき、誘導性ノイズをさらに改善することができる。
[0430]
 第14の構成例における導体層Bは、図65のBに示されるように、主導体部165Baの網目状導体822Baと、引出し導体部165Bbの網目状導体822Bbとからなる。網目状導体822Baと網目状導体822Bbは、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。
[0431]
 主導体部165Baの網目状導体822Baは、X方向においては、導体幅WXBaおよび間隙幅GXBaを有し、導体周期FXBaで同一パタンが周期的に配置されて構成され、Y方向においては、導体幅WYBaおよび間隙幅GYBaを有し、導体周期FYBaで同一パタンが周期的に配置されて構成されている。したがって、網目状導体822Baは、X方向またはY方向の少なくとも一方において、所定の基本パタンが導体周期で繰り返し配列される繰り返しパタンを含む形状である。
[0432]
 引出し導体部165Bbの網目状導体822Bbは、X方向においては、導体幅WXBbおよび間隙幅GXBbを有し、導体周期FXBbで同一パタンが周期的に配置されて構成され、Y方向においては、導体幅WYBbおよび間隙幅GYBbを有する。したがって、網目状導体822Bbは、X方向またはY方向の少なくとも一方において、所定の基本パタンが導体周期で繰り返し配列される繰り返しパタンを含む形状である。
[0433]
 また、主導体部165Baの網目状導体822Baと、引出し導体部165Bbの網目状導体822Bbの、対応する導体幅WXB、間隙幅GXB、導体幅WYB、および、間隙幅GYBどうしを比較すると、少なくとも一つは異なる値となっており、引出し導体部165Bbの網目状導体822Bbの繰り返しパタンは、主導体部165Baの網目状導体822Baの繰り返しパタンと異なるパタンである。
[0434]
 主導体部165Baの網目状導体822BaのY方向の全長LBaと、引出し導体部165Bbの網目状導体822BbのY方向の全長LBbとを比較すると、網目状導体822Baの全長LBaは、網目状導体822Bbの全長LBbよりも長い。したがって、引出し導体部165Bbの網目状導体822Bbは、主導体部165Baの網目状導体822Baよりも局所的に電流が集中するため、電圧降下(特にIR-Drop)が大きい。
[0435]
 ここで、引出し導体部165Bbの網目状導体822Bbの繰り返しパタンは、主導体部165Baに向かうX方向を第1の方向として、少なくとも第1の方向に電流が流れる形状であり、第1の方向に直交する第2の方向(Y方向)の導体幅(配線幅)WYBbは、主導体部165Baの網目状導体822Baの第2の方向の導体幅(配線幅)WYBaよりも大きく形成されている。これにより、電流集中箇所である引出し導体部165Bbの網目状導体822Bbの配線抵抗を小さくできるため、電圧降下をさらに改善することができる。なお、導体幅WYBbが導体幅WYBaよりも大きい例を用いて説明したがこの限りではなく、例えば導体幅WXBbが導体幅WXBaよりも大きく形成されていてもよい。これにより、網目状導体822Bbの配線抵抗を小さくできるため、電圧降下をさらに改善することができる。
[0436]
 また、主導体部165Baの網目状導体822Baの少なくとも一部は、X方向(第1の方向)よりもY方向(第2の方向)に電流が流れやすいパタン(形状)となっている。具体的には、配線幅(導体幅WXBa、導体幅WYBa)、配線間隔(間隙幅GXBa、間隙幅GYBa)の少なくとも一方が異なることにより、X方向よりもY方向の配線抵抗が小さく形成されている。これにより、網目状導体822Bbの全長LBbよりも長い全長LBaを有する主導体部165Baにおいて、Y方向へ電流が拡散しやすくなるので、主導体部165Baと引出し導体部165Bbの接合部周辺における電極集中を緩和でき、誘導性ノイズをさらに改善することができる。
[0437]
 以上のように、第14の構成例によれば、配線層165A(導体層A)において、引出し導体部165Abの網目状導体821Abの繰り返しパタンを、主導体部165Aaの網目状導体821Aaの繰り返しパタンと異なるパタンで形成し、主導体部165Aaと引出し導体部165Abとを電気的に接続することにより、引出し導体部165Abの配線抵抗を小さくし、電圧降下をさらに改善することができる。配線層165B(導体層B)についても、引出し導体部165Bbの網目状導体822Bbの繰り返しパタンを、主導体部165Baの網目状導体822Baの繰り返しパタンと異なるパタンで形成し、主導体部165Baと引出し導体部165Bbとを電気的に接続することにより、引出し導体部165Bbの配線抵抗を小さくし、電圧降下をさらに改善することができる。
[0438]
 また、図65のCに示されるように、導体層Aと導体層Bを重ねた状態では、導体層Aと導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群167が覆われる。すなわち、配線層165Aの主導体部165Aaと配線層165Bの主導体部165Baとは遮光構造を成し、配線層165Aの引出し導体部165Abと配線層165Bの引出し導体部165Bbとは遮光構造を成している。これにより、上述した第1乃至第13の構成例と同様に、第14の構成例においても、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光することができる。
[0439]
 <第14の構成例の変形例>
 図66乃至図68は、第14の構成例の第1乃至第3変形例を示している。なお、図66乃至図68のA乃至Cは、図65のA乃至Cにそれぞれ対応し、同一の符号を付してあるので、共通する部分の説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。
[0440]
 図65に示した第14の構成例では、配線層165A(導体層A)において、主導体部165Aaと引出し導体部165Abとの接合部は、主導体部165Aaの外周を囲む矩形の辺上に配置されていたが、これに限られない。
[0441]
 例えば、図66のAに示されるように、引出し導体部165Abの網目状導体821Abが、主導体部165Aaの外周を囲む矩形の内側に入り込むように、主導体部165Aaと引出し導体部165Abが接続されてもよい。
[0442]
 また例えば、図67のAおよび図68のAに示されるように、引出し導体部165Abの網目状導体821Abの主導体部165Aaに向かって伸びる導体幅WYAbの複数の配線のうち、一部の配線のみが、主導体部165Aaの外周を囲む矩形の内側に入り込むように、主導体部165Aaと引出し導体部165Abが接続されてもよい。図67のAの引出し導体部165Abの網目状導体821Abは、導体幅WYAbの2本の配線のうち、上側の配線が、主導体部165Aaの外周を囲む矩形の内側に入り込むように伸びており、図68のAの引出し導体部165Abの網目状導体821Abは、下側の配線が、主導体部165Aaの外周を囲む矩形の内側に入り込むように伸びている。
[0443]
 配線層165B(導体層B)についても同様である。すなわち、図65に示した第14の構成例では、主導体部165Baと引出し導体部165Bbとの接合部は、主導体部165Baの外周を囲む矩形の辺上に配置されていたが、これに限られない。
[0444]
 例えば、図66のBに示されるように、引出し導体部165Bbの網目状導体822Bbが、主導体部165Baの外周を囲む矩形の内側に入り込むように、主導体部165Baと引出し導体部165Bbが接続されてもよい。
[0445]
 また例えば、図67のBおよび図68のBに示されるように、引出し導体部165Bbの網目状導体822Bbの主導体部165Baに向かって伸びる導体幅WYBbの複数の配線のうち、一部の配線のみが、主導体部165Baの外周を囲む矩形の内側に入り込むように、主導体部165Baと引出し導体部165Bbが接続されてもよい。図67のBの引出し導体部165Bbの網目状導体822Bbは、導体幅WYBbの2本の配線のうち、上側の配線が、主導体部165Baの外周を囲む矩形の内側に入り込むように伸びており、図68のBの引出し導体部165Bbの網目状導体822Bbは、下側の配線が、主導体部165Baの外周を囲む矩形の内側に入り込むように伸びている。
[0446]
 図66乃至図68のように、主導体部165aと引出し導体部165bとの接続する部分の形状は、複雑に構成されていてもよい。
[0447]
 図66乃至図68に示した第14の構成例の第1乃至第3変形例は、引出し導体部165Abの網目状導体821Abが、主導体部165Aaの外周を囲む矩形の内側に入り込むように、主導体部165Aaと引出し導体部165Abが接続されていたが、主導体部165Aaの網目状導体821Aaが、主導体部165Aaの外周を囲む矩形の外側に張り出し、引出し導体部165Ab側へ入り込んでもよい。また、主導体部165Baの網目状導体822Baが、主導体部165Baの外周を囲む矩形の外側に張り出し、引出し導体部165Bb側へ入り込んでもよい。
[0448]
 <第15の構成例>
 図69は、導体層A及びBの第15の構成例を示している。なお、図69のAは導体層Aを、図69のBは導体層Bを示している。図69における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0449]
 第15の構成例における導体層Aは、図69のAに示されるように、主導体部165Aaの網目状導体831Aaと、引出し導体部165Abの網目状導体831Abとからなる。網目状導体831Aaと網目状導体831Abは、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。
[0450]
 主導体部165Aaの網目状導体831Aaは、図65に示した第14の構成例における主導体部165Aaの網目状導体821Aaと同様である。一方、引出し導体部165Abの網目状導体831Abは、図65に示した第14の構成例における引出し導体部165Abの網目状導体821Abと異なる。
[0451]
 具体的には、引出し導体部165Abの網目状導体831AbのY方向の間隙幅GYAbが、主導体部165Aaの網目状導体831AaのY方向の間隙幅GYAaよりも小さく形成されている。図65に示した第14の構成例では、引出し導体部165Abの網目状導体821AbのY方向の間隙幅GYAbは、主導体部165Aaの網目状導体821AaのY方向の間隙幅GYAaと同一である。
[0452]
 このように、引出し導体部165Abの網目状導体831AbのY方向の間隙幅GYAbを、主導体部165Aaの網目状導体831AaのY方向の間隙幅GYAaよりも小さく形成することにより、電流集中箇所である引出し導体部165Abの網目状導体831Abの配線抵抗を小さくできるため、電圧降下をさらに改善することができる。なお、間隙幅GYAbが間隙幅GYAaよりも小さい例を用いて説明したがこの限りではなく、例えば間隙幅GXAbが間隙幅GXAaよりも小さく形成されていてもよい。これにより、網目状導体831Abの配線抵抗を小さくできるため、電圧降下をさらに改善することができる。
[0453]
 第15の構成例における導体層Bは、図69のBに示されるように、主導体部165Baの網目状導体832Baと、引出し導体部165Bbの網目状導体832Bbとからなる。網目状導体832Baと網目状導体832Bbは、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。
[0454]
 主導体部165Baの網目状導体832Baは、図65に示した第14の構成例における主導体部165Baの網目状導体822Baと同様である。一方、引出し導体部165Bbの網目状導体832Bbは、図65に示した第14の構成例における引出し導体部165Bbの網目状導体822Bbと異なる。
[0455]
 具体的には、引出し導体部165Bbの網目状導体832BbのY方向の間隙幅GYBbが、主導体部165Baの網目状導体832BaのY方向の間隙幅GYBaよりも小さく形成されている。図65に示した第14の構成例では、引出し導体部165Bbの網目状導体822BbのY方向の間隙幅GYBbは、主導体部165Baの網目状導体822Baの第2の方向の間隙幅GYBaと同一である。
[0456]
 このように、引出し導体部165Bbの網目状導体832BbのY方向の間隙幅GYBbを、主導体部165Baの網目状導体832BaのY方向の間隙幅GYBaよりも小さく形成することにより、電流集中箇所である引出し導体部165Bbの網目状導体832Bbの配線抵抗を小さくできるため、電圧降下をさらに改善することができる。なお、間隙幅GYBbが間隙幅GYBaよりも小さい例を用いて説明したがこの限りではなく、例えば間隙幅GXBbが間隙幅GXBaよりも小さく形成されていてもよい。これにより、網目状導体832Bbの配線抵抗を小さくできるため、電圧降下をさらに改善することができる。
[0457]
 また、図69のCに示されるように、導体層Aと導体層Bを重ねた状態では、導体層Aと導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群167が覆われる。すなわち、配線層165Aの主導体部165Aaと配線層165Bの主導体部165Baとは遮光構造を成し、配線層165Aの引出し導体部165Abと配線層165Bの引出し導体部165Bbとは遮光構造を成している。これにより、第15の構成例においても、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光することができる。
[0458]
 <第15の構成例の第1変形例>
 図70は、第15の構成例の第1変形例を示している。なお、図70のAは導体層Aを、図70のBは導体層Bを示している。図70のCは、図70のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBを導体層A側から見た状態を示している。図70における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0459]
 第15の構成例の第1変形例では、配線層165Aの引出し導体部165AbのY方向の全ての間隙幅GYAbが均等でない点が、図69に示した第15の構成例と異なる。具体的には、図70のAに示されるように、配線層165Aの引出し導体部165Abの網目状導体831Abは、小さい間隙幅GYAb1と、大きい間隙幅GYAb2の2種類の間隙幅GYAbを有する。
[0460]
 また、配線層165Bの引出し導体部165BbのY方向の全ての間隙幅GYBbが均等でない点が、図69に示した第15の構成例と異なる。具体的には、図70のBに示されるように、配線層165Bの引出し導体部165Bbの網目状導体832Bbは、小さい間隙幅GYBb1と、大きい間隙幅GYBb2の2種類の間隙幅GYBbを有する。
[0461]
 第15の構成例の第1変形例においても、図70のCに示されるように、導体層Aと導体層Bを重ねた状態では、配線層165Aの引出し導体部165Abと配線層165Bの引出し導体部165Bbとは遮光構造を成している。
[0462]
 <第15の構成例の第2変形例>
 図71は、第15の構成例の第2変形例を示している。なお、図71のAは導体層Aを、図71のBは導体層Bを示している。図71のCは、図71のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBを導体層A側から見た状態を示している。図71における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0463]
 第15の構成例の第2変形例では、配線層165Aの引出し導体部165AbのY方向の全ての導体幅WYAbが均等でない点が、図69に示した第15の構成例と異なる。具体的には、図71のAに示されるように、配線層165Aの引出し導体部165Abの網目状導体831Abは、小さい導体幅WYAb1と、大きい導体幅WYAb2の2種類の導体幅WYAbを有する。
[0464]
 また、配線層165Bの引出し導体部165BbのY方向の全ての導体幅WYBbが均等でない点が、図69に示した第15の構成例と異なる。具体的には、図71のBに示されるように、配線層165Bの引出し導体部165Bbの網目状導体832Bbは、小さい導体幅WYBb1と、大きい導体幅WYBb2の2種類の導体幅WYBbを有する。
[0465]
 第15の構成例の第2変形例においても、図71のCに示されるように、導体層Aと導体層Bを重ねた状態では、配線層165Aの引出し導体部165Abと配線層165Bの引出し導体部165Bbとは遮光構造を成している。
[0466]
 第15の構成例の第1変形例および第2変形例のように、配線層165Aの引出し導体部165Abの間隙幅GYAbまたは導体幅WYAb、配線層165Bの引出し導体部165Bbの間隙幅GYBbまたは導体幅WYBbを不均一にすることで、配線の自由度を高めることができる。各導体層では、一般的に導体領域の占有率に関する制約があるが、配線の自由度が高まることで、占有率の制約内で、引出し導体部165Abおよび165Bbの配線抵抗を、最大限に小さくできるため、電圧降下をさらに改善することができる。なお、全ての間隙幅GYAbが均等でない例と、全ての間隙幅GYBbが均等でない例と、全ての導体幅WYAbが均等でない例と、全ての導体幅WYBbが均等でない例とを用いて説明したが、この限りではない。例えば、X方向の全ての間隙幅GXAb、X方向の全ての間隙幅GXBb、X方向の全ての導体幅WXAb、または、X方向の全ての導体幅WXBbが、均等でないように構成されていてもよい。これらの場合にも配線の自由度を高めることができるため、上記と同様の理由で電圧降下をさらに改善することができる。
[0467]
 <第16の構成例>
 図72は、導体層A及びBの第16の構成例を示している。なお、図72のAは導体層Aを、図72のBは導体層Bを示している。図72における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0468]
 図72のAに示される第16の構成例の導体層Aは、図65に示した第14の構成例の導体層Aと同様であるので、説明は省略する。
[0469]
 図72のBに示される第16の構成例の導体層Bは、図65に示した第14の構成例の導体層Bに、中継導体841がさらに追加された構成を有する。より詳しくは、主導体部165Baは、網目状導体822Baと複数の中継導体841で構成され、引出し導体部165Bbは、第14の構成例と同様の網目状導体822Bbからなる。
[0470]
 主導体部165Baにおいて、中継導体841は、網目状導体822Baの導体ではないY方向に長い長方形の間隙領域に配置されて、網目状導体822Baと電気的に絶縁されており、例えば、導体層Aの網目状導体821Aaが接続されたVss配線に接続される。中継導体841は、網目状導体822Baの間隙領域内に、1または複数個配置される。図72のBは、2行1列の配置で計2個の中継導体841が網目状導体822Baの間隙領域内に配置された例を示している。
[0471]
 図72のBでは、主導体部165Baの全領域のうち、網目状導体822Baの一部の間隙領域内のみに中継導体841を配置している。
[0472]
 しかしながら、主導体部165Baの全領域の間隙領域内に、中継導体841を配置してもよい。また、第16の構成例の導体層Bは、引出し導体部165Bbの網目状導体822Bbの間隙領域内には、中継導体841を配置していないが、網目状導体822Bbの間隙領域内にも、中継導体841を配置してもよい。
[0473]
 <第16の構成例の第1変形例>
 図73は、第16の構成例の第1変形例を示している。
[0474]
 図73の第16の構成例の第1変形例では、導体層Bの主導体部165Baの全領域の間隙領域内に、中継導体841が配置されるとともに、引出し導体部165Bbの網目状導体822Bbの間隙領域内にも、中継導体841が配置されている。図73の第1変形例におけるその他の構成は、図72に示した第16の構成例と同様である。
[0475]
 <第16の構成例の第2変形例>
 図74は、第16の構成例の第2変形例を示している。
[0476]
 図74の第16の構成例の第2変形例は、導体層Bの主導体部165Baの全領域の間隙領域内に、中継導体841を配置した点で、第1変形例と同様である。一方、第16の構成例の第2変形例は、引出し導体部165Bbの網目状導体822Bbの間隙領域内に、中継導体841と異なる中継導体842が配置されている点で、第1変形例と異なる。図74の第2変形例におけるその他の構成は、図72に示した第16の構成例と同様である。
[0477]
 第2変形例のように、導体層Bの主導体部165Baの網目状導体822Baの間隙領域内に配置される中継導体841と、引出し導体部165Bbの網目状導体822Bbの間隙領域内に配置される中継導体842とは、個数や形状が異なっていてもよい。
[0478]
 図72に示した第16の構成例の導体層Bのように、引出し導体部165Bbの網目状導体822Bbの間隙領域内に、中継導体841を配置しない場合には、配線(網目状導体822Bb)の自由度を高めることができる。各導体層では、一般的に導体領域の占有率に関する制約があるが、配線の自由度が高まることで、占有率の制約内で、引出し導体部165Bbの配線抵抗を、最大限に小さくできるため、電圧降下をさらに改善することができる。
[0479]
 一方、引出し導体部165Bbの網目状導体822Bbの間隙領域内に、中継導体841または中継導体842等を配置した場合には、引出し導体部165Bbの領域内や、引出し導体部165Bbと同じ平面位置の上下層に、MOSトランジスタやダイオード等の能動素子を配置する場合に、電圧降下をさらに改善することができる。
[0480]
 また、導体層Bの主導体部165Baの網目状導体822Baの間隙領域内に配置される中継導体841と、引出し導体部165Bbの網目状導体822Bbの間隙領域内に配置される中継導体842とで、個数や形状を異ならせることにより、主導体部165Baと引出し導体部165Bbとで、各導体層の導体領域の占有率を最大限に活用することができるので、配線抵抗を小さくすることで、電圧降下をさらに改善することができる。
[0481]
 なお、中継導体841の形状は任意であるが、回転対称または鏡面対称などのように対称な円形または多角形が望ましい。中継導体841は、網目状導体822Baの間隙領域の中央その他の任意の位置に配置することができる。中継導体841は、導体層Aとは異なるVss配線としての導体層に接続されるようにしてもよい。中継導体841は、導体層Bよりも能動素子群167に近い側のVss配線としての導体層に接続されるようにしてもよい。中継導体841は、Z方向に延伸された導体ビア(VIA)を介して、導体層Aとは異なる導体層や、導体層Bよりも能動素子群167に近い側の導体層等に接続することができる。中継導体842についても同様である。
[0482]
 図72乃至図74の第16の構成例では、導体層Bの網目状導体822Baおよび822Bbの間隙領域内に中継導体841または842を配置する例を示したが、導体層Aの網目状導体821Aaおよび821Abの間隙領域内に、同一のまたは異なる中継導体を配置してもよい。
[0483]
 <第17の構成例>
 図75は、導体層A及びBの第17の構成例を示している。なお、図75のAは導体層Aを、図75のBは導体層Bを示している。図75における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0484]
 図75のAに示される第17の構成例における導体層Aを、図65のAに示した第14の構成例の導体層Aと比較すると、主導体部165Aaの網目状導体851Aaの形状、および、引出し導体部165Abの網目状導体851Abの形状が異なる。
[0485]
 換言すれば、図65のAに示した第14の構成例における網目状導体821Aaの間隙領域が、縦長の長方形状であったのに対して、図75のAに示される第17の構成例における網目状導体851Aaの間隙領域は、横長の長方形状である。また、図65のAの網目状導体821Abの間隙領域が、縦長の長方形状であったのに対し、図75のAの網目状導体851Abの間隙領域は、横長の長方形状である。
[0486]
 図75のAの引出し導体部165Abの網目状導体851Abは、主導体部165Aaに向かうX方向(第1の方向)に直交するY方向(第2の方向)よりも、X方向に電流が流れやすい点で、図65のAの第14の構成例における網目状導体821Abと共通する。
[0487]
 一方、図75のAの主導体部165Aaの網目状導体851Aaは、Y方向よりも、X方向に電流が流れやすい形状となっているのに対して、図65のAの第14の構成例における主導体部165Aaの網目状導体821Aaは、Y方向に電流が流れやすい形状となっている。
[0488]
 すなわち、図75のAに示される第17の構成例における導体層Aは、主導体部165Aaの電流が流れやすい方向が、図65のAの第14の構成例の導体層Aと異なる。
[0489]
 また、第17の構成例における導体層Aの主導体部165Aaは、X方向よりもY方向に電流が流れやすいように補強した補強導体853を含む。補強導体853の導体幅WXAcは、網目状導体851AaのX方向の導体幅WXAaおよびY方向の導体幅WYAaの一方または両方より大きく形成されることが望ましい。補強導体853の導体幅WXAcは、網目状導体851AaのX方向の導体幅WXAaおよびY方向の導体幅WYAaのいずれか小さい方の導体幅よりも大きく形成される。なお、図75の例では、補強導体853が形成されたX方向の位置は、主導体部165Aaの領域内のうち、引出し導体部165Abに最も近い位置とされているが、接合部の近傍の位置であればよい。
[0490]
 主導体部165Aaの網目状導体851Aaを、X方向に電流が流れやすい形状で形成できることで、最小限の基本パタンの繰り返しでレイアウトを作成できるので、配線レイアウトの設計の自由度が高まる。また、MOSトランジスタやダイオード等の能動素子の配置によっては電圧降下をさらに改善することができる。
[0491]
 そして、Y方向に電流が流れやすいように補強した補強導体853を設けることで、主導体部165AaにおいてY方向へ電流が拡散しやすくなるので、主導体部165Aaと引出し導体部165Abとの接合部周辺における電流集中を緩和できる。局所的に電流集中する場合は、集中箇所に起因して誘導性ノイズが悪化するが、電流集中を緩和できるので、誘導性ノイズをさらに改善することができる。
[0492]
 図75のBに示される第17の構成例における導体層Bを、図65のBに示した第14の構成例の導体層Bと比較すると、主導体部165Baの網目状導体852Baの形状、および、引出し導体部165Bbの網目状導体852Bbの形状が異なる。
[0493]
 換言すれば、図65のBに示した第14の構成例における網目状導体822Baの間隙領域が、縦長の長方形状であったのに対して、図75のBに示される第17の構成例における網目状導体852Baの間隙領域は、横長の長方形状である。また、図65のBの網目状導体822Bbの間隙領域が、縦長の長方形状であったのに対し、図75のBの網目状導体852Bbの間隙領域は、横長の長方形状である。
[0494]
 図75のBの引出し導体部165Bbの網目状導体852Bbは、主導体部165Baに向かうX方向(第1の方向)に直交するY方向(第2の方向)よりも、X方向に電流が流れやすい点で、図65のBの第14の構成例における網目状導体822Bbと共通する。
[0495]
 一方、図75のBの主導体部165Baの網目状導体852Baは、Y方向よりも、X方向に電流が流れやすい形状となっているのに対して、図65のBの第14の構成例における主導体部165Baの網目状導体822Baは、Y方向に電流が流れやすい形状となっている。
[0496]
 すなわち、図75のBに示される第17の構成例における導体層Bは、主導体部165Baの電流が流れやすい方向が、図65のBの第14の構成例の導体層Bと異なる。
[0497]
 また、第17の構成例における導体層Bの主導体部165Baは、X方向よりもY方向に電流が流れやすいように補強した補強導体854を含む。補強導体854の導体幅WXBcは、網目状導体852BaのX方向の導体幅WXBaおよびY方向の導体幅WYBaの一方または両方より大きく形成されることが望ましい。補強導体854の導体幅WXBcは、網目状導体852BaのX方向の導体幅WXBaおよびY方向の導体幅WYBaのいずれか小さい方の導体幅よりも大きく形成される。図75の例では、補強導体854が形成されたX方向の位置は、主導体部165Baの領域内のうち、引出し導体部165Bbに最も近い位置とされているが、接合部の近傍の位置であればよい。
[0498]
 図75のCに示されるように、導体層Aの補強導体853と、導体層Bの補強導体854は、重なる位置に形成される。導体層Aと導体層Bを重ねた状態では、導体層Aと導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群167が覆われるので、第17の構成例においても、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光することができる。なお、例えば補強導体853または補強導体854の付近での遮光が必要ない場合は、補強導体853と補強導体854とが重なる位置に形成されていなくてもよい。また、例えば主導体部165aの電流分布次第では、補強導体853と補強導体854のうちの少なくとも一方を設けないようにしてもよい。
[0499]
 主導体部165Baの網目状導体852Baを、X方向に電流が流れやすい形状で形成できることで、最小限の基本パタンの繰り返しでレイアウトを作成できるので、配線レイアウトの設計の自由度が高まる。また、MOSトランジスタやダイオード等の能動素子の配置によっては電圧降下をさらに改善することができる。
[0500]
 そして、Y方向に電流が流れやすいように補強した補強導体854を設けることで、主導体部165Baにおいて第2の方向へ電流が拡散しやすくなるので、主導体部165Baと引出し導体部165Bbとの接合部周辺における電流集中を緩和できる。局所的に電流集中する場合は、集中箇所に起因して誘導性ノイズが悪化するが、電流集中を緩和できるので、誘導性ノイズをさらに改善することができる。
[0501]
 さらに、図75のBに示される第17の構成例における導体層Bは、主導体部165Baの網目状導体852Baの少なくとも一部の間隙領域内に、中継導体855が配置されている点で、図65のBの第14の構成例の導体層Bと異なる。この中継導体855は、配置してもよいし、しなくてもよい。
[0502]
 <第17の構成例の第1変形例>
 図76は、第17の構成例の第1変形例を示している。
[0503]
 第17の構成例の第1変形例では、図76のAに示される導体層Aの補強導体853が、主導体部165AaのY方向の全長に渡って形成されるのではなく、Y方向の一部に形成されている点が、図75のAに示した第17の構成例の導体層Aと異なる。より具体的には、図76の第1変形例では、導体層Aの補強導体853が、接合部のY方向位置を除いたY方向位置に形成されている。第1変形例における導体層Aのその他の構成は、図75のAに示した第17の構成例の導体層Aと同様である。
[0504]
 導体層Bについても同様に、図76のBに示される導体層Bの補強導体854が、主導体部165BaのY方向の全長に渡って形成されるのではなく、Y方向の一部に形成されている点が、図75のBに示した第17の構成例の導体層Bと異なる。より具体的には、図76の第1変形例では、導体層Bの補強導体854が、接合部のY方向位置を除いたY方向位置に形成されている。第1変形例における導体層Bのその他の構成は、図75のAに示した第17の構成例の導体層Bと同様である。
[0505]
 <第17の構成例の第2変形例>
 図77は、第17の構成例の第2変形例を示している。
[0506]
 第17の構成例の第2変形例では、図77のAに示される導体層Aの補強導体853が、主導体部165AaのY方向の全長に渡って形成されるのではなく、Y方向の一部に形成されている点が、図75のAに示した第17の構成例の導体層Aと異なる。より具体的には、図77の第2変形例では、導体層Aの補強導体853が、接合部のY方向位置のみに形成されている。第2変形例における導体層Aのその他の構成は、図75のAに示した第17の構成例の導体層Aと同様である。
[0507]
 導体層Bについても同様に、図77のBに示される導体層Bの補強導体854が、主導体部165BaのY方向の全長に渡って形成されるのではなく、Y方向の一部に形成されている点が、図75のBに示した第17の構成例の導体層Bと異なる。より具体的には、図77の第2変形例では、導体層Bの補強導体854が、接合部のY方向位置のみに形成されている。第2変形例における導体層Bのその他の構成は、図75のAに示した第17の構成例の導体層Bと同様である。
[0508]
 第17の構成例の第1変形例および第2変形例のように、導体層Aの補強導体853および導体層Bの補強導体854は、必ずしも主導体部165AaのY方向の全長に渡って形成される必要はなく、所定の一部のY方向領域に形成してもよい。
[0509]
 <第18の構成例>
 図78は、導体層A及びBの第18の構成例を示している。なお、図78のAは導体層Aを、図78のBは導体層Bを示している。図78のCは、図78のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBを導体層A側から見た状態を示している。図78における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0510]
 図78に示される第18の構成例は、図75に示した第17の構成例の一部を変更した構成を有する。図78において、図75と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は適宜省略する。
[0511]
 図78のAに示される第18の構成例の導体層Aは、X方向に電流が流れやすい形状の網目状導体851Aaと、Y方向に電流が流れやすいように補強した補強導体853とを備える点で、図75に示した第17の構成例と共通する。
[0512]
 一方、第18の構成例の導体層Aは、Y方向よりもX方向に電流が流れやすいように補強した補強導体856をさらに備える点で、図75に示した第17の構成例と異なる。補強導体856の導体幅WYAcは、網目状導体851AaのX方向の導体幅WXAaおよびY方向の導体幅WYAaの一方または両方より大きく形成されることが望ましい。補強導体856の導体幅WYAcは、網目状導体851AaのX方向の導体幅WXAaおよびY方向の導体幅WYAaのいずれか小さい方の導体幅よりも大きく形成される。補強導体856は、主導体部165Aaの領域内に、Y方向の所定の間隔で複数本配置してもよいし、所定のY方向位置に1本でもよい。
[0513]
 X方向に電流が流れやすいように補強した補強導体856を設けることで、補強導体853によるY方向だけでなく、X方向へも電流が流れやすくすることができ、主導体部165Aaと引出し導体部165Abとの接合部周辺における電流集中を緩和できる。局所的に電流集中する場合は、集中箇所に起因して誘導性ノイズが悪化するが、電流集中を緩和できるので、誘導性ノイズをさらに改善することができる。
[0514]
 図78のBに示される第18の構成例の導体層Bは、X方向に電流が流れやすい形状の網目状導体852Baと、Y方向に電流が流れやすいように補強した補強導体854とを備える点で、図75に示した第17の構成例と共通する。
[0515]
 一方、第18の構成例の導体層Bは、Y方向よりもX方向に電流が流れやすいように補強した補強導体857をさらに備える点で、図75に示した第17の構成例と異なる。補強導体857の導体幅WYBcは、網目状導体852BaのX方向の導体幅WXBaおよびY方向の導体幅WYBaの一方または両方より大きく形成されることが望ましい。補強導体857の導体幅WYBcは、網目状導体852BaのX方向の導体幅WXBaおよびY方向の導体幅WYBaのいずれか小さい方の導体幅よりも大きく形成される。補強導体857は、主導体部165Baの領域内に、Y方向の所定の間隔で複数本配置してもよいし、所定のY方向位置に1本でもよい。
[0516]
 図78のCに示されるように、導体層Aの補強導体856と、導体層Bの補強導体857は、重なる位置に形成される。導体層Aと導体層Bを重ねた状態では、導体層Aと導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群167が覆われるので、第18の構成例においても、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光することができる。なお、例えば補強導体856または補強導体857の付近での遮光が必要ない場合は、補強導体856と補強導体857とが重なる位置に形成されていなくてもよい。また、例えば主導体部165aの電流分布次第では、補強導体856と補強導体857のうちの少なくとも一方を設けないようにしてもよい。
[0517]
 X方向に電流が流れやすいように補強した補強導体857を設けることで、補強導体854によるY方向だけでなく、X方向へも電流が流れやすくすることができ、主導体部165Baと引出し導体部165Bbとの接合部周辺における電流集中を緩和できる。局所的に電流集中する場合は、集中箇所に起因して誘導性ノイズが悪化するが、電流集中を緩和できるので、誘導性ノイズをさらに改善することができる。
[0518]
 図75の第17の構成例では、Y方向に電流が流れやすいように補強した補強導体853および854を備える構成を示し、図78の第18の構成例では、補強導体853および854に加えて、X方向に電流が流れやすいように補強した補強導体856および857を備える構成を示した。
[0519]
 図示は省略するが、第17の構成例または第18の構成例の変形例として、導体層Aが、補強導体853を備えず、補強導体856を備え、導体層Bが、補強導体854を備えず、補強導体857を備えた構成としてもよい。換言すれば、補強導体としては、補強導体856と857のみを備えた構成としてもよい。
[0520]
 X方向に電流が流れやすいように補強した補強導体856を設けることで、補強導体853を備えない場合であっても、配線抵抗の関係性によってはY方向へ電流が拡散しやすくすることができ、主導体部165Aaと引出し導体部165Abとの接合部周辺における電流集中を緩和できる。局所的に電流集中する場合は、集中箇所に起因して誘導性ノイズが悪化するが、電流集中を緩和できるので、誘導性ノイズをさらに改善することができる。
[0521]
 X方向に電流が流れやすいように補強した補強導体857を設けることで、補強導体854を備えない場合であっても、配線抵抗の関係性によってはY方向へ電流が拡散しやすくすることができ、主導体部165Baと引出し導体部165Bbとの接合部周辺における電流集中を緩和できる。局所的に電流集中する場合は、集中箇所に起因して誘導性ノイズが悪化するが、電流集中を緩和できるので、誘導性ノイズをさらに改善することができる。
[0522]
 <第19の構成例>
 図79は、導体層A及びBの第19の構成例を示している。なお、図79のAは導体層Aを、図79のBは導体層Bを示している。図79のCは、図79のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBを導体層A側から見た状態を示している。図79における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0523]
 図79に示される第19の構成例は、図75に示した第17の構成例の一部を変更した構成を有する。図79において、図75と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は適宜省略する。
[0524]
 図79のAに示される第19の構成例の導体層Aは、図75に示した第17の構成例の補強導体853が補強導体871に置き換えられている点で相違し、その他の点で共通する。補強導体871は、Y方向に伸びる複数本の配線からなる。補強導体871を構成する各配線は、間隙幅GXAdでX方向に均等に離れて配置されている。間隙幅GXAdは、主導体部165Aaの網目状導体851Aaの間隙幅GXAaよりも小さく構成されている。
[0525]
 図79のBに示される第19の構成例の導体層Bは、図75に示した第17の構成例の補強導体854が補強導体872に置き換えられている点で相違し、その他の点で共通する。補強導体872は、Y方向に伸びる複数本の配線からなる。補強導体872を構成する各配線は、間隙幅GXBdでX方向に均等に離れて配置されている。間隙幅GXBdは、主導体部165Baの網目状導体852Baの間隙幅GXBaよりも小さく構成されている。
[0526]
 図79のCに示されるように、導体層Aの補強導体871と、導体層Bの補強導体872は、重なる位置に形成される。導体層Aと導体層Bを重ねた状態では、導体層Aと導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群167が覆われるので、第19の構成例においても、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光することができる。なお、例えば補強導体871または補強導体872の付近での遮光が必要ない場合は、補強導体871と補強導体872とが重なる位置に形成されていなくてもよい。また、例えば主導体部165aの電流分布次第では、補強導体871と補強導体872のうちの少なくとも一方を設けないようにしてもよい。
[0527]
 <第19の構成例の変形例>
 図80は、第19の構成例の変形例を示している。
[0528]
 図79に示した第19の構成例では、導体層Aの補強導体871を構成する複数本の配線が間隙幅GXAdでX方向に均等に離れて配置されていた。導体層Bの補強導体872を構成する複数本の配線も、間隙幅GXAdでX方向に均等に離れて配置されていた。
[0529]
 これに対して、第19の構成例の変形例である図80では、導体層Aの補強導体871を構成する複数本の配線において、隣接する配線の間隙幅GXAdが、それぞれ異なる幅となっている。各間隙幅GXAdの少なくとも一つは、主導体部165Aaの網目状導体851Aaの間隙幅GXAaよりも小さく構成されている。導体層Bの補強導体872を構成する複数本の配線において、隣接する配線の間隙幅GXBdが、それぞれ異なる幅となっている。各間隙幅GXBdの少なくとも一つは、主導体部165Baの網目状導体852Baの間隙幅GXBaよりも小さく構成されている。
[0530]
 なお、図80の例では、複数の間隙幅GXAdおよび間隙幅GXBdは、左側から徐々に短くなるように形成されているが、これに限らず、右側から徐々に短くなるように形成してもよいし、ランダムな幅としてもよい。
[0531]
 以上のように、間隙幅GXAdおよびGXBdが、均等ではなく、変調されている点を除いて、図80の第19の構成例の変形例は、図79に示した第19の構成例と同様である。
[0532]
 図79および図80に示した第19の構成例およびその変形例のように、導体層Aの補強導体871および導体層Bの補強導体872は、所定の間隙幅GXAdまたはGXBdで配置した複数本の配線で構成することができる。
[0533]
 Y方向に電流が流れやすいように補強した補強導体871および872を設けることで、Y方向へ電流が拡散しやすくなるので、接合部周辺における電流集中を緩和できる。局所的に電流集中する場合は、集中箇所に起因して誘導性ノイズが悪化するが、電流集中を緩和できるので、誘導性ノイズをさらに改善することができる。図79および図80に示した第19の構成例およびその変形例では、X方向の間隙幅GXAaまたは間隙幅GXBaよりも小さい間隙幅を少なくとも含み、Y方向に電流が流れやすいように補強した補強導体871および872を備える構成を示したがこの限りではない。例えば、図示は省略するが、Y方向の間隙幅GYAaまたは間隙幅GYBaよりも小さい間隙幅を少なくとも含み、図78の第18の構成例と同様にX方向に電流が流れやすいように補強した補強導体を備える構成としてもよい。また、X方向に電流が流れやすいように補強した補強導体を備える構成、Y方向に電流が流れやすいように補強した補強導体を備える構成、X方向に電流が流れやすいように補強した補強導体とY方向に電流が流れやすいように補強した補強導体とを両方備える構成、の何れであってもよい。これらの場合にも、配線抵抗の関係性によっては電流集中を緩和できるので、誘導性ノイズをさらに改善することができる。
[0534]
 <第20の構成例>
 図81は、導体層A及びBの第20の構成例を示している。なお、図81のAは導体層Aを、図81のBは導体層Bを示している。図81のCは、図81のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBを導体層A側から見た状態を示している。図81における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0535]
 図81に示される第20の構成例は、図72に示した第16の構成例の一部を変更した構成を有する。図81において、図72と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は適宜省略する。
[0536]
 図81のAに示される第20の構成例の導体層Aは、主導体部165Aaが網目状導体821Aaからなる点で、図72に示した第16の構成例の導体層Aと共通する。一方、第20の構成例の導体層Aは、引出し導体部165Abが網目状導体821Abとは異なる網目状導体881Abからなる点で、図72に示した第16の構成例の導体層Aと相違する。
[0537]
 図81のBに示される第20の構成例の導体層Bは、主導体部165Baが、網目状導体822Baと間隙領域内に配置された中継導体841とを有する点で、図72に示した第16の構成例の導体層Bと共通する。第20の構成例の導体層Bは、引出し導体部165Bbが網目状導体822Bbとは異なる網目状導体882Bbからなる点で、図72に示した第16の構成例の導体層Bと相違する。
[0538]
 すなわち、第20の構成例は、図72に示した第16の構成例と、引出し導体部165bの繰り返しパタンの形状が異なる。
[0539]
 図81のCに示されるように、導体層Aと導体層Bとを重ねた状態では、引出し導体部165bの一部の領域が開口された領域となっている。
[0540]
 このように、導体層Aと導体層Bの全ての領域で遮光構造を採用する必要はなく、例えば、MOSトランジスタやダイオード等の能動素子を配置しない領域では、遮光しなくてもよい。
[0541]
 図81の第20の構成例は、導体層Aおよび導体層Bの引出し導体部165bの一部の領域が、遮光しない構成であるが、導体層Aおよび導体層Bの主導体部165aの一部の領域を、遮光しない構成としてもよい。遮光が不要な領域については、遮光構造を採用しないことで、配線レイアウトの設計の自由度がさらに増大するので、誘導性ノイズをさらに改善し、電圧降下もさらに改善する配線パタンを採用することができる。
[0542]
 <第21の構成例>
 上述した第14乃至第20の構成例では、主導体部165aと接続される引出し導体部165bの導体層が、いずれも網目状導体で構成される例であった。
[0543]
 しかしながら、引出し導体部165bの導体層は、網目状導体に限定されず、主導体部165aと同様に、面状導体や直線状導体で構成されてもよい。
[0544]
 以下の第21乃至第24の構成例では、引出し導体部165bの導体層が面状導体や直線状導体で形成された構成例について説明する。
[0545]
 図82は、導体層A及びBの第21の構成例を示している。なお、図82のAは導体層Aを、図82のBは導体層Bを示している。図82のCは、図82のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBを導体層A側から見た状態を示している。図82における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0546]
 図82に示される第21の構成例は、図72に示した第16の構成例の引出し導体部165bの導体層を変更した構成を有する。図82において、図72と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は適宜省略する。
[0547]
 図82のAに示される第21の構成例の導体層Aの引出し導体部165Abには、第16の構成例の網目状導体821Abに代えて、X方向に長い直線状導体891Abが、Y方向に導体周期FYAbで周期的に配置されている。導体周期FYAbは、Y方向の導体幅WYAbとY方向の間隙幅GYAbとの和に等しい(導体周期FYAb=Y方向の導体幅WYAb+Y方向の間隙幅GYAb)。
[0548]
 図82のBに示される第21の構成例の導体層Bの引出し導体部165Bbには、第16の構成例の網目状導体822Bbに代えて、X方向に長い直線状導体892Bbが、Y方向に導体周期FYBbで周期的に配置されている。導体周期FYBbは、Y方向の導体幅WYBbとY方向の間隙幅GYBbとの和に等しい(導体周期FYBb=Y方向の導体幅WYBb+Y方向の間隙幅GYBb)。
[0549]
 図82のCに示されるように、導体層Aと導体層Bを重ねた状態では、導体層Aと導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群167が覆われるので、第21の構成例においても、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光することができる。
[0550]
 <第22の構成例>
 図83は、導体層A及びBの第22の構成例を示している。なお、図83のAは導体層Aを、図83のBは導体層Bを示している。図83のCは、図83のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBを導体層A側から見た状態を示している。図83における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0551]
 図83に示される第22の構成例は、図72に示した第16の構成例の引出し導体部165bの導体層を変更した構成を有する。図83において、図72と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は適宜省略する。
[0552]
 図83のAに示される第22の構成例の導体層Aの引出し導体部165Abには、第16の構成例の網目状導体821Abに代えて、面状導体901Abが配置されている。面状導体901Abは、Y方向の導体幅WYAbを有する。
[0553]
 図83のBに示される第22の構成例の導体層Bの引出し導体部165Bbには、第16の構成例の網目状導体822Bbに代えて、面状導体902Bbが配置されている。面状導体902Bbは、Y方向の導体幅WYBbを有する。
[0554]
 図83のCに示されるように、導体層Aと導体層Bを重ねた状態では、導体層Aと導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群167が覆われるので、第22の構成例においても、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光することができる。
[0555]
 なお、第22の構成例においては、図83のBに示した導体層Bに代えて、図84のAまたはBの導体層Bを採用してもよい。
[0556]
 図84のAおよびBに示される導体層Bは、図83のBに示した導体層Bと、引出し導体部165bのみが異なる。
[0557]
 図84のAの導体層Bの引出し導体部165Bbには、図83のBに示した面状導体901Abに代えて、X方向に長い直線状導体903Bbが、Y方向に導体周期FYBbで周期的に配置されている。なお、導体周期FYBb=Y方向の導体幅WYBb+Y方向の間隙幅GYBbである。
[0558]
 図84のBの導体層Bの引出し導体部165Bbには、図83のBに示した面状導体901Abに代えて、網目状導体904Bbが設けられている。網目状導体904Bbは、X方向においては、導体幅WXBbおよび間隙幅GXBbを有し、導体周期FXBbで同一パタンが周期的に配置されて構成され、Y方向においては、導体幅WYBbおよび間隙幅GYBbを有し、導体周期FYBbで同一パタンが周期的に配置されて構成される。したがって、網目状導体904Bbは、X方向またはY方向の少なくとも一方において、所定の基本パタンが導体周期で繰り返し配列される繰り返しパタンを含む形状である。
[0559]
 図84のAまたはBの導体層Bと、図83のAに示した導体層Aとを重ねた状態の平面図は、図83のCと同様となる。
[0560]
 <第23の構成例>
 図85は、導体層A及びBの第23の構成例を示している。なお、図85のAは導体層Aを、図85のBは導体層Bを示している。図85のCは、図85のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBを導体層A側から見た状態を示している。図85における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0561]
 図85に示される第23の構成例は、図72に示した第16の構成例の引出し導体部165bの導体層を変更した構成を有する。図85において、図72と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は適宜省略する。
[0562]
 図85のAに示される第23の構成例の導体層Aの引出し導体部165Abには、第16の構成例の網目状導体821Abに代えて、X方向に長い直線状導体911Abが、Y方向に導体周期FYAbで周期的に配置されるとともに、X方向に長い直線状導体912Abが、Y方向に導体周期FYAbで周期的に配置されている。直線状導体911Abは、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。直線状導体912Abは、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。導体周期FYAbは、Y方向の導体幅WYAbとY方向の間隙幅GYAbとの和に等しい(導体周期FYAb=導体幅WYAb+間隙幅GYAb)。
[0563]
 図85のBに示される第23の構成例の導体層Bの引出し導体部165Bbには、第16の構成例の網目状導体822Bbに代えて、X方向に長い直線状導体913Bbが、Y方向に導体周期FYBbで周期的に配置されるとともに、X方向に長い直線状導体914Bbが、Y方向に導体周期FYBbで周期的に配置されている。直線状導体913Bbは、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。直線状導体914Bbは、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。導体周期FYBbは、Y方向の導体幅WYBbとY方向の間隙幅GYBbとの和に等しい(導体周期FYBb=導体幅WYBb+間隙幅GYBb)。
[0564]
 導体層Aの引出し導体部165Abの直線状導体912Abは、主導体部165Aaの網目状導体821Aaと電気的に接続されるとともに、導体層Bの引出し導体部165Bbの直線状導体914Bbと、例えばZ方向に延伸された導体ビア(VIA)等を介して電気的に接続されている。
[0565]
 導体層Bの引出し導体部165Bbの直線状導体913Bbは、主導体部165Baの網目状導体822Baと電気的に接続されるとともに、導体層Aの引出し導体部165Abの直線状導体911Abと、例えばZ方向に延伸された導体ビア(VIA)等を介して電気的に接続されている。
[0566]
 図85のCに示されるように、導体層Aと導体層Bを重ねた状態では、導体層Aと導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群167が覆われるので、第21の構成例においても、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光することができる。
[0567]
 上述した第14乃至第22の構成例では、引出し導体部165bにおいて、極性が異なるVdd配線とVss配線が、同じ平面領域に重なるように配置されていたが、図85の第23の構成例のように、極性が異なるVdd配線とVss配線が、異なる平面領域となるようにずらして配置し、導体層Aと導体層Bの両方を用いて、GNDやマイナス電源、プラス電源を伝送するようにしてもよい。
[0568]
 なお、導体層Aの引出し導体部165Abの直線状導体911Abは、導体層Bの引出し導体部165Bbの直線状導体913Bbと電気的に接続せずに、ダミー配線としてもよい。導体層Bの引出し導体部165Bbの直線状導体914Bbは、導体層Aの引出し導体部165Abの直線状導体912Abと電気的に接続せずに、ダミー配線としてもよい。
[0569]
 なお、1群の直線状導体911Abと1群の直線状導体912Abとが、隣接配置される一例を図85で示したが、この限りではない。例えば、複数群の直線状導体911Abと複数群の直線状導体912Abとが設けられており、1群の直線状導体911Abと1群の直線状導体912Abとが、交互に配置されていてもよい。
[0570]
 また、複数本の直線状導体を含む直線状導体911Abと複数本の直線状導体を含む直線状導体912Abとが、隣接配置される一例を図85で示したが、この限りではない。例えば、1本の直線状導体911Abと1本の直線状導体912Abとが、交互に配置されていてもよい。
[0571]
 また、1群の直線状導体913Bbと1群の直線状導体914Bbとが、隣接配置される一例を図85で示したが、この限りではない。例えば、複数群の直線状導体913Bbと複数群の直線状導体914Bbとが設けられており、1群の直線状導体913Bbと1群の直線状導体914Bbとが、交互に配置されていてもよい。
[0572]
 また、複数本の直線状導体を含む直線状導体913Bbと複数本の直線状導体を含む直線状導体914Bbとが、隣接配置される一例を図85で示したが、この限りではない。例えば、1本の直線状導体913Bbと1本の直線状導体914Bbとが、交互に配置されていてもよい。
[0573]
 <第24の構成例>
 図86は、導体層A及びBの第24の構成例を示している。なお、図86のAは導体層Aを、図86のBは導体層Bを示している。図86のCは、図86のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBを導体層A側から見た状態を示している。図86における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0574]
 図86に示される第24の構成例は、図72に示した第16の構成例の引出し導体部165bの導体層を変更した構成を有する。図86において、図72と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は適宜省略する。
[0575]
 図86のAに示される第24の構成例の導体層Aの引出し導体部165Abには、第16の構成例の網目状導体821Abに代えて、Y方向に長い直線状導体921Abが、X方向に導体周期FXAbで周期的に配置されるとともに、Y方向に長い直線状導体922Abが、X方向に導体周期FXAbで周期的に配置されている。直線状導体921Abは、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。直線状導体922Abは、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。導体周期FXAbは、X方向の導体幅WXAbとX方向の間隙幅GXAbとの和に等しい(導体周期FXAb=導体幅WXAb+間隙幅GXAb)。
[0576]
 図86のBに示される第24の構成例の導体層Bの引出し導体部165Bbには、第16の構成例の網目状導体822Bbに代えて、Y方向に長い直線状導体923Bbが、X方向に導体周期FXBbで周期的に配置されるとともに、Y方向に長い直線状導体924Bbが、X方向に導体周期FXBbで周期的に配置されている。直線状導体923Bbは、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。直線状導体924Bbは、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。導体周期FXBbは、X方向の導体幅WXBbとX方向の間隙幅GXBbとの和に等しい(導体周期FXBb=導体幅WXBb+間隙幅GXBb)。
[0577]
 導体層Aの引出し導体部165Abの直線状導体922Abは、導体層Bの引出し導体部165Bbの直線状導体924Bbと、例えばZ方向に延伸された導体ビア(VIA)等を介して電気的に接続されるとともに、直線状導体924Bbを介して、主導体部165Aaの網目状導体821Aaと電気的に接続されている。
[0578]
 すなわち、例えばGNDやマイナス電源は、引出し導体部165bにおいて、導体層Aの直線状導体922Abと、導体層Bの直線状導体924Bbとを交互に伝送されて、主導体部165Aaの網目状導体821Aaに到達する。
[0579]
 導体層Bの引出し導体部165Bbの直線状導体923Bbは、導体層Aの引出し導体部165Abの直線状導体921Abと、例えばZ方向に延伸された導体ビア(VIA)等を介して電気的に接続されるとともに、直線状導体921Abを介して、主導体部165Baの網目状導体822Baと電気的に接続されている。
[0580]
 すなわち、例えばプラス電源は、引出し導体部165bにおいて、導体層Aの直線状導体921Abと、導体層Bの直線状導体923Bbとを交互に伝送されて、主導体部165Baの網目状導体822Baに到達する。
[0581]
 図86のCに示されるように、導体層Aと導体層Bを重ねた状態では、導体層Aと導体層Bの少なくとも一方によって能動素子群167が覆われるので、第21の構成例においても、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光することができる。
[0582]
 上述した第14乃至第22の構成例では、引出し導体部165bにおいて、極性が異なるVdd配線とVss配線が、同じ平面領域に重なるように配置されていたが、図86の第24の構成例のように、極性が異なるVdd配線とVss配線が、異なる平面領域となるようにずらして配置し、導体層Aと導体層Bの両方を用いて、GNDやマイナス電源、プラス電源を伝送するようにしてもよい。
[0583]
 以上、図82乃至図86に示した第21乃至第24の構成例のように、引出し導体部165bの導体層は、網目状導体に限定されず、面状導体や直線状導体で構成してもよい。また、導体層AまたはBの1層だけではなく、導体層AおよびBの2層を用いてもよい。
[0584]
 このような構成とすることにより、配線のレイアウト制約を満たす、配線レイアウトの設計の自由度をさらに改善する、誘導性ノイズをさらに改善する、電圧降下をさらに改善する、などのいずれかの効果を奏することができる。
[0585]
 <第25の構成例>
 図87は、導体層A及びBの第25の構成例を示している。なお、図87のAは導体層Aを、図87のBは導体層Bを示している。図87のCは、図87のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBを導体層A側から見た状態を示している。図87における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0586]
 図87に示される第25の構成例は、図72に示した第16の構成例に一部を追加した構成を有する。図86において、図72と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は適宜省略する。
[0587]
 図87のAに示される第25の構成例の導体層Aは、図72に示した第16の構成例における主導体部165Aaの網目状導体821Aaと、引出し導体部165Abの網目状導体821Abとの間に、それらと異なる繰り返しパタンを任意で含む形状の導体941が追加されている。なお、導体941は、配線レイアウトを効率よく設計するために繰り返しパタンを含む形状であることが望ましいが、繰り返しパタンを含まない形状であってもよい。導体941のパタンは任意の形状を取り得るため、図87のAの導体941では、特に規定せず、面状で表している。導体941は、網目状導体821Aaと網目状導体821Abの両方と電気的に接続されている。換言すれば、主導体部165Aaの網目状導体821Aaと、引出し導体部165Abの網目状導体821Abとが、導体941を介して電気的に接続されている。
[0588]
 図87のBに示される第25の構成例の導体層Bは、図72に示した第16の構成例における主導体部165Baの網目状導体822Baと、引出し導体部165Bbの網目状導体822Bbとの間に、それらと異なる繰り返しパタンを任意で含む形状の導体942が追加されている。なお、導体942は、配線レイアウトを効率よく設計するために繰り返しパタンを含む形状であることが望ましいが、繰り返しパタンを含まない形状であってもよい。導体942のパタンは任意の形状を取り得るため、図87のBの導体942では、特に規定せず、面状で表している。導体942は、網目状導体822Baと網目状導体822Bbの両方と電気的に接続されている。換言すれば、主導体部165Baの網目状導体822Baと、引出し導体部165Bbの網目状導体822Bbとが、導体942を介して電気的に接続されている。
[0589]
 第25の構成例によれば、導体層Aにおいて、所定の導体941を介して、主導体部165Aaの網目状導体821Aaと、引出し導体部165Abの網目状導体821Abとを接続することにより、配線レイアウトの設計の自由をさらに改善することができ、パッド近傍の自由度を特に改善することができる。
[0590]
 導体層Bにおいても、所定の導体942を介して、主導体部165Baの網目状導体822Baと、引出し導体部165Bbの網目状導体822Bbとを接続することにより、配線レイアウトの設計の自由をさらに改善することができ、パッド近傍の自由度を特に改善することができる。
[0591]
 <第26の構成例>
 図88は、導体層A及びBの第26の構成例を示している。なお、図88のAは導体層Aを、図88のBは導体層Bを示している。図88のCは、図88のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBを導体層A側から見た状態を示している。図88における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0592]
 図88に示される第26の構成例は、図87に示した第25の構成例の一部を変更した構成を有する。図86において、図87と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は適宜省略する。
[0593]
 図88のAに示される第26の構成例の導体層Aは、主導体部165Aaについては、図87に示した第25の構成例と同様の網目状導体821Aaを備える。また、引出し導体部165Abについては、第26の構成例の導体層Aは、第25の構成例と同様の網目状導体821Abと導体941をY方向に所定の間隔で複数備える。換言すれば、図88のAの第26の構成例の導体層Aは、図87に示した第25の構成例の引出し導体部165Abの網目状導体821Abと導体941を、Y方向に所定の間隔で複数設けるように変形した構成である。なお、複数の導体941は、それらの全てが同一であってもよいし、同一でなくてもよい。
[0594]
 図88のBに示される第26の構成例の導体層Bは、主導体部165Baについては、図87に示した第25の構成例と同様の網目状導体822Baを備える。また、引出し導体部165Bbについては、第26の構成例の導体層Bは、第25の構成例と同様の網目状導体822Bbと導体942をY方向に所定の間隔で複数備える。換言すれば、図88のBの第26の構成例の導体層Bは、図87に示した第25の構成例の引出し導体部165Bbの網目状導体822Bbと導体942を、Y方向に所定の間隔で複数設けるように変形した構成である。なお、複数の導体942は、それらの全てが同一であってもよいし、同一でなくてもよい。
[0595]
 このような構成とすることにより、配線のレイアウト制約を満たす、配線レイアウトの設計の自由度をさらに改善する、誘導性ノイズをさらに改善する、電圧降下をさらに改善する、などのいずれかの効果を奏することができる。
[0596]
 <第27の構成例>
 図89は、導体層A及びBの第27の構成例を示している。なお、図89のAは導体層Aを、図89のBは導体層Bを示している。図89のCは、図89のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBを導体層A側から見た状態を示している。図89における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0597]
 図89に示される第27の構成例は、図88に示した第26の構成例の一部を変更した構成を有する。図89において、図88と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は適宜省略する。
[0598]
 図89のAに示される第27の構成例の導体層Aの主導体部165Aaは、図88に示した第26の構成例と同様の網目状導体821Aaを備える。第27の構成例の導体層Aの引出し導体部165Abは、網目状導体951Abと網目状導体952Abを備える。網目状導体951Abおよび網目状導体952Abの形状は、いずれも、X方向の導体幅WXAbおよび間隙幅GXAb並びにY方向の導体幅WYAbおよび間隙幅GYAbからなる。ただし、網目状導体952Abは、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)であり、網目状導体951Abは、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。
[0599]
 主導体部165Aaの網目状導体821Aaと、引出し導体部165Abの網目状導体951Abとの間に、それらと異なる繰り返しパタンを任意で含む形状の導体961が配置されている。主導体部165Aaの網目状導体821Aaと、引出し導体部165Abの網目状導体952Abとの間に、それらと異なる繰り返しパタンを任意で含む形状の導体962が配置されている。なお、導体961または962は、配線レイアウトを効率よく設計するために繰り返しパタンを含む形状であることが望ましいが、繰り返しパタンを含まない形状であってもよい。導体961および962のパタンは任意の形状を取り得るため、図89のAの導体961および962では、特に規定せず、面状で表している。
[0600]
 図89のBに示される第27の構成例の導体層Bの主導体部165Baは、図88に示した第26の構成例と同様の網目状導体822Baを備える。第27の構成例の導体層Bの引出し導体部165Bbは、網目状導体953Bbと網目状導体954Bbを備える。網目状導体953Bbおよび網目状導体954Bbの形状は、いずれも、X方向の導体幅WXBbおよび間隙幅GXBb並びにY方向の導体幅WYBbおよび間隙幅GYBbからなる。ただし、網目状導体954Bbは、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)であり、網目状導体953Bbは、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。
[0601]
 主導体部165Baの網目状導体822Baと、引出し導体部165Bbの網目状導体953Bbとの間に、それらと異なる繰り返しパタンを任意で含む形状の導体963が配置されている。主導体部165Baの網目状導体822Baと、引出し導体部165Bbの網目状導体954Bbとの間に、それらと異なる繰り返しパタンを任意で含む形状の導体964が配置されている。なお、導体963または964は、配線レイアウトを効率よく設計するために繰り返しパタンを含む形状であることが望ましいが、繰り返しパタンを含まない形状であってもよい。導体963および964のパタンは任意の形状を取り得るため、図89のBの導体963および964では、特に規定せず、面状で表している。
[0602]
 導体層Aの導体961は、主導体部165Aaの網目状導体821Aaと、引出し導体部165bの網目状導体951Abまたは953Bbのうちの少なくとも一方と、直接的または例えば導体963の少なくとも一部のような導体を介して間接的に、電気的に接続されている。換言すれば、主導体部165Aaの網目状導体821Aaと、引出し導体部165bの網目状導体951Abまたは953Bbのうちの少なくとも一方とが、導体961を介して電気的に接続されている。また、引出し導体部165Abの網目状導体951Abは、導体層Bの引出し導体部165Bbの網目状導体953Bbと、例えばZ方向に延伸された導体ビア(VIA)等を介して電気的に接続されていてもよい。導体961と導体963も、例えばZ方向に延伸された導体ビア(VIA)等を介して電気的に接続されてもよい。
[0603]
 導体層Bの導体964は、主導体部165Baの網目状導体822Baと、引出し導体部165bの網目状導体952Abまたは954Bbのうちの少なくとも一方と、直接的または例えば導体962の少なくとも一部のような導体を介して間接的に、電気的に接続されている。換言すれば、主導体部165Baの網目状導体822Baと、引出し導体部165bの網目状導体952Abまたは954Bbのうちの少なくとも一方とが、導体964を介して電気的に接続されている。また、引出し導体部165Abの網目状導体952Abは、導体層Bの引出し導体部165Bbの網目状導体954Bbと、例えばZ方向に延伸された導体ビア(VIA)等を介して電気的に接続されていてもよい。導体962と導体964も、例えばZ方向に延伸された導体ビア(VIA)等を介して電気的に接続されてもよい。
[0604]
 例えば、上述した図88の第26の構成例において、主導体部165aおよび引出し導体部165bのそれぞれについて、同じ平面位置の導体層Aと導体層Bの極性を見ると、導体層Aの主導体部165Aaと導体層Bの主導体部165Baは、極性がVss配線とVdd配線とで異なる極性となっており、導体層Aの引出し導体部165Abと導体層Bの引出し導体部165Bbも、異なる極性となっている。
[0605]
 これに対して、図89の第27の構成例において、主導体部165aおよび引出し導体部165bのそれぞれについて、同じ平面位置の導体層Aと導体層Bの極性を見ると、導体層Aの主導体部165Aaと導体層Bの主導体部165Baは、極性がVss配線とVdd配線とで異なる極性となっているが、導体層Aの引出し導体部165Abと導体層Bの引出し導体部165Bbは、同じ極性となっている。このような極性配置により、上下の導体層Aおよび導体層Bを構成した場合、上下の導体層Aと導体層Bが電気的に接続された引出し導体部165bを、パッド(電極)とすることができる。
[0606]
 第27の構成例によれば、配線のレイアウト制約を満たす、配線レイアウトの設計の自由度をさらに改善する、誘導性ノイズをさらに改善する、電圧降下をさらに改善する、などのいずれかの効果を奏することができる。
[0607]
 <第28の構成例>
 図90は、導体層A及びBの第28の構成例を示している。なお、図90のAは導体層Aを、図90のBは導体層Bを示している。図90のCは、図90のAとBにそれぞれ示した導体層A及びBを導体層A側から見た状態を示している。図90における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0608]
 図90に示される第28の構成例は、図89に示した第27の構成例の一部を変更した構成を有する。図90において、図89と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は適宜省略する。
[0609]
 図90に示される第28の構成例は、導体層Aの引出し導体部165Abの形状のみが、図89の第27の構成例と異なり、その他の点は、図89の第27の構成例と共通する。
[0610]
 具体的には、図89の第27の構成例における導体層Aの引出し導体部165Abには、X方向の導体幅WXAbおよび間隙幅GXAb並びにY方向の導体幅WYAbおよび間隙幅GYAbの形状からなる網目状導体951Abおよび網目状導体952Abが形成されていた。
[0611]
 これに対して、図90の第28の構成例における導体層Aの引出し導体部165Abには、X方向の導体幅WXAbおよびY方向の導体幅WYAbの形状からなる面状導体971Abおよび面状導体972Abが形成されている。
[0612]
 換言すれば、図90の第28の構成例では、導体層Aの引出し導体部165Abにおいて、図89の第27の構成例における網目状導体951Abに代えて、面状導体971Abが設けられ、網目状導体952Abに代えて、面状導体972Abが設けられている。
[0613]
 図89に示した第27の構成例は、上下の導体層Aおよび導体層Bの引出し導体部165bの形状を同一形状とした例であるが、図90の第28の構成例のように、異なる形状としてもよい。
[0614]
 さらに言えば、図90の第28の構成例では、導体層Aの引出し導体部165Abの形状を面状としたが、図91のAに示される導体層Aの引出し導体部165Abの網目状導体973Abおよび網目状導体974Abのように、同じ網目状であっても、図91のAの導体層Aの網目状導体973Abと図90のBの導体層Bの網目状導体953Bbとで遮光構造を成し、図91のAの導体層Aの網目状導体974Abと図90のBの導体層Bの網目状導体954Bbとで遮光構造を成すように構成してもよい。さらに、X方向の導体幅WXAbまたは間隙幅GXAbやY方向の導体幅WYAbまたは間隙幅GYAbを、導体層Bの引出し導体部165Bbの網目状導体953Bbまたは網目状導体954Bbと略同一な大きさの形状としてもよい。
[0615]
 あるいはまた、図91のBに示される導体層Aの引出し導体部165Abの網目状導体975Abおよび網目状導体976Abのように、X方向の導体幅WXAbまたは間隙幅GXAbを、図90のBの導体層Bの引出し導体部165Bbの網目状導体953Bbまたは網目状導体954Bbよりも小さい形状としてもよい。さらに、図91のBの導体層Aの網目状導体975Abと図90のBの導体層Bの網目状導体953Bbとで遮光構造を成し、図91のBの導体層Aの網目状導体976Abと図90のBの導体層Bの網目状導体954Bbとで遮光構造を成すように構成してもよい。加えて、図示は省略するが、導体層Aの引出し導体部165AbのY方向の導体幅WYAbまたは間隙幅GYAbを、導体層Bの引出し導体部165Bbの網目状導体953Bbまたは網目状導体954Bbよりも小さい形状としてもよく、導体層Aの引出し導体部165AbのX方向の導体幅WXAbまたは間隙幅GXAbや、Y方向の導体幅WYAbまたは間隙幅GYAbを、導体層Bの引出し導体部165Bbの網目状導体953Bbまたは網目状導体954Bbよりも大きい形状としてもよい。
[0616]
 図91のAおよびBは、図90の第28の構成例における導体層Aのその他の構成例を示している。
[0617]
 <第14乃至第28の構成例のまとめ>
 図65乃至図90で示した第14乃至第28の構成例は、導体層Aおよび導体層Bのいずれも、主導体部165aと引出し導体部165bの繰り返しパタンが、異なるパタン(形状)で構成される。
[0618]
 導体層A(第1の導体層)は、面状、直線状、または、網目状の繰り返しパタン(第1の基本パタン)をX方向またはY方向の同一平面上に繰り返し配列した形状の導体を含む主導体部165Aa(第1導体部)と、面状、直線状、または、網目状の繰り返しパタン(第4の基本パタン)をX方向またはY方向の同一平面上に繰り返し配列した形状の導体を含む引出し導体部165Ab(第4導体部)とを備える。ここで、主導体部165Aaの導体の繰り返しパタンと引出し導体部165Abの導体の繰り返しパタンは異なる形状であり、主導体部165Aaの導体と引出し導体部165Abの導体との間には、それらのパタンとパタンの異なる導体があってもよい。
[0619]
 導体層B(第2の導体層)は、面状、直線状、または、網目状の繰り返しパタン(第2の基本パタン)をX方向またはY方向の同一平面上に繰り返し配列した形状の導体を含む主導体部165Ba(第2導体部)と、面状、直線状、または、網目状の繰り返しパタン(第3の基本パタン)をX方向またはY方向の同一平面上に繰り返し配列した形状の導体を含む引出し導体部165Bb(第3導体部)とを備える。ここで、主導体部165Baの導体の繰り返しパタンと引出し導体部165Bbの導体の繰り返しパタンは異なる形状であり、主導体部165Baの導体と引出し導体部165Bbの導体との間には、それらのパタンとパタンの異なる導体があってもよい。
[0620]
 上述した各構成例において、例えばGNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)として説明した導体は、例えばプラス電源に接続される配線(Vdd配線)であってもよく、例えばプラス電源に接続される配線(Vdd配線)として説明した導体は、例えばGNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)でもよい。
[0621]
 上述した各構成例において、主導体部165Aaの導体のY方向の全長LAaが、引出し導体部165Abの導体のY方向の全長LAbよりも長い構成としたが、全長LAaと全長LAbとが同一若しくは略同一、または、全長LAaが全長LAbよりも短い構成であってもよい。
[0622]
 同様に、主導体部165BaのY方向の全長LBaが、引出し導体部165BbのY方向の全長LBbよりも長い構成としたが、全長LBaと全長LBbとが同一若しくは略同一、または、全長LBaが全長LBbよりも短い構成であってもよい。
[0623]
 上述した各構成例において、主導体部165Aaおよび主導体部165Baの繰り返しパタンの例として、電流がX方向よりもY方向へ流れやすい繰り返しパタンを用いた構成例については、電流がX方向へ流れやすい繰り返しパタン例にしてもよいし、逆に、電流がY方向よりもX方向へ流れやすい繰り返しパタンを用いた構成例については、電流がY方向へ流れやすい繰り返しパタン例にしてもよい。また、電流がX方向およびY方向へ同程度に流れやすい繰り返しパタン例でもよい。
[0624]
 上述した各構成例において、導体層A(配線層165A)の主導体部165Aaと、導体層B(配線層165B)の主導体部165Baの導体のパタンは、第1乃至第13の構成例で説明したパタンのいずれの構成でもよい。なお、上述した各構成例の一部では、全ての導体周期や全ての導体幅や全ての間隙幅が均等である一例を用いて説明したが、この限りではない。例えば、導体周期や導体幅や間隙幅は、不均等であってもよく、位置によって導体周期や導体幅や間隙幅を変調させた形状であってもよい。また、上述した各構成例の一部では、Vdd配線とVss配線とで、導体周期、導体幅、間隙幅、配線形状、配線位置、または配線本数などが略同一である一例を用いて説明したが、この限りではない。例えば、Vdd配線とVss配線とで、導体周期が異なっていてもよく、導体幅が異なっていてもよく、間隙幅が異なっていてもよく、配線形状が異なっていてもよく、配線位置が異なっていてもよく、配線位置にズレやズラシがあってもよく、配線本数が異なっていてもよい。
[0625]
<10.パッドとの接続構成例>
 次に、図92乃至図108を参照して、導体層AおよびBとパッドとの関係について説明する。
[0626]
 図92は、基板上に形成された導体層Aの全体を示す平面図である。
[0627]
 導体層A(配線層165A)は、上述したように、主導体部165Aaと引出し導体部165Abとで構成される。
[0628]
 導体層Aとは別にパッドが設けられる場合、図92のAに示されるように、引出し導体部165Abは、パッド1001に近い位置に設けられ、主導体部165Aaとパッド1001とを接続する。一方、図92のBに示されるように、引出し導体部165Abがパッド1001を構成する場合もある。
[0629]
 主導体部165Aaは、基板1000の主要な領域、例えば、基板中央領域に、引出し導体部165Abよりも広い面積で形成され、主導体部165Aaの領域内またはその領域面に垂直なZ方向の他層に形成されているMOMSトランジスタやダイオード等の能動素子を遮光する。
[0630]
 なお、図92は、導体層Aの配置および形状の一例を示すものであり、導体層Aの配置および形状は、この例に限られない。したがって、主導体部165Aa、引出し導体部165Ab、および、パッド1001が形成される基板1000内の位置および面積は任意であり、主導体部165Aaおよび引出し導体部165Abの領域内またはその領域面に垂直なZ方向の他層に能動素子が形成されていなくてもよい。引出し導体部165Abは、パッド1001に近い位置に設けられていなくてもよい。また、主導体部165Aaに対する引出し導体部165Abおよびパッド1001の配置は、図92のように、主導体部165Aaの四辺のX方向側の辺でなく、Y方向側の辺でもよいし、X方向側およびY方向側の両方の辺でもよい。さらに、パッド1001の個数も、図92のように、各辺に2個ではなく、1個または3個以上でもよい。
[0631]
 図92は、導体層A(配線層165A)の例を示したが、導体層B(配線層165B)についても同様である。
[0632]
 このような構成とすることにより、配線のレイアウト制約を満たす、配線レイアウトの設計の自由度をさらに改善する、誘導性ノイズをさらに改善する、電圧降下をさらに改善する、などのいずれかの効果を奏することができる。
[0633]
 図92では、パッド1001が、例えば、プラス電源に接続される電極(Vdd電極)であるか、GNDやマイナス電源に接続される電極(Vss電極)であるかは特に区別しなかったが、これらを区別した場合のパッド1001の配置について、以下説明する。
[0634]
 <パッドの第4の配置例>
 図93は、パッドの第4の配置例を示している。
[0635]
 図93のAは、導体層A(配線層165A)と、それに接続されるパッド1001sの配置例を示す平面図である。
[0636]
 図93のBは、導体層B(配線層165B)と、それに接続されるパッド1001dの配置例を示す平面図である。
[0637]
 図93のCは、図93のAとBにそれぞれ示した導体層AおよびBと、パッド1001sおよびパッド1001dを積層した状態の平面図である。
[0638]
 図93において、パッド1001sは、例えばGNDやマイナス電源(Vss)が供給されるパッド1001を表し、パッド1001dは、例えばプラス電源(Vdd)が供給されるパッド1001を表す。
[0639]
 図93のAに示されるように、矩形形状の主導体部165Aaの所定の一辺に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1011を介して、複数のパッド1001sが所定の間隔で接続されている。各パッド1001sは、例えば、図89に示した第27の構成例のように引出し導体部165Abで構成してもよいし、導体1011が引出し導体部165Abで構成されてもよい。また、パッド1001sが引出し導体部165Abである場合、導体1011は省略されてもよいし、あってもよい。
[0640]
 図93のBに示されるように、矩形形状の主導体部165Baの所定の一辺であって、導体層Aにおいてパッド1001sが配置された辺と同じ辺に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1012を介して、複数のパッド1001dが所定の間隔で接続されている。各パッド1001dは、例えば、図89に示した第27の構成例のように引出し導体部165Bbで構成してもよいし、導体1012が引出し導体部165Bbで構成されてもよい。また、パッド1001dが引出し導体部165Bbである場合、導体1012は省略されてもよいし、あってもよい。
[0641]
 図93のCに示されるように、導体層AとBが積層された状態では、パッド1001sおよびパッド1001dの配置は、それらをY方向に交互に配置した交互配置となっている。この場合、図42乃至図44を参照して説明したように、導体層A及びBのそれぞれから生じる磁界とそれに基づく誘導起電力を効果的に相殺することができるので、誘導性ノイズをさらに改善することができる。ただし、Y方向に対して対称配置ではないため、広範囲にパッド1001が配置される場合には、つまり、主導体部165Aa若しくは165Ba、引出し導体部165Ab若しくは165Bb、または、導体1011若しくは1012が、パッド1001の配列方向へ長い場合(図93ではX方向よりもY方向が長い場合)には、相殺しきれない磁界が存在し、Victim導体ループが大きくなるにつれて蓄積されて誘導起電力が増大して、誘導性ノイズが悪化する場合もあり得る。
[0642]
 <パッドの第5の配置例>
 図94は、パッドの第5の配置例を示している。
[0643]
 図94のAは、導体層A(配線層165A)と、それに接続されるパッド1001sの配置例を示す平面図である。
[0644]
 図94のBは、導体層B(配線層165B)と、それに接続されるパッド1001dの配置例を示す平面図である。
[0645]
 図94のCは、図94のAとBにそれぞれ示した導体層AおよびBと、パッド1001sおよびパッド1001dを積層した状態の平面図である。
[0646]
 図94において、パッド1001sは、例えばGNDやマイナス電源が供給されるパッド1001を表し、パッド1001dは、例えばプラス電源が供給されるパッド1001を表す。
[0647]
 図94のAに示されるように、矩形形状の主導体部165Aaの所定の一辺に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1011を介して、複数のパッド1001sが所定の間隔で接続されている。各パッド1001sは、引出し導体部165Abで構成してもよいし、導体1011が引出し導体部165Abで構成されてもよい。また、パッド1001sが引出し導体部165Abである場合、導体1011は省略されてもよいし、あってもよい。
[0648]
 図94のBに示されるように、矩形形状の主導体部165Baの所定の一辺であって、導体層Aにおいてパッド1001sが配置された辺と同じ辺に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1012を介して、複数のパッド1001dが所定の間隔で接続されている。各パッド1001dは、引出し導体部165Bbで構成してもよいし、導体1012が引出し導体部165Bbで構成されてもよい。また、パッド1001dが引出し導体部165Bbである場合、導体1012は省略されてもよいし、あってもよい。
[0649]
 図94のCに示されるように、導体層AとBが積層された状態では、パッド1001sおよびパッド1001dの配置は、Y方向に連続する4個のパッド1001sおよびパッド1001dを1組として、1組のパッド1001をY方向に折り返して順次配置した鏡面対称配置となっている。この場合、図93に示した交互配置と比較して、導体層A及びBのそれぞれから生じる磁界とそれに基づく誘導起電力をさらに効果的に相殺することができるので、パッド以外のレイアウト次第では誘導性ノイズをさらに改善することができる。
[0650]
 <パッドの第6の配置例>
 図95は、パッドの第6の配置例を示している。
[0651]
 図95のAは、導体層A(配線層165A)と、それに接続されるパッド1001sの配置例を示す平面図である。
[0652]
 図95のBは、導体層B(配線層165B)と、それに接続されるパッド1001dの配置例を示す平面図である。
[0653]
 図95のCは、図95のAとBにそれぞれ示した導体層AおよびBと、パッド1001sおよびパッド1001dを積層した状態の平面図である。
[0654]
 図95において、パッド1001sは、例えばGNDやマイナス電源が供給されるパッド1001を表し、パッド1001dは、例えばプラス電源が供給されるパッド1001を表す。
[0655]
 図95のAに示されるように、矩形形状の主導体部165Aaの所定の一辺に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1011を介して、複数のパッド1001sが所定の間隔で接続されている。各パッド1001sは、引出し導体部165Abで構成してもよいし、導体1011が引出し導体部165Abで構成されてもよい。また、パッド1001sが引出し導体部165Abである場合、導体1011は省略されてもよいし、あってもよい。
[0656]
 図95のBに示されるように、矩形形状の主導体部165Baの所定の一辺であって、導体層Aにおいてパッド1001sが配置された辺と同じ辺に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1012を介して、複数のパッド1001dが所定の間隔で接続されている。各パッド1001dは、引出し導体部165Bbで構成してもよいし、導体1012が引出し導体部165Bbで構成されてもよい。また、パッド1001dが引出し導体部165Bbである場合、導体1012は省略されてもよいし、あってもよい。
[0657]
 図95のCに示されるように、導体層AとBが積層された状態では、パッド1001sおよびパッド1001dの配置は、Y方向に連続する4個のパッド1001sおよびパッド1001dを1組として、1組のパッド1001をY方向に折り返して順次配置した鏡面対称配置となっている。さらに、1組を構成する4個のパッド1001sおよびパッド1001dも、Y方向の中心線を基準に片方の2個のパッド1001をY方向に折り返して配置した鏡面対称配置となっている。このような鏡面配置の2段構成とした場合、図94に示した1段構成の鏡面配置と比較して、残存磁界の蓄積される範囲が狭いので、誘導起電力がさらに効果的に相殺され、パッド以外のレイアウト次第では誘導性ノイズをさらに改善することができる。
[0658]
 <パッドの第7の配置例>
 図96は、パッドの第7の配置例を示している。
[0659]
 図96のAは、導体層A(配線層165A)と、それに接続されるパッド1001sの配置例を示す平面図である。
[0660]
 図96のBは、導体層B(配線層165B)と、それに接続されるパッド1001dの配置例を示す平面図である。
[0661]
 図96のCは、図96のAとBにそれぞれ示した導体層AおよびBと、パッド1001sおよびパッド1001dを積層した状態の平面図である。
[0662]
 図96において、パッド1001sは、例えばGNDやマイナス電源が供給されるパッド1001を表し、パッド1001dは、例えばプラス電源が供給されるパッド1001を表す。
[0663]
 図96のAに示されるように、矩形形状の主導体部165Aaの所定の一辺に、複数の引出し導体部165Abが接続され、各引出し導体部165Abの外周部に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1011を介して、複数のパッド1001sが所定の間隔で接続されている。導体1011は省略されてもよいし、あってもよい。また、導体1011は、主導体部165Aaと引出し導体部165Abとの間にあってもよい。
[0664]
 図96のBに示されるように、矩形形状の主導体部165Baの所定の一辺に、複数の引出し導体部165Bbが接続され、各引出し導体部165Bbの外周部に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1012を介して、複数のパッド1001dが所定の間隔で接続されている。導体1012は省略されてもよいし、あってもよい。また、導体1012は、主導体部165Baと引出し導体部165Bbとの間にあってもよい。
[0665]
 図96のCに示されるように、導体層AとBが積層された状態では、パッド1001sおよびパッド1001dの配置は、それらをY方向に交互に配置された交互配置となっている。この場合、導体層A及びBのそれぞれから生じる磁界とそれに基づく誘導起電力を効果的に相殺することができるので、誘導性ノイズをさらに改善することができる。ただし、Y方向に対して対称配置ではないため、広範囲にパッド1001が配置される場合には、つまり、主導体部165Aa若しくは165Ba、引出し導体部165Ab若しくは165Bb、または、導体1011若しくは1012が、パッド1001の配列方向へ長い場合(図96ではX方向よりもY方向が長い場合)には、相殺しきれない磁界が存在し、Victim導体ループが大きくなるにつれて蓄積されて誘導起電力が増大して、誘導性ノイズが悪化する場合もあり得る。
[0666]
 <パッドの第8の配置例>
 図97は、パッドの第8の配置例を示している。
[0667]
 図97のAは、導体層A(配線層165A)と、それに接続されるパッド1001sの配置例を示す平面図である。
[0668]
 図97のBは、導体層B(配線層165B)と、それに接続されるパッド1001dの配置例を示す平面図である。
[0669]
 図97のCは、図97のAとBにそれぞれ示した導体層AおよびBと、パッド1001sおよびパッド1001dを積層した状態の平面図である。
[0670]
 図97において、パッド1001sは、例えばGNDやマイナス電源が供給されるパッド1001を表し、パッド1001dは、例えばプラス電源が供給されるパッド1001を表す。
[0671]
 図97のAに示されるように、矩形形状の主導体部165Aaの所定の一辺に、複数の引出し導体部165Abが接続され、各引出し導体部165Abの外周部に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1011を介して、複数のパッド1001sが所定の間隔で接続されている。導体1011は省略されてもよいし、あってもよい。また、導体1011は、主導体部165Aaと引出し導体部165Abとの間にあってもよい。
[0672]
 図97のBに示されるように、矩形形状の主導体部165Baの所定の一辺に、複数の引出し導体部165Bbが接続され、各引出し導体部165Bbの外周部に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1012を介して、複数のパッド1001dが所定の間隔で接続されている。導体1012は省略されてもよいし、あってもよい。また、導体1012は、主導体部165Baと引出し導体部165Bbとの間にあってもよい。
[0673]
 図97のCに示されるように、導体層AとBが積層された状態では、パッド1001sおよびパッド1001dの配置は、Y方向に連続する4個のパッド1001sおよびパッド1001dを1組として、1組のパッド1001をY方向に折り返して順次配置した鏡面対称配置となっている。この場合、図96に示した交互配置と比較して、導体層A及びBのそれぞれから生じる磁界とそれに基づく誘導起電力をさらに効果的に相殺することができるので、パッド以外のレイアウト次第では誘導性ノイズをさらに改善することができる。
[0674]
 <パッドの第9の配置例>
 図98は、パッドの第9の配置例を示している。
[0675]
 図98のAは、導体層A(配線層165A)と、それに接続されるパッド1001sの配置例を示す平面図である。
[0676]
 図98のBは、導体層B(配線層165B)と、それに接続されるパッド1001dの配置例を示す平面図である。
[0677]
 図98のCは、図98のAとBにそれぞれ示した導体層AおよびBと、パッド1001sおよびパッド1001dを積層した状態の平面図である。
[0678]
 図98において、パッド1001sは、例えばGNDやマイナス電源が供給されるパッド1001を表し、パッド1001dは、例えばプラス電源が供給されるパッド1001を表す。
[0679]
 図98のAに示されるように、矩形形状の主導体部165Aaの所定の一辺に、複数の引出し導体部165Abが接続され、各引出し導体部165Abの外周部に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1011を介して、複数のパッド1001sが所定の間隔で接続されている。導体1011は省略されてもよいし、あってもよい。また、導体1011は、主導体部165Aaと引出し導体部165Abとの間にあってもよい。
[0680]
 図98のBに示されるように、矩形形状の主導体部165Baの所定の一辺に、複数の引出し導体部165Bbが接続され、各引出し導体部165Bbの外周部に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1012を介して、複数のパッド1001dが所定の間隔で接続されている。導体1012は省略されてもよいし、あってもよい。また、導体1012は、主導体部165Baと引出し導体部165Bbとの間にあってもよい。
[0681]
 図98のCに示されるように、導体層AとBが積層された状態では、パッド1001sおよびパッド1001dの配置は、Y方向に連続する4個のパッド1001sおよびパッド1001dを1組として、1組のパッド1001をY方向に折り返して順次配置した鏡面対称配置となっている。さらに、1組を構成する4個のパッド1001sおよびパッド1001dも、Y方向の中心線を基準に片方の2個のパッド1001をY方向に折り返して配置した鏡面対称配置となっている。このような鏡面配置の2段構成とした場合、図97に示した1段構成の鏡面配置と比較して、残存磁界の蓄積される範囲が狭いので、誘導起電力がさらに効果的に相殺され、パッド以外のレイアウト次第では誘導性ノイズをさらに改善することができる。
[0682]
 <パッドの第10の配置例>
 図99は、パッドの第10の配置例を示している。
[0683]
 図99のAは、導体層A(配線層165A)と、それに接続されるパッド1001sの配置例を示す平面図である。
[0684]
 図99のBは、導体層B(配線層165B)と、それに接続されるパッド1001dの配置例を示す平面図である。
[0685]
 図99のCは、図99のAとBにそれぞれ示した導体層AおよびBと、パッド1001sおよびパッド1001dを積層した状態の平面図である。
[0686]
 図99において、パッド1001sは、例えばGNDやマイナス電源が供給されるパッド1001を表し、パッド1001dは、例えばプラス電源が供給されるパッド1001を表す。
[0687]
 図99のAに示されるように、矩形形状の主導体部165Aaの所定の一辺に、複数の引出し導体部165Abが接続され、各引出し導体部165Abの外周部に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1011を介して、1つのパッド1001sが接続されている。導体1011は省略されてもよいし、あってもよい。また、導体1011は、主導体部165Aaと引出し導体部165Abとの間にあってもよい。
[0688]
 図99のBに示されるように、矩形形状の主導体部165Baの所定の一辺に、複数の引出し導体部165Bbが接続され、各引出し導体部165Bbの外周部に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1012を介して、1つのパッド1001dが接続されている。導体1012は省略されてもよいし、あってもよい。また、導体1012は、主導体部165Baと引出し導体部165Bbとの間にあってもよい。
[0689]
 図99のCに示されるように、導体層AとBが積層された状態では、パッド1001sおよびパッド1001dの配置は、それらをY方向に交互に配置した交互配置となっている。この場合、導体層A及びBのそれぞれから生じる磁界とそれに基づく誘導起電力を効果的に相殺することができるので、誘導性ノイズをさらに改善することができる。ただし、Y方向に対して対称配置ではないため、広範囲にパッド1001が配置される場合には、つまり、主導体部165Aa若しくは165Ba、引出し導体部165Ab若しくは165Bb、または、導体1011若しくは1012が、パッド1001の配列方向へ長い場合(図99ではX方向よりもY方向が長い場合)には、相殺しきれない磁界が存在し、Victim導体ループが大きくなるにつれて蓄積されて誘導起電力が増大して、誘導性ノイズが悪化する場合もあり得る。
[0690]
 <パッドの第11の配置例>
 図100は、パッドの第11の配置例を示している。
[0691]
 図100のAは、導体層A(配線層165A)と、それに接続されるパッド1001sの配置例を示す平面図である。
[0692]
 図100のBは、導体層B(配線層165B)と、それに接続されるパッド1001dの配置例を示す平面図である。
[0693]
 図100のCは、図100のAとBにそれぞれ示した導体層AおよびBと、パッド1001sおよびパッド1001dを積層した状態の平面図である。
[0694]
 図100において、パッド1001sは、例えばGNDやマイナス電源が供給されるパッド1001を表し、パッド1001dは、例えばプラス電源が供給されるパッド1001を表す。
[0695]
 図100のAに示されるように、矩形形状の主導体部165Aaの所定の一辺に、複数の引出し導体部165Abが接続され、各引出し導体部165Abの外周部に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1011を介して、1つのパッド1001sが接続されている。導体1011は省略されてもよいし、あってもよい。また、導体1011は、主導体部165Aaと引出し導体部165Abとの間にあってもよい。
[0696]
 図100のBに示されるように、矩形形状の主導体部165Baの所定の一辺に、複数の引出し導体部165Bbが接続され、各引出し導体部165Bbの外周部に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1012を介して、1つのパッド1001dが接続されている。導体1012は省略されてもよいし、あってもよい。また、導体1012は、主導体部165Baと引出し導体部165Bbとの間にあってもよい。
[0697]
 図100のCに示されるように、導体層AとBが積層された状態では、パッド1001sおよびパッド1001dの配置は、Y方向に連続する4個のパッド1001sおよびパッド1001dを1組として、1組のパッド1001をY方向に折り返して順次配置した鏡面対称配置となっている。この場合、図99に示した交互配置と比較して、導体層A及びBのそれぞれから生じる磁界とそれに基づく誘導起電力をさらに効果的に相殺することができるので、パッド以外のレイアウト次第では誘導性ノイズをさらに改善することができる。
[0698]
 <パッドの第12の配置例>
 図101は、パッドの第12の配置例を示している。
[0699]
 図101のAは、導体層A(配線層165A)と、それに接続されるパッド1001sの配置例を示す平面図である。
[0700]
 図101のBは、導体層B(配線層165B)と、それに接続されるパッド1001dの配置例を示す平面図である。
[0701]
 図101のCは、図101のAとBにそれぞれ示した導体層AおよびBと、パッド1001sおよびパッド1001dを積層した状態の平面図である。
[0702]
 図101において、パッド1001sは、例えばGNDやマイナス電源が供給されるパッド1001を表し、パッド1001dは、例えばプラス電源が供給されるパッド1001を表す。
[0703]
 図101のAに示されるように、矩形形状の主導体部165Aaの所定の一辺に、複数の引出し導体部165Abが接続され、各引出し導体部165Abの外周部に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1011を介して、1つのパッド1001sが接続されている。導体1011は省略されてもよいし、あってもよい。また、導体1011は、主導体部165Aaと引出し導体部165Abとの間にあってもよい。
[0704]
 図101のBに示されるように、矩形形状の主導体部165Baの所定の一辺に、複数の引出し導体部165Bbが接続され、各引出し導体部165Bbの外周部に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1012を介して、1つのパッド1001dが接続されている。導体1012は省略されてもよいし、あってもよい。また、導体1012は、主導体部165Baと引出し導体部165Bbとの間にあってもよい。
[0705]
 図101のCに示されるように、導体層AとBが積層された状態では、パッド1001sおよびパッド1001dの配置は、Y方向に連続する4個のパッド1001sおよびパッド1001dを1組として、1組のパッド1001をY方向に折り返して順次配置した鏡面対称配置となっている。さらに、1組を構成する4個のパッド1001sおよびパッド1001dも、Y方向の中心線を基準に片方の2個のパッド1001をY方向に折り返して配置した鏡面対称配置となっている。このような鏡面配置の2段構成とした場合、図100に示した1段構成の鏡面配置と比較して、残存磁界の蓄積される範囲が狭いので、誘導起電力がさらに効果的に相殺され、パッド以外のレイアウト次第では誘導性ノイズをさらに改善することができる。
[0706]
 <パッドの第13の配置例>
 図102は、パッドの第13の配置例を示している。
[0707]
 図102のAは、導体層A(配線層165A)と、それに接続されるパッド1001sの配置例を示す平面図である。
[0708]
 図102のBは、導体層B(配線層165B)と、それに接続されるパッド1001dの配置例を示す平面図である。
[0709]
 図102のCは、図102のAとBにそれぞれ示した導体層AおよびBと、パッド1001sおよびパッド1001dを積層した状態の平面図である。
[0710]
 図102において、パッド1001sは、例えばGNDやマイナス電源が供給されるパッド1001を表し、パッド1001dは、例えばプラス電源が供給されるパッド1001を表す。
[0711]
 図102のAに示されるように、矩形形状の主導体部165Aaの所定の一辺に、複数の引出し導体部165Abが接続され、各引出し導体部165Abの外周部に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1011が接続されている。また、複数の引出し導体部165Abの一部には、導体1011を介して、1つのパッド1001sが接続されている。導体1011は省略されてもよいし、あってもよい。また、導体1011は、主導体部165Aaと引出し導体部165Abとの間にあってもよい。
[0712]
 図102のBに示されるように、矩形形状の主導体部165Baの所定の一辺に、複数の引出し導体部165Bbが接続され、各引出し導体部165Bbの外周部に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1012が接続されている。また、複数の引出し導体部165Bbの一部には、導体1012を介して、1つのパッド1001dが配置されている。導体1012は省略されてもよいし、あってもよい。また、導体1012は、主導体部165Baと引出し導体部165Bbとの間にあってもよい。
[0713]
 図102のCに示されるように、導体層AとBが積層された状態では、パッド1001sおよびパッド1001dの配置は、それらをY方向に交互に配置した交互配置となっている。この場合、導体層A及びBのそれぞれから生じる磁界とそれに基づく誘導起電力を効果的に相殺することができるので、誘導性ノイズをさらに改善することができる。ただし、Y方向に対して対称配置ではないため、広範囲にパッド1001が配置される場合には、つまり、主導体部165Aa若しくは165Ba、引出し導体部165Ab若しくは165Bb、または、導体1011若しくは1012が、パッド1001の配列方向へ長い場合(図102ではX方向よりもY方向が長い場合)には、相殺しきれない磁界が存在し、Victim導体ループが大きくなるにつれて蓄積されて誘導起電力が増大して、誘導性ノイズが悪化する場合もあり得る。
[0714]
 <パッドの第14の配置例>
 図103は、パッドの第14の配置例を示している。
[0715]
 図103のAは、導体層A(配線層165A)と、それに接続されるパッド1001sの配置例を示す平面図である。
[0716]
 図103のBは、導体層B(配線層165B)と、それに接続されるパッド1001dの配置例を示す平面図である。
[0717]
 図103のCは、図103のAとBにそれぞれ示した導体層AおよびBと、パッド1001sおよびパッド1001dを積層した状態の平面図である。
[0718]
 図103において、パッド1001sは、例えばGNDやマイナス電源が供給されるパッド1001を表し、パッド1001dは、例えばプラス電源が供給されるパッド1001を表す。
[0719]
 図103のAに示されるように、矩形形状の主導体部165Aaの所定の一辺に、複数の引出し導体部165Abが接続され、各引出し導体部165Abの外周部に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1011が接続されている。また、複数の引出し導体部165Abの一部には、導体1011を介して、1つのパッド1001sが接続されている。導体1011は省略されてもよいし、あってもよい。また、導体1011は、主導体部165Aaと引出し導体部165Abとの間にあってもよい。
[0720]
 図103のBに示されるように、矩形形状の主導体部165Baの所定の一辺に、複数の引出し導体部165Bbが接続され、各引出し導体部165Bbの外周部に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1012が接続されている。また、複数の引出し導体部165Bbの一部には、導体1012を介して、1つのパッド1001dが配置されている。導体1012は省略されてもよいし、あってもよい。また、導体1012は、主導体部165Baと引出し導体部165Bbとの間にあってもよい。
[0721]
 図103のCに示されるように、導体層AとBが積層された状態では、パッド1001sおよびパッド1001dの配置は、Y方向に連続する4個のパッド1001sおよびパッド1001dを1組として、1組のパッド1001をY方向に折り返して順次配置した鏡面対称配置となっている。この場合、図102に示した交互配置と比較して、導体層A及びBのそれぞれから生じる磁界とそれに基づく誘導起電力をさらに効果的に相殺することができるので、パッド以外のレイアウト次第では誘導性ノイズをさらに改善することができる。
[0722]
 <パッドの第15の配置例>
 図104は、パッドの第15の配置例を示している。
[0723]
 図104のAは、導体層A(配線層165A)と、それに接続されるパッド1001sの配置例を示す平面図である。
[0724]
 図104のBは、導体層B(配線層165B)と、それに接続されるパッド1001dの配置例を示す平面図である。
[0725]
 図104のCは、図104のAとBにそれぞれ示した導体層AおよびBと、パッド1001sおよびパッド1001dを積層した状態の平面図である。
[0726]
 図104において、パッド1001sは、例えばGNDやマイナス電源が供給されるパッド1001を表し、パッド1001dは、例えばプラス電源が供給されるパッド1001を表す。
[0727]
 図104のAに示されるように、矩形形状の主導体部165Aaの所定の一辺に、複数の引出し導体部165Abが接続され、各引出し導体部165Abの外周部に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1011が接続されている。また、複数の引出し導体部165Abの一部には、導体1011を介して、1つのパッド1001sが接続されている。導体1011は省略されてもよいし、あってもよい。また、導体1011は、主導体部165Aaと引出し導体部165Abとの間にあってもよい。
[0728]
 図104のBに示されるように、矩形形状の主導体部165Baの所定の一辺に、複数の引出し導体部165Bbが接続され、各引出し導体部165Bbの外周部に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1012が接続されている。また、複数の引出し導体部165Bbの一部には、導体1012を介して、1つのパッド1001dが配置されている。導体1012は省略されてもよいし、あってもよい。また、導体1012は、主導体部165Baと引出し導体部165Bbとの間にあってもよい。
[0729]
 図104のCに示されるように、導体層AとBが積層された状態では、パッド1001sおよびパッド1001dの配置は、Y方向に連続する4個のパッド1001sおよびパッド1001dを1組として、1組のパッド1001をY方向に折り返して順次配置した鏡面対称配置となっている。さらに、1組を構成する4個のパッド1001sおよびパッド1001dも、Y方向の中心線を基準に片方の2個のパッド1001をY方向に折り返して配置した鏡面対称配置となっている。このような鏡面配置の2段構成とした場合、図103に示した1段構成の鏡面配置と比較して、残存磁界の蓄積される範囲が狭いので、誘導起電力がさらに効果的に相殺され、パッド以外のレイアウト次第では誘導性ノイズをさらに改善することができる。
[0730]
 図93乃至図104を参照して説明したパッドの配置例では、導体層AおよびBの主導体部165aの所定の一辺に接続されるパッド総数が8個であって、Y方向に連続する8個のパッド1001の配列を、交互配置、1段構成の鏡面配置、および、2段構成の鏡面配置とした例を説明したが、8個以外のパッド総数で、交互配置、1段構成の鏡面配置、および、2段構成の鏡面配置としてもよい。交互配置または鏡面配置とする1組のパッド数も、上述した2個や4個に限らず、任意である。
[0731]
 また、1つの引出し導体部165bに接続されるパッドの個数も、図93乃至図104に示した1個または2個の例に限らず、3個以上でもよい。
[0732]
 さらに、図93乃至図104では、簡単のため、矩形形状の導体層AおよびBの主導体部165aの所定の一辺のみ複数のパッド1001が接続される例を示したが、図93乃至図104に示した辺以外の一辺でもよいし、任意の二辺、三辺、または、四辺でもよい。
[0733]
 パッド総数が8の場合を例に説明したが、この限りではない。パッド数を増やしてもよく、パッド数を減らしてもよい。
[0734]
 パッド配置例として示した各構成要素は、その一部または全部が省略されていてもよく、その一部または全部が変化していてもよく、その一部または全部が変更されていてもよく、その一部または全部が他の構成要素で置き換えられていてもよく、その一部または全部に他の構成要素が追加されていてもよい。また、パッド配置例として示した各構成要素はその一部または全部が複数に分割されていてもよく、その一部または全部が複数に分離されていてもよく、分割または分離された複数の構成要素の少なくとも一部で機能や特徴を異ならせていてもよい。さらに、パッド配置例として示した各構成要素の少なくとも一部を任意に組み合わせて、異なるパッド配置としてもよい。さらに、パッド配置例として示した各構成要素の少なくとも一部を移動させて、異なるパッド配置としてもよい。さらに、パッド配置例として示した各構成要素の少なくとも一部の組み合わせに結合要素や中継要素を加えて、異なるパッド配置としてもよい。さらに、パッド配置例として示した各構成要素の少なくとも一部の組み合わせに切り替え要素や切り替え機能を加えて、異なるパッド配置としてもよい。
[0735]
 <パッドの第16の配置例>
 次に、図105乃至図108を参照して、導体層AおよびBの矩形形状の主導体部165aの隣接する二辺に複数のパッド1001を配置する場合の直交パッド配置例について説明する。
[0736]
 図105は、パッドの第16の配置例を示している。
[0737]
 図105のAは、導体層A(配線層165A)と、それに接続されるパッド1001sの配置例を示す平面図である。
[0738]
 図105のBは、導体層B(配線層165B)と、それに接続されるパッド1001dの配置例を示す平面図である。
[0739]
 図105のCは、図105のAとBにそれぞれ示した導体層AおよびBと、パッド1001sおよびパッド1001dを積層した状態の平面図である。
[0740]
 図105において、パッド1001sは、例えばGNDやマイナス電源が供給されるパッド1001を表し、パッド1001dは、例えばプラス電源が供給されるパッド1001を表す。
[0741]
 図105のAに示されるように、矩形形状の主導体部165Aaの隣接する二辺に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1011を介して、複数のパッド1001sが所定の間隔で接続されている。各パッド1001sは、引出し導体部165Abで構成してもよいし、導体1011が引出し導体部165Abで構成されてもよい。また、パッド1001sが引出し導体部165Abである場合、導体1011は省略されてもよいし、あってもよい。
[0742]
 図105のBに示されるように、矩形形状の主導体部165Baの隣接する二辺に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1012を介して、複数のパッド1001dが所定の間隔で接続されている。各パッド1001dは、引出し導体部165Bbで構成してもよいし、導体1012が引出し導体部165Bbで構成されてもよい。また、パッド1001dが引出し導体部165Bbである場合、導体1012は省略されてもよいし、あってもよい。
[0743]
 図105のCに示されるように、導体層AとBが積層された状態では、パッド1001sおよびパッド1001dの配置は、矩形形状の主導体部165aの隣接する二辺に、パッド1001sおよびパッド1001dが交互に配置された交互配置となっている。また、交互に配置された二辺のパッド1001sおよびパッド1001dのうち、各辺の端部のパッド1001の極性は、いずれも、GNDやマイナス電源に接続されるパッド1001sとなっている。このように、パッド1001sおよびパッド1001dを交互に配置した二辺の複数のパッド1001のうち、基板1000の角部に最も近い端部のパッド1001の極性を同相とし、かつ、ESD(electrostatic discharge)耐性が高い方の極性であるパッド1001sとすることにより、ESD耐性を高めることができる。
[0744]
 なお、ESD耐性を考慮すると、パッド1001sおよびパッド1001dを交互に配置した二辺の端部のパッド1001の極性を、例えばGNDやマイナス電源に接続されるパッド1001sとすることが好ましいが、例えばプラス電源に接続されるパッド1001dとしてもよい。
[0745]
 <パッドの第17の配置例>
 図106は、パッドの第17の配置例を示している。
[0746]
 図106のAは、導体層A(配線層165A)と、それに接続されるパッド1001sの配置例を示す平面図である。
[0747]
 図106のBは、導体層B(配線層165B)と、それに接続されるパッド1001dの配置例を示す平面図である。
[0748]
 図106のCは、図106のAとBにそれぞれ示した導体層AおよびBと、パッド1001sおよびパッド1001dを積層した状態の平面図である。
[0749]
 図106において、パッド1001sは、例えばGNDやマイナス電源が供給されるパッド1001を表し、パッド1001dは、例えばプラス電源が供給されるパッド1001を表す。
[0750]
 図106のAに示されるように、矩形形状の主導体部165Aaの隣接する二辺に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1011を介して、複数のパッド1001sが所定の間隔で接続されている。各パッド1001sは、引出し導体部165Abで構成してもよいし、導体1011が引出し導体部165Abで構成されてもよい。また、パッド1001sが引出し導体部165Abである場合、導体1011は省略されてもよいし、あってもよい。
[0751]
 図106のBに示されるように、矩形形状の主導体部165Baの隣接する二辺に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1012を介して、複数のパッド1001dが所定の間隔で接続されている。各パッド1001dは、引出し導体部165Bbで構成してもよいし、導体1012が引出し導体部165Bbで構成されてもよい。また、パッド1001dが引出し導体部165Bbである場合、導体1012は省略されてもよいし、あってもよい。
[0752]
 図106のCに示されるように、導体層AとBが積層された状態では、図95のCに示したパッド配置例と同様に、連続する4個のパッド1001sおよびパッド1001dを1組として、1組のパッド1001をY方向に折り返して順次配置した鏡面対称配置となっている。また、鏡面対称に配置された二辺のパッド1001sおよびパッド1001dのうち、各辺の端部のパッド1001の極性は、いずれも、GNDやマイナスに接続されるパッド1001sとなっている。このように、パッド1001sおよびパッド1001dを鏡面対称に配置した二辺の複数のパッド1001のうち、基板1000の角部に最も近い端部のパッド1001の極性を同相とし、かつ、ESD耐性が高い方の極性であるパッド1001sとすることにより、ESD耐性を高めることができる。また、鏡面対称に配置することにより、Vss配線とVdd配線とでインピーダンス差が小さく、電流差が小さくなるので、図105の第16の配置例よりもさらに、誘導性ノイズを改善することができる。
[0753]
 なお、ESD耐性を考慮すると、パッド1001sおよびパッド1001dを鏡面対称に配置した二辺の端部のパッド1001の極性を、例えばGNDやマイナス電源に接続されるパッド1001sとすることが好ましいが、例えばプラス電源に接続されるパッド1001dとしてもよい。
[0754]
 <パッドの第18の配置例>
 図107は、パッドの第18の配置例を示している。
[0755]
 図107のAは、導体層A(配線層165A)と、それに接続されるパッド1001sの配置例を示す平面図である。
[0756]
 図107のBは、導体層B(配線層165B)と、それに接続されるパッド1001dの配置例を示す平面図である。
[0757]
 図107のCは、図107のAとBにそれぞれ示した導体層AおよびBと、パッド1001sおよびパッド1001dを積層した状態の平面図である。
[0758]
 図107において、パッド1001sは、例えばGNDやマイナス電源が供給されるパッド1001を表し、パッド1001dは、例えばプラス電源が供給されるパッド1001を表す。
[0759]
 図107のAに示されるように、矩形形状の主導体部165Aaの隣接する二辺に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1011を介して、複数のパッド1001sが所定の間隔で接続されている。各パッド1001sは、引出し導体部165Abで構成してもよいし、導体1011が引出し導体部165Abで構成されてもよい。また、パッド1001sが引出し導体部165Abである場合、導体1011は省略されてもよいし、あってもよい。
[0760]
 図107のBに示されるように、矩形形状の主導体部165Baの隣接する二辺に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1012を介して、複数のパッド1001dが所定の間隔で接続されている。各パッド1001dは、引出し導体部165Bbで構成してもよいし、導体1012が引出し導体部165Bbで構成されてもよい。また、パッド1001dが引出し導体部165Bbである場合、導体1012は省略されてもよいし、あってもよい。
[0761]
 図107のCに示されるように、導体層AとBが積層された状態では、パッド1001sおよびパッド1001dの配置は、図105に示したパッド配置例と同様に、パッド1001sおよびパッド1001dが交互に配置された交互配置となっている。ただし、二辺に配置されたパッド1001sおよびパッド1001dのうち、各辺の端部のパッド1001の極性がパッド1001sとパッド1001dの逆相となっている点が、図105に示したパッド配置例と異なる。このように、パッド1001sおよびパッド1001dを交互に配置した二辺の複数のパッド1001のうち、基板1000の角部に最も近い端部のパッド1001の極性を逆相とすることにより、Vss配線とVdd配線とのインピーダンス差をさらに小さくすることができ、電流差がさらに小さくなるので、図106の第17の配置例よりもさらに、誘導性ノイズを改善することができる。
[0762]
 <パッドの第19の配置例>
 図108は、パッドの第19の配置例を示している。
[0763]
 図108のAは、導体層A(配線層165A)と、それに接続されるパッド1001sの配置例を示す平面図である。
[0764]
 図108のBは、導体層B(配線層165B)と、それに接続されるパッド1001dの配置例を示す平面図である。
[0765]
 図108のCは、図108のAとBにそれぞれ示した導体層AおよびBと、パッド1001sおよびパッド1001dを積層した状態の平面図である。
[0766]
 図108において、パッド1001sは、例えばGNDやマイナス電源が供給されるパッド1001を表し、パッド1001dは、例えばプラス電源が供給されるパッド1001を表す。
[0767]
 図108のAに示されるように、矩形形状の主導体部165Aaの隣接する二辺に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1011を介して、複数のパッド1001sが所定の間隔で接続されている。各パッド1001sは、引出し導体部165Abで構成してもよいし、導体1011が引出し導体部165Abで構成されてもよい。また、パッド1001sが引出し導体部165Abである場合、導体1011は省略されてもよいし、あってもよい。
[0768]
 図108のBに示されるように、矩形形状の主導体部165Baの隣接する二辺に、所定の繰り返しパタンを任意で含む形状の導体1012を介して、複数のパッド1001dが所定の間隔で接続されている。各パッド1001dは、引出し導体部165Bbで構成してもよいし、導体1012が引出し導体部165Bbで構成されてもよい。また、パッド1001dが引出し導体部165Bbである場合、導体1012は省略されてもよいし、あってもよい。
[0769]
 図108のCに示されるように、導体層AとBが積層された状態では、パッド1001sおよびパッド1001dの配置は、図106に示したパッド配置例と同様に、パッド1001sおよびパッド1001dが鏡面対称配置となっている。ただし、二辺に配置されたパッド1001sおよびパッド1001dのうち、各辺の端部のパッド1001の極性がパッド1001sとパッド1001dの逆相となっている点が、図106に示したパッド配置例と異なる。このように、パッド1001sおよびパッド1001dを鏡面対称に配置した二辺の複数のパッド1001のうち、基板1000の角部に最も近い端部のパッド1001の極性を逆相とすることにより、Vss配線とVdd配線とのインピーダンス差をさらに小さくすることができ、電流差がさらに小さくなるので、図106の第17の配置例よりもさらに、誘導性ノイズを改善することができる。
[0770]
 図105乃至図108を参照して説明したパッドの第16乃至第19の配置例では、矩形形状の主導体部165aの隣接する二辺に、導体1011または1012を介して、複数のパッド1001が所定の間隔で配置された例について説明したが、パッド1001が配置される辺は、二辺に限らず、三辺または四辺でもよい。
[0771]
 また、図105乃至図108を参照して説明したパッドの第16乃至第19の配置例では、一辺に配置されるパッド1001の形態として、図93の交互配置と、図95の2段構成の鏡面配置を採用した例を示したが、図94の1段構成の鏡面配置を採用し、かつ、角部に最も近い端部のパッド1001の極性を同相または逆相とする形態でもよい。
[0772]
 さらに、図105乃至図108を参照して説明したパッドの第16乃至第19の配置例は、引出し導体部165bが省略された形態であるが、図96乃至図104のように、矩形形状の主導体部165Aaの辺に引出し導体部165bを備えた構成に対して、図93の交互配置、図94の1段構成の鏡面配置、または、図95の2段構成の鏡面配置を採用し、かつ、角部に最も近い端部のパッド1001の極性を同相または逆相とする形態でもよい。
[0773]
 なお、引出し導体部165Abおよび165Bb、並びに、導体1011および1012は、例えば、GNDまたはマイナス電源が、パッド1001sから主導体部165Aaへ供給され、逆極性のプラス電源が、パッド1001dから主導体部165Baへ供給されるように構成することが望ましいが、その限りではない。換言すれば、引出し導体部165Abおよび165Bb、並びに、導体1011および1012は、パッド1001から供給される、例えばGNDまたはマイナス電源と逆極性のプラス電源とが完全短絡しないように構成することが望ましいが、その限りではない。なお、図92乃至図108の少なくとも一部では、複数のパッド1001sを配置する例、複数のパッド1001dを配置する例、複数の導体1011を配置する例、複数の導体1012を配置する例、複数の引出し導体部165Abを配置する例、複数の引出し導体部165Bbを配置する例、などを示したが、それぞれの図において、全てのパッド1001sが同一であってもよいし、全てのパッド1001sが同一ではなくてもよいし、全てのパッド1001dが同一であってもよいし、全てのパッド1001dが同一ではなくてもよいし、全ての導体1011が同一であってもよいし、全ての導体1011が同一ではなくてもよいし、全ての導体1012が同一であってもよいし、全ての導体1012が同一ではなくてもよいし、全ての引出し導体部165Abが同一であってもよいし、全ての引出し導体部165Abが同一ではなくてもよいし、全ての引出し導体部165Bbが同一であってもよいし、全ての引出し導体部165Bbが同一ではなくてもよい。なお、基板1000において主導体部165aへ直接的または間接的に接続されるパッド1001sの総数とパッド1001dの総数とが同数または略同数であること、基板1000の所定の隣接する二辺において主導体部165aへ直接的または間接的に接続されるパッド1001sの総数とパッド1001dの総数とが同数または略同数であること、基板1000の所定の対向する二辺において主導体部165aへ直接的または間接的に接続されるパッド1001sの総数とパッド1001dの総数とが同数または略同数であること、基板1000の所定の一辺において主導体部165aへ直接的または間接的に接続されるパッド1001sの総数とパッド1001dの総数とが同数または略同数であること、基板1000の所定の隣接する二辺において少なくとも2つの引出し導体部165bへ直接的または間接的に接続されるパッド1001sの総数とパッド1001dの総数とが同数または略同数であること、基板1000の所定の対向する二辺において少なくとも2つの引出し導体部165bへ直接的または間接的に接続されるパッド1001sの総数とパッド1001dの総数とが同数または略同数であること、基板1000の所定の一辺において少なくとも1つの引出し導体部165bへ直接的または間接的に接続されるパッド1001sの総数とパッド1001dの総数とが同数または略同数であること、基板1000の所定の隣接する二辺において少なくとも2組の導体1011および1012へ直接的または間接的に接続されるパッド1001sの総数とパッド1001dの総数とが同数または略同数であること、基板1000の所定の対向する二辺において少なくとも2組の導体1011および1012へ直接的または間接的に接続されるパッド1001sの総数とパッド1001dの総数とが同数または略同数であること、基板1000の所定の一辺において少なくとも1組の導体1011および1012へ直接的または間接的に接続されるパッド1001sの総数とパッド1001dの総数とが同数または略同数であること、のうちの少なくとも何れかを満たすことが望ましいが、その限りではない。例えば、上記のパッド1001sの総数とパッド1001dの総数とが同数ではなくてもよいし、上記のパッド1001sの総数とパッド1001dの総数とが略同数ではなくてもよい。
[0774]
 <Victim導体ループとAggressor導体ループの基板配置例>
 図109は、Victim導体ループとAggressor導体ループの基板配置例を示している。
[0775]
 図109のAは、上述してきたVictim導体ループとAggressor導体ループの基板配置例を模式的に示した断面図である。
[0776]
 上述した各構成例においては、図109のAに示されるように、Victim導体ループ1101が第1の半導体基板101に含まれ、Aggressor導体ループ1102Aおよび1102Bが第2の半導体基板102に含まれ、かつ、第1の半導体基板101と第2の半導体基板102が積層された構造について説明した。
[0777]
 しかしながら、第1の半導体基板101と第2の半導体基板102とを積層せず、図109のBのように、第1の半導体基板101と第2の半導体基板102が隣接して配置された構造、または、図109のCのように、第1の半導体基板101と第2の半導体基板102が所定の間隔を開けて、同一平面に配置された構造でもよい。
[0778]
 さらに、Victim導体ループとAggressor導体ループの基板配置は、図110のA乃至Iに示されるような各種の配置構成を採用することができる。
[0779]
 図110のAは、Victim導体ループ1101が第1の半導体基板101に含まれ、Aggressor導体ループ1102Aおよび1102Bが第2の半導体基板102に含まれて、かつ、第1の半導体基板101と第2の半導体基板102の間に、第3の半導体基板103が挿入されて、第1の半導体基板101乃至第3の半導体基板103が積層された構造を示している。
[0780]
 図110のBは、Victim導体ループ1101が第1の半導体基板101に含まれ、Aggressor導体ループ1102Aが第2の半導体基板102に含まれ、Aggressor導体ループ1102Bが第3の半導体基板103に含まれて、かつ、第1の半導体基板101乃至第3の半導体基板103が、その順で積層された構造を示している。
[0781]
 図110のCは、Victim導体ループ1101が第1の半導体基板101に含まれ、Aggressor導体ループ1102Aおよび1102Bが第2の半導体基板102に含まれて、かつ、第1の半導体基板101と第2の半導体基板102の間に、支持基板104が挿入されて、第1の半導体基板101、支持基板104、および第2の半導体基板102が、その順で積層された構造を示している。支持基板104は省略され、第1の半導体基板101と第2の半導体基板102が所定の間隙を開けて配置されてもよい。
[0782]
 図110のDは、Victim導体ループ1101が第1の半導体基板101に含まれ、Aggressor導体ループ1102Aおよび1102Bが第2の半導体基板102に含まれて、かつ、第1の半導体基板101と第2の半導体基板102が、支持基板104上に載置されて、所定の間隔を開けて同一平面に配置された構造を示している。支持基板104は省略され、別の箇所で第1の半導体基板101と第2の半導体基板102が同一平面に配置されるように支持されてもよい。
[0783]
 図110のEは、Victim導体ループ1101およびAggressor導体ループ1102Aが第1の半導体基板101に含まれ、Aggressor導体ループ1102Bが第2の半導体基板102に含まれて、かつ、第1の半導体基板101と第2の半導体基板102が積層された構造を示している。ここで、第1の半導体基板101内のVictim導体ループ1101が形成されたXY平面上の領域は、第2の半導体基板102内のAggressor導体ループ1102Aおよび1102Bが形成されたXY平面上の領域と、少なくとも一部で重なっている。
[0784]
 図110のFは、Victim導体ループ1101が第1の半導体基板101に含まれ、Aggressor導体ループ1102Aおよび1102Bが第2の半導体基板102に含まれて、かつ、第1の半導体基板101と第2の半導体基板102が積層された構造を示している。ここで、第1の半導体基板101内のVictim導体ループ1101が形成されたXY平面上の領域は、第2の半導体基板102内のAggressor導体ループ1102Aおよび1102Bが形成されたXY平面上の領域と完全に異なる領域でもよいし、一部が重なる領域でもよい。
[0785]
 図110のGは、Victim導体ループ1101およびAggressor導体ループ1102Aが第1の半導体基板101に含まれ、Aggressor導体ループ1102Bが第2の半導体基板102に含まれて、かつ、第1の半導体基板101と第2の半導体基板102が積層された構造を示している。ここで、第1の半導体基板101内のVictim導体ループ1101が形成されたXY平面上の領域は、Aggressor導体ループ1102Aおよび1102Bが形成されたXY平面上の領域と異なる領域となっている。
[0786]
 図110のHは、Victim導体ループ1101と、Aggressor導体ループ1102Aおよび1102Bとが、1枚の半導体基板105に含まれた構造を示している。ただし、1枚の半導体基板105内で、Victim導体ループ1101が形成されたXY平面上の領域は、Aggressor導体ループ1102Aおよび1102Bが形成されたXY平面上の領域と、少なくとも一部で重なっている。
[0787]
 図110のIは、Victim導体ループ1101と、Aggressor導体ループ1102Aおよび1102Bとが、1枚の半導体基板105に含まれた構造を示している。ただし、1枚の半導体基板105内で、Victim導体ループ1101が形成されたXY平面上の領域は、Aggressor導体ループ1102Aおよび1102Bが形成されたXY平面上の領域と異なる領域となっている。
[0788]
 図110のA乃至Iに示した各基板の積層順を反対にして、Victim導体ループ1101と、Aggressor導体ループ1102Aおよび1102Bの位置を上下逆にしてもよい。
[0789]
 以上のように、Victim導体ループ1101と、Aggressor導体ループ1102Aおよび1102Bが含まれる半導体基板の枚数、配置、支持基板の有無は、各種の構造をとり得る。
[0790]
 Victim導体ループのループ面を通過する磁束を発生させるAggressor導体ループは、Victim導体ループと重畳していてもよいし、重畳していなくてもよい。さらに、Aggressor導体ループは、Victim導体ループが形成される半導体基板に積層された複数の半導体基板に形成されるようにしてもよいし、Victim導体ループと同一の半導体基板に形成されるようにしてもよい。
[0791]
 さらに、Aggressor導体ループは、半導体基板ではなく、例えばプリント基板、フレキシブルプリント基板、インターポーザ基板、パッケージ基板、無機基板、または、有機基板など、様々な基板が考えられるが、導体を含むまたは導体を形成できる何かしらの基板であればよく、半導体基板が封止されたパッケージ等の半導体基板以外の回路に存在してもよい。一般的に、Victim導体ループに対するAggressor導体ループの距離は、Aggressor導体ループが半導体基板に形成された場合、Aggressor導体ループがパッケージに形成された場合、Aggressor導体ループがプリント基板に形成された場合の順に短くなる。Victim導体ループに生じ得る誘導性ノイズや容量性ノイズは、Victim導体ループに対するAggressor導体ループの距離が短いほど増大し易くなるので、本技術は、Victim導体ループに対するAggressor導体ループの距離が短いほど効果を奏することができる。さらに、基板のみに限定されず、ボンディングワイヤやリード線やアンテナ線や電力線やGND線や同軸線やダミー線や板金などのような、導線や導板に代表される導体自体に対しても、本技術を適用することができる。
[0792]
 次に、図111に示されるように、半導体基板1121、パッケージ基板1122、および、プリント基板1123の3種類の基板が積層された構造において、Victim導体ループの少なくとも一部である導体1101(以下、Victim導体ループ1101と称する。)と、Aggressor導体ループの少なくとも一部である導体1102Aおよび1102B(以下、Aggressor導体ループ1102Aおよび1102Bと称する。)が配置される配置例について説明する。なお、図示は省略するが、上述したVictim導体ループまたはAggressor導体ループは、半導体基板1121、パッケージ基板1122、および、プリント基板1123、のうちの2つ以上の基板に配置される導体を少なくとも含んで構成される場合もある。半導体基板1121は、パッケージ基板、インターポーザ基板、プリント基板、フレキシブルプリント基板、無機基板、有機基板、導体を含む基板、または、導体を形成できる基板、の何れかに置き換え可能である。また、パッケージ基板1122は、半導体基板、インターポーザ基板、プリント基板、フレキシブルプリント基板、無機基板、有機基板、導体を含む基板、または、導体を形成できる基板、の何れかに置き換え可能である。さらに、プリント基板1123は、半導体基板、パッケージ基板、インターポーザ基板、フレキシブルプリント基板、無機基板、有機基板、導体を含む基板、または、導体を形成できる基板、の何れかに置き換え可能である。
[0793]
 図112のA乃至Rは、図111に示した3種類の基板が積層された積層構造におけるVictim導体ループとAggressor導体ループの配置例を示している。
[0794]
 図112のAは、Victim導体ループ1101とAggressor導体ループ1102Aおよび1102Bの全てが、半導体基板1121に含まれた積層構造の模式図を示している。Victim導体ループ1101とAggressor導体ループ1102Aおよび1102Bのいずれも形成されないパッケージ基板1122およびプリント基板1123は、省略されてもよい。
[0795]
 図112のBは、Victim導体ループ1101とAggressor導体ループ1102Aが、半導体基板1121に含まれ、Aggressor導体ループ1102Bが、パッケージ基板1122に含まれた積層構造の模式図を示している。Victim導体ループ1101とAggressor導体ループ1102Aおよび1102Bのいずれも形成されないプリント基板1123は、省略されてもよい。
[0796]
 図112のCは、Victim導体ループ1101とAggressor導体ループ1102Aが、半導体基板1121に含まれ、Aggressor導体ループ1102Bが、プリント基板1123に含まれた積層構造の模式図を示している。Victim導体ループ1101とAggressor導体ループ1102Aおよび1102Bのいずれも形成されないパッケージ基板1122は、省略されてもよい。
[0797]
 図112のDは、Victim導体ループ1101が半導体基板1121に含まれ、Aggressor導体ループ1102Aおよび1102Bがパッケージ基板1122に含まれた積層構造の模式図を示している。Victim導体ループ1101とAggressor導体ループ1102Aおよび1102Bのいずれも形成されないプリント基板1123は、省略されてもよい。
[0798]
 図112のEは、Victim導体ループ1101が半導体基板1121に含まれ、Aggressor導体ループ1102Aがパッケージ基板1122に含まれ、Aggressor導体ループ1102Bがプリント基板1123に含まれた積層構造の模式図を示している。
[0799]
 図112のFは、Victim導体ループ1101が半導体基板1121に含まれ、Aggressor導体ループ1102Aおよび1102Bがプリント基板1123に含まれた積層構造の模式図を示している。Victim導体ループ1101とAggressor導体ループ1102Aおよび1102Bのいずれも形成されないパッケージ基板1122は、省略されてもよい。
[0800]
 図112のGは、Aggressor導体ループ1102Aおよび1102Bが半導体基板1121に含まれ、Victim導体ループ1101がパッケージ基板1122に含まれた積層構造の模式図を示している。Victim導体ループ1101とAggressor導体ループ1102Aおよび1102Bのいずれも形成されないプリント基板1123は、省略されてもよい。
[0801]
 図112のHは、Aggressor導体ループ1102Aが半導体基板1121に含まれ、Aggressor導体ループ1102BおよびVictim導体ループ1101がパッケージ基板1122に含まれた積層構造の模式図を示している。Victim導体ループ1101とAggressor導体ループ1102Aおよび1102Bのいずれも形成されないプリント基板1123は、省略されてもよい。
[0802]
 図112のIは、Aggressor導体ループ1102Aが半導体基板1121に含まれ、Victim導体ループ1101がパッケージ基板1122に含まれ、Aggressor導体ループ1102Bがプリント基板1123に含まれた積層構造の模式図を示している。
[0803]
 図112のJは、Victim導体ループ1101とAggressor導体ループ1102Aおよび1102Bの全てが、パッケージ基板1122に含まれた積層構造の模式図を示している。Victim導体ループ1101とAggressor導体ループ1102Aおよび1102Bのいずれも形成されない半導体基板1121およびプリント基板1123は、省略されてもよい。
[0804]
 図112のKは、Victim導体ループ1101とAggressor導体ループ1102Aが、パッケージ基板1122に含まれ、Aggressor導体ループ1102Bがプリント基板1123に含まれた積層構造の模式図を示している。Victim導体ループ1101とAggressor導体ループ1102Aおよび1102Bのいずれも形成されない半導体基板1121は、省略されてもよい。
[0805]
 図112のLは、Victim導体ループ1101がパッケージ基板1122に含まれ、Aggressor導体ループ1102Aおよび1102Bがプリント基板1123に含まれた積層構造の模式図を示している。Victim導体ループ1101とAggressor導体ループ1102Aおよび1102Bのいずれも形成されない半導体基板1121は、省略されてもよい。
[0806]
 図112のMは、Aggressor導体ループ1102Aおよび1102Bが半導体基板1121に含まれ、Victim導体ループ1101がプリント基板1123に含まれた積層構造の模式図を示している。Victim導体ループ1101とAggressor導体ループ1102Aおよび1102Bのいずれも形成されないパッケージ基板1122は、省略されてもよい。
[0807]
 図112のNは、Aggressor導体ループ1102Aが半導体基板1121に含まれ、Aggressor導体ループ1102Bがパッケージ基板1122に含まれ、Victim導体ループ1101がプリント基板1123に含まれた積層構造の模式図を示している。
[0808]
 図112のOは、Aggressor導体ループ1102Aが半導体基板1121に含まれ、Aggressor導体ループ1102BおよびVictim導体ループ1101がプリント基板1123に含まれた積層構造の模式図を示している。Victim導体ループ1101とAggressor導体ループ1102Aおよび1102Bのいずれも形成されないパッケージ基板1122は、省略されてもよい。
[0809]
 図112のPは、Aggressor導体ループ1102Aおよび1102Bがパッケージ基板1122に含まれ、Victim導体ループ1101がプリント基板1123に含まれた積層構造の模式図を示している。Victim導体ループ1101とAggressor導体ループ1102Aおよび1102Bのいずれも形成されない半導体基板1121は、省略されてもよい。
[0810]
 図112のQは、Aggressor導体ループ1102Aがパッケージ基板1122に含まれ、Aggressor導体ループ1102BおよびVictim導体ループ1101がプリント基板1123に含まれた積層構造の模式図を示している。Victim導体ループ1101とAggressor導体ループ1102Aおよび1102Bのいずれも形成されない半導体基板1121は、省略されてもよい。
[0811]
 図112のRは、Victim導体ループ1101とAggressor導体ループ1102Aおよび1102Bの全てが、プリント基板1123に含まれた積層構造の模式図を示している。Victim導体ループ1101とAggressor導体ループ1102Aおよび1102Bのいずれも形成されない半導体基板1121およびパッケージ基板1122は、省略されてもよい。
[0812]
 図112のA乃至Rに示した各基板の積層順を反対にして、Victim導体ループ1101、Aggressor導体ループ1102A、または、Aggressor導体ループ1102Bの位置を上下逆にしてもよい。
[0813]
 以上のように、Victim導体ループ1101とAggressor導体ループ1102Aおよび1102Bは、半導体基板1121、パッケージ基板1122、プリント基板1123の任意の領域に形成することができる。
[0814]
 <固体撮像装置100を成す第1の半導体基板101と第2の半導体基板102とのパッケージ積層例>
 図113は、固体撮像装置100を成す第1の半導体基板101と第2の半導体基板102とのパッケージ積層例を示す図である。
[0815]
 第1の半導体基板101と第2の半導体基板102は、パッケージとして、互いにどのように積層されていてもよい。
[0816]
 例えば、図113のAに示されるように、第1の半導体基板101と第2の半導体基板102をそれぞれ個別に封止材を用いて封止し、その結果得られるパッケージ601とパッケージ602とを積層してもよい。
[0817]
 また、図113のBまたはCに示されるように、第1の半導体基板101と第2の半導体基板102を積層した状態で封止材により封止し、パッケージ603を生成してもよい。この場合、ボンディングワイヤ604は、図113のBに示されるように、第2の半導体基板102に接続してもよいし、図113のCに示されるように、第1の半導体基板101に接続してもよい。
[0818]
 また、パッケージとしては、どのような形態であってもよい。例えば、CSP(Chip Size Package)やWL-CSP(Wafer Level Chip Size Package)であってもよく、パッケージでインターポーザ基板や再配線層が用いられていてもよい。また、パッケージがないどのような形態であってもよい。例えば、COB(Chip On Board)として半導体基板が実装されていてもよい。例えば、BGA(Ball Grid Array)、COB(Chip On Board)、COT(Chip On Tape)、CSP(Chip Size Package/Chip Scale Package)、DIMM(Dual In-line Memory Module)、DIP(Dual In-line Package)、FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array)、FLGA(Fine-pitch Land Grid Array)、FQFP(Fine-pitch Quad Flat Package)、HSIP(Single In-line Package with Heatsink)、LCC(Leadless Chip Carrier)、LFLGA(Low profile Fine pitch Land Grid Array)、LGA(Land Grid Array)、LQFP(Low-profile Quad Flat Package)、MC-FBGA(Multi-Chip Fine-pitch Ball Grid Array)、MCM(Multi-Chip Module)、MCP(Multi-Chip Package)、M-CSP(Molded Chip Size Package)、MFP(Mini Flat Package)、MQFP(Metric Quad Flat Package)、MQUAD(Metal Quad)、MSOP(Micro Small Outline Package)、PGA(Pin Grid Array)、PLCC(Plastic Leaded Chip Carrie)、PLCC(Plastic Leadless Chip Carrie)、QFI(Quad Flat I-leaded Package)、QFJ(Quad Flat J-leaded Package)、QFN(Quad Flat non-leaded Package)、QFP(Quad Flat Package)、QTCP(Quad Tape Carrier Package)、QUIP(Quad In-line Package)、SDIP(Shrink Dual In-line Package)、SIMM(Single In-line Memory Module)、SIP(Single In-line Package)、S-MCP(Stacked Multi Chip Package)、SNB(Small Outline Non-leaded Board)、SOI(Small Outline I-leaded Package)、SOJ(Small Outline J-leaded Package)、SON(Small Outline Non-leaded Package)、SOP(Small Outline Package)、SSIP(Shrink Single In-line Package)、SSOP(Shrink Small Outline Package)、SZIP(Shrink Zigzag In-line Package)、TAB(Tape-Automated Bonding)、TCP(Tape Carrier Package)、TQFP(Thin Quad Flat Package)、TSOP(Thin Small Outline Package)、TSSOP(Thin Shrink Small Outline Package)、UCSP(Ultra Chip Scale Package)、UTSOP(Ultra Thin Small Outline Package)、VSO(Very Short Pitch Small Outline Package)、VSOP(Very Small Outline Packag)、WL-CSP(Wafer Level Chip Size Package)、ZIP(Zigzag In-line Package)、μMCP(Micro Multi-Chip Package)、の何れの形態であってもよい。
[0819]
 本技術は、例えば、CCD(Charge-Coupled Device)イメージセンサ、CCDセンサ、CMOSセンサ、MOSセンサ、IR(Infrared)センサ、UV(Ultraviolet)センサ、ToF(Time of Flight)センサ、測距センサのような何れのセンサや回路基板や装置や電子機器などにも適用できる。
[0820]
 また、本技術は、トランジスタやダイオードやアンテナのような何かしらデバイスをアレー配置したセンサや回路基板や装置や電子機器で好適であり、何かしらデバイスを略同一平面上にアレー配置したセンサや回路基板や装置や電子機器で特に好適であるが、その限りではない。
[0821]
 本技術は、例えば、メモリデバイスが関わる各種のメモリセンサ、メモリ用回路基板、メモリ装置、または、メモリを含む電子機器、CCDが関わる各種のCCDセンサ、CCD用回路基板、CCD装置、または、CCDを含む電子機器、CMOSが関わる各種のCMOSセンサ、CMOS用回路基板、CMOS装置、または、CMOSを含む電子機器、MOSが関わる各種のMOSセンサ、MOS用回路基板、MOS装置、または、MOSを含む電子機器、発光デバイスが関わる各種のディスプレイセンサ、ディスプレイ用回路基板、ディスプレイ装置、または、ディスプレイを含む電子機器、発光デバイスが関わる各種のレーザセンサ、レーザ用回路基板、レーザ装置、または、レーザを含む電子機器、アンテナデバイスが関わる各種のアンテナセンサ、アンテナ用回路基板、アンテナ装置、または、アンテナを含む電子機器、などにも適用できる。これらの中でも、ループ経路が可変のVictim導体ループを含むセンサ、回路基板、装置、または、電子機器、制御線若しくは信号線を含むセンサ、回路基板、装置、または、電子機器、水平制御線若しくは垂直信号線を含むセンサ、回路基板、装置、または、電子機器などで好適だが、その限りではない。
[0822]
<11.導電性シールドの配置例>
 上述した構成例では、導体層A(配線層165A)と導体層B(配線層165B)の構成を工夫することにより、誘導性ノイズを小さくできることについて説明したが、導電性シールドをさらに設けることで、誘導性ノイズをさらに改善する構成について説明する。
[0823]
 図114および図115は、図6に示した第1の半導体基板101と第2の半導体基板102とが積層された固体撮像装置100に対して、導電性シールドを設けた構成例を示す断面図である。
[0824]
 なお、図114および図115において、導電性シールド以外の構成については、図6に示した構造と同様であるので、その説明は適宜省略する。
[0825]
 図114のAは、図6に示した固体撮像装置100に対して導電性シールドを設けた第1の構成例を示す断面図である。
[0826]
 図114のAでは、第1の半導体基板101の多層配線層153内に、導電性シールド1151が形成されている。
[0827]
 図114のBは、図6に示した固体撮像装置100に対して導電性シールドを設けた第2の構成例を示す断面図である。
[0828]
 図114のBでは、第2の半導体基板102の多層配線層163内に、導電性シールド1151が形成されている。
[0829]
 図114のCは、図6に示した固体撮像装置100に対して導電性シールドを設けた第3の構成例を示す断面図である。
[0830]
 図114のCでは、第1の半導体基板101と第2の半導体基板102の多層配線層それぞれに、導電性シールド1151が形成されている。より具体的には、第1の半導体基板101の多層配線層153内に、導電性シールド1151Aが形成され、第2の半導体基板102の多層配線層163内に、導電性シールド1151Bが形成されている。
[0831]
 図115のAは、図6に示した固体撮像装置100に対して導電性シールドを設けた第4の構成例を示す断面図である。
[0832]
 図115のAでは、第1の半導体基板101と第2の半導体基板102の多層配線層それぞれに導電性シールド1151が形成され、かつ、それらが接合されている。より具体的には、第1の半導体基板101の多層配線層153内の、第2の半導体基板102の多層配線層163との接合面に、導電性シールド1151Aが形成され、第2の半導体基板102の多層配線層163内の、第1の半導体基板101の多層配線層153との接合面に、導電性シールド1151Bが形成され、導電性シールド1151Aと1151Bとが、例えば、Cu-Cu接合、Au-Au接合、またはAl-Al接合などの同種金属接合や、Cu-Au接合、Cu-Al接合、またはAu- Al接合などの異種金属接合により接合されている。
[0833]
 なお、図114のCおよび図115のAは、導電性シールド1151Aと1151Bの平面領域が一致している例であるが、少なくとも一部が重畳し、接合されていればよい。
[0834]
 図115のBは、図6に示した固体撮像装置100に対して導電性シールドを設けた第5の構成例を示す断面図である。
[0835]
 図115のBでは、導体層Aである配線層165Aが、導電性シールド1151としての機能を兼ね備える構成である。配線層165Aの一部が、導電性シールド1151であってもよい。
[0836]
 図115のCは、図6に示した固体撮像装置100に対して導電性シールドを設けた第6の構成例を示す断面図である。
[0837]
 図115のCの第6の構成例は、図114のAに示した第1の構成例と同様に、多層配線層153内に導電性シールド1151が形成されているが、導電性シールド1151が形成されている平面領域が、導体層Aである配線層165A、および、導体層Bである配線層165Bの平面領域よりも小さく構成されている。
[0838]
 図114のAの第1の構成例のように、導電性シールド1151が形成されている平面領域の面積は、導体層Aである配線層165A、および、導体層Bである配線層165Bの平面領域の面積以上である方が好ましいが、図115のBのように、小さく構成されていてもよい。
[0839]
 図114および図115の第1乃至第6の構成例のように、導電性シールド1151を設けることにより、誘導性ノイズをさらに改善することができる。
[0840]
 図114および図115の第1乃至第6の構成例は、導電性シールド1151で遮蔽する配線層が、配線層165Aおよび165Bの2層の例であるが、1層でもよい。
[0841]
 図114および図115の第1乃至第6の構成例において、導電性シールド1151の代わりに、磁性シールドを用いてもよい。この磁性シールドは、導電性であっても、非導電性であってもよい。磁性シールドが導電性である場合には、誘導性ノイズおよび容量性ノイズをさらに改善することができる。
[0842]
 次に、図116乃至図119を参照して、第1の半導体基板101内に形成されている信号線132に対する導電性シールド1151の配置と平面形状について説明する。
[0843]
 図116乃至図119は、導電性シールド1151の信号線132に対する配置と平面形状の第1乃至第4の構成例を示している。図116乃至図119の第1乃至第4の構成例において、導電性シールド1151の平面形状以外は同一である。
[0844]
 図116のAは、第1の半導体基板101においてアナログの画素信号が伝送される信号線132と、導電性シールド1151、および、配線層165AとのZ方向の位置関係を示す断面図である。図116のBは、導電性シールド1151の平面形状を示す平面図である。
[0845]
 図116のAに示されるように、信号線132と配線層165Aとの間に、導電性シールド1151が配置される。図116のBに示されるように、導電性シールド1151の平面形状は面状に形成することができる。
[0846]
 あるいはまた、図117のAおよびBの第2の構成例のように、導電性シールド1151の平面形状は直線状に形成され、各直線状領域が、信号線132と1対1に対応して重畳するように形成することができる。
[0847]
 あるいはまた、図117のAおよびBの第2の構成例のように導電性シールド1151の各直線状領域が信号線132と1対1に対応する必要はなく、例えば、図118のAおよびBの第3の構成例のように、複数本の信号線132に対して1つの直線状領域が重畳するように形成されてもよい。図118は、2本の信号線132に対して導電性シールド1151の1つの直線状領域が対応する平面形状であるが、3本以上の信号線132に対応する平面形状でもよい。
[0848]
 あるいはまた、導電性シールド1151の平面形状が直線状に形成されるのではなく、図119のAおよびBの第4の構成例のように、網目状に形成されてもよい。網目状の導電性シールド1151の縦方向(Y方向)に伸びる縦導体と、横方向(X方向)に伸びる横導体の導体幅、間隙幅、および、導体周期は、異なっていても同一でもよい。
[0849]
 図116乃至図119の第1乃至第4の構成例において、導電性シールド1151は1層であったが、図114のCおよび図115のAに示したように2層とすることもできる。また、図116乃至図119に示した配線層165Aは、配線層165Bとしても同様である。
[0850]
 導電性シールド1151は、信号線132の全領域と重畳する位置に形成されていたが、一部の領域と重畳する位置でもよいし、重畳しない位置でもよい。ただし、ノイズは信号線経由で伝搬されることが多いため、信号線132と重畳する位置にあることが好ましい。
[0851]
 第1の半導体基板101においてアナログの画素信号が伝送される信号線132に対する導電性シールド1151の形成位置を説明したが、画素信号伝送用の信号線132ではなく、他の信号伝送用の信号線でもよいし、制御線、配線、導体、GNDであってもよい。ノイズを効率的に逃がすため、導電性シールド1151は、GNDやマイナス電源に接続されることが好ましいが、他の制御線、他の信号線、他の導体、他の配線に接続されてもよい。あるいは、導電性シールド1151は、他の制御線、他の信号線、他の導体、他の配線等に接続されていなくてもよい。
[0852]
 導電性シールド1151を設けることにより、誘導性ノイズおよび容量性ノイズをさらに改善することができる。
[0853]
<12.導体層が3層ある場合の構成例>
 <導体層が3層ある場合の配置例>
 上述した各構成例では、配線層165Aである導体層Aと、配線層165Bである導体層Bの2層の導体層の配線パタンについて説明した。
[0854]
 しかしながら、配線層165A(導体層A)と配線層165B(導体層B)の2層の導体層の近傍に、さらに第3の導体層が配置される場合がある。
[0855]
 第3の導体層は、例えば、配線層165Aである導体層AのVss配線に、GNDやマイナス電源を中継するための配線、配線層165Bである導体層BのVdd配線に、プラス電源を中継するための配線、あるいは、導体層Aまたは導体層Bの電圧降下(IR-Drop)をできるだけ小さくするための補強用の配線などとして用いられる。
[0856]
 第3の導体層を、上述した各構成例の配線層165Aおよび165Bや導体層Aおよび導体層Bの呼称に対応して、配線層165Cまたは導体層Cと称することとすると、第3の導体層である配線層165Cは、配線層165Aおよび165Bに対して、図120のA乃至Cのいずれかの位置関係で配置される。
[0857]
 図120のA乃至Cは、配線層165Aおよび165Bに対する配線層165Cの配置例を示す断面模式図である。
[0858]
 第1の半導体基板101には、画素131のトランジスタを制御する制御線133の少なくとも一部、または、画素信号を伝送する信号線132の少なくとも一部を含む配線層170(第4の導体層)が形成され、第2の半導体基板102には、MOSトランジスタ164等の能動素子を含む能動素子層171が形成されている。この制御線133の少なくとも一部または信号線132の少なくとも一部が、前述したVictim導体ループ(Victim導体ループ11やVictim導体ループ1101)の少なくとも一部を構成していてもよいが、その限りではない。
[0859]
 図6等を参照して説明したように、配線層165Aは、第1の半導体基板101の配線層170側、配線層165Bは、能動素子層171側に配置されている。
[0860]
 この配線層165Aおよび165Bの配置に対して、配線層165C(導体層C)は、図120のAに示されるように、配線層165Bと能動素子層171との間に配置される場合がある。この場合、各配線層は、第1の半導体基板101側から、配線層170、配線層165A、配線層165B、配線層165C、能動素子層171の順序で積層される。
[0861]
 あるいはまた、配線層165C(導体層C)は、図120のBに示されるように、配線層165Aと配線層165Bとの間に配置される場合がある。この場合、各配線層は、第1の半導体基板101側から、配線層170、配線層165A、配線層165C、配線層165B、能動素子層171の順序で積層される。
[0862]
 さらには、配線層165C(導体層C)は、図120のCに示されるように、配線層170と配線層165Aとの間に配置される場合がある。この場合、各配線層は、第1の半導体基板101側から、配線層170、配線層165C、配線層165A、配線層165B、能動素子層171の順序で積層される。
[0863]
 なお、図120は、配線層165A乃至165Cの3つの導体層の位置関係を説明した図であり、第1の半導体基板101の配線層170や、第2の半導体基板102の能動素子層171の配置は逆でもよい。また、第1の半導体基板101が信号線132または制御線133の何れか一方を備えていなくてもよく、第1の半導体基板101が信号線132および制御線133を両方とも備える場合であっても、信号線132または制御線133の何れか一方の少なくとも一部が配線層170に形成されていればよい。また、信号線132または制御線133は、第1の半導体基板101ではなく、第2の半導体基板102が備えていてもよい。また、信号線132または制御線133は、第1の半導体基板101および第2の半導体基板102が少なくとも一部を備えていてもよく、例えば第1の半導体基板101および第2の半導体基板102を少なくとも跨いで構成されていてもよい。また、配線層165A、配線層165B、および、配線層165Cのうちの少なくとも1つの何れかの配線層は、第1の半導体基板101ではなく、第2の半導体基板102が備えていてもよい。また、第1の半導体基板101の配線層170や、第2の半導体基板102の能動素子層171の配置は省略されてもよい。また、第1の半導体基板101と第2の半導体基板102とは、別体ではなくて、1つの半導体基板として一体で構成させていてもよい。また、配線層170をVictim導体ループ1101、配線層165AをAggressor導体ループ1102A、配線層165BをAggressor導体ループ1102B、としてそれぞれ解釈し、図109乃至図112で示した基板配置例の任意の位置に配線層165Cが配置されていてもよく、配線層165A乃至165Cの3つの導体層の位置関係が図120に示す位置関係であることが望ましいが、その限りではない。
[0864]
 <導体層が3層ある場合の問題>
 上述した各構成例では、導体層A(配線層165A)と導体層B(配線層165B)の2層の導体層において、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光し、かつ、誘導性ノイズ、容量性ノイズ、または電圧降下を少なくとも改善する配線レイアウトを提案したが、第3の導体層の配線レイアウトによっては、誘導性ノイズが悪化してしまうことがあり得る。
[0865]
 図121は、配線層165Cの配線パタンの一例を示す図である。
[0866]
 図121のAは導体層C(配線層165C)を、図121のBは導体層A(配線層165A)を、図121のCは導体層B(配線層165B)を示している。
[0867]
 また、図121のDは、導体層Aと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図121のEは、導体層Bと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図121のFは、導体層Aと導体層Bとの積層状態の平面図である。
[0868]
 図121における座標系は、横方向をX軸、縦方向をY軸、XY平面に対して垂直な方向をZ軸とする。
[0869]
 図121の導体層A(配線層165A)および導体層B(配線層165B)には、図36を参照して説明した、X方向(第1の方向)の抵抗値とY方向(第2の方向)の抵抗値が異なる網目状導体を用いた第11の構成例が採用されている。
[0870]
 図121のBの導体層Aは、網目状導体1201から成る。網目状導体1201は、X方向の導体幅WXA、間隙幅GXA、および、導体周期FXAを有し、Y方向の導体幅WYA、間隙幅GYA、および、導体周期FYAを有する。網目状導体1201は、導体周期FXAおよび導体周期FYAの基本パタン(第1の基本パタン)を同一平面上に繰り返し配置した形状の導体となっている。網目状導体1201は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。
[0871]
 網目状導体1201においては、導体幅WXA>導体幅WYA、かつ、間隙幅GYA>間隙幅GXAである。網目状導体1201の間隙領域は、Y方向がX方向よりも長い形状を有しており、X方向とY方向とで抵抗値が異なり、Y方向の抵抗値がX方向の抵抗値よりも小さくなる。したがって、網目状導体1201は、X方向よりもY方向の方が、電流が流れやすい。
[0872]
 図121のCの導体層Bは、網目状導体1202から成る。網目状導体1202は、X方向の導体幅WXB、間隙幅GXB、および、導体周期FXBを有し、Y方向の導体幅WYB、間隙幅GYB、および、導体周期FYBを有する。網目状導体1202は、導体周期FXBおよび導体周期FYBの基本パタン(第2の基本パタン)を同一平面上に繰り返し配置した形状の導体となっている。網目状導体1202は、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。
[0873]
 網目状導体1202においては、導体幅WXB>導体幅WYB、かつ、間隙幅GYB>間隙幅GXBである。網目状導体1202の間隙領域は、Y方向がX方向よりも長い形状を有しており、X方向とY方向とで抵抗値が異なり、Y方向の抵抗値がX方向の抵抗値よりも小さくなる。したがって、網目状導体1202は、X方向よりもY方向の方が、電流が流れやすい。
[0874]
 導体層Aの網目状導体1201と導体層Bの網目状導体1202とは差動構造となっている。すなわち、第11の構成例等において説明したように、導体層Aの網目状導体1201の電流分布と、導体層Bの網目状導体1202の電流分布とが、略均等、且つ、逆特性である。ここで、略均等とは、均等とみなせる範囲の差とするが、例えば、少なくとも2倍を超えない範囲の差であればよい。さらに具体的に言えば、導体層Aの網目状導体1201と、導体層Bの網目状導体1202の端部では、略均等にAC電流が流れ、電流方向が、網目状導体1201と網目状導体1202とで逆向きである。その結果、網目状導体1201の電流分布によって生じる磁界と、網目状導体1202の電流分布によって生じる磁界とが効果的に相殺される。これにより、誘導性ノイズを抑制することができる。
[0875]
 また、図121のFに示されるように、導体層Aと導体層Bの積層により、開口される領域が存在しなくなるので、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光することができる。
[0876]
 一方、図121のAの導体層Cは、電流の流れやすいシート抵抗の低い導体層であり、X方向に長い直線状導体1211Aと、X方向に長い直線状導体1211Bとが、Y方向に交互に周期的に配置されている。直線状導体1211Aは、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。直線状導体1211Bは、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。直線状導体1211Aは、例えば、半導体基板の外周部のパッド(不図示)に接続され、導体層Aの網目状導体1201と電気的に接続されている。導体層Aの網目状導体1201と導体層Cの直線状導体1211Aとが、例えばZ方向に延伸された導体ビア(VIA)等を介して電気的に接続されてもよい。直線状導体1211Bは、例えば、半導体基板の外周部のパッド(不図示)に接続され、導体層Bの網目状導体1202と電気的に接続されている。導体層Bの網目状導体1202と導体層Cの直線状導体1211Bとが、例えばZ方向に延伸された導体ビア(VIA)等を介して電気的に接続されてもよい。
[0877]
 直線状導体1211Aは、Y方向の導体幅WYCAを有し、直線状導体1211Bは、Y方向の導体幅WYCBを有し、直線状導体1211Aの導体幅WYCAは、直線状導体1211Bの導体幅WYCBよりも大きい(導体幅WYCA>導体幅WYCB)。Y方向の直線状導体1211Aと直線状導体1211Bとの間は、間隙幅GYCの間隙となっている。そして、1本の直線状導体1211Aおよび直線状導体1211Bが、導体周期FYC(=導体幅WYCA+導体幅WYCB+2×間隙幅GYC)で、Y方向に周期的に配置されている。
[0878]
 直線状導体1211Aおよび直線状導体1211Bが、導体周期FYCでY方向に周期的に配置された導体層Cを所定の平面範囲(平面領域)で見ると、直線状導体1211Aの導体幅WYCAと、直線状導体1211Bの導体幅WYCBとが異なるため、所定の平面範囲における複数本の直線状導体1211Aの導体幅WYCAの総和と、複数本の直線状導体1211Bの導体幅WYCBの総和とが大きく異なる。この場合、直線状導体1211Aの電流分布と、直線状導体1211Bの電流分布とが大きく異なるため、誘導性ノイズの発生を抑圧できず、誘導性ノイズが悪化する。具体的には、直線状導体1211Aと直線状導体1211BとでX方向の抵抗値が大きく異なるので、直線状導体1211Aと直線状導体1211Bとで電流分布が大きく異なり、直線状導体1211Bに流れる総電流量よりも直線状導体1211Aに流れる総電流量が大きくなる。また、電流保存の法則(キルヒホッフの第一法則)に従って、網目状導体1201に流れる総電流量よりも網目状導体1202に流れる総電流量が大きくなる。これにより、網目状導体1201と網目状導体1202とで電流分布が大きく異なるため、誘導性ノイズの発生を抑圧できず、誘導性ノイズが悪化する。
[0879]
 したがって、導体層Cの配線レイアウトによっては、導体層Aまたは導体層Bの2層の導体層において誘導性ノイズを抑制した効果が削減されてしまう。
[0880]
 そこで、以下では、配線層165A乃至165Cの3つの導体層の積層構造を有する場合に、誘導性ノイズを効果的に削減する構成について説明する。なお、誘導性ノイズの大きさ次第では、図121の構成例を適用できる場合もあるため、図121の構成例は排除されない。
[0881]
 <3層導体層の第1の構成例>
 図122は、3層導体層の第1の構成例を示している。
[0882]
 図122のAは導体層C(配線層165C)を、図122のBは導体層A(配線層165A)を、図122のCは導体層B(配線層165B)を示している。
[0883]
 また、図122のDは、導体層Aと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図122のEは、導体層Bと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図122のFは、導体層Aと導体層Bとの積層状態の平面図である。
[0884]
 図122のBの導体層Aは、図121と同じ網目状導体1201で構成される。すなわち、網目状導体1201は、X方向の導体幅WXA、間隙幅GXA、および、導体周期FXAを有し、Y方向の導体幅WYA、間隙幅GYA、および、導体周期FYAを有する。網目状導体1201は、導体周期FXAおよび導体周期FYAの基本パタン(第1の基本パタン)を同一平面上に繰り返し配置した形状の導体となっている。網目状導体1201は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。
[0885]
 図122のCの導体層Bは、図121と同じ網目状導体1202で構成される。すなわち、網目状導体1202は、X方向の導体幅WXB、間隙幅GXB、および、導体周期FXBを有し、Y方向の導体幅WYB、間隙幅GYB、および、導体周期FYBを有する。網目状導体1202は、導体周期FXBおよび導体周期FYBの基本パタン(第2の基本パタン)を同一平面上に繰り返し配置した形状の導体となっている。網目状導体1202は、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。網目状導体1201と網目状導体1202の導体周期は同一である。すなわち、導体周期FXA=導体周期FXBおよび導体周期FYA=導体周期FYBである。なお、略同一でもよい。ここで、略同一とは、同一とみなせる範囲の差とするが、例えば、少なくとも2倍を超えない範囲の差であればよい。
[0886]
 図122のAの導体層Cは、電流の流れやすいシート抵抗の低い導体層であり、X方向に長い直線状導体1221A(第3の基本パタン)と、X方向に長い直線状導体1221B(第4の基本パタン)とを、Y方向に交互に周期的に配置して構成されている。
[0887]
 直線状導体1221Aは、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。直線状導体1221Bは、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。直線状導体1221Aと直線状導体1221Bは、電流方向が互いに逆方向となる差動導体(差動構造)である。直線状導体1221Aは、例えば、半導体基板の外周部のパッド(不図示)に接続され、導体層Aの網目状導体1201と電気的に接続されている。導体層Aの網目状導体1201と導体層Cの直線状導体1221Aとが、例えばZ方向に延伸された導体ビア(VIA)等を介して電気的に接続されてもよい。直線状導体1221Bは、例えば、半導体基板の外周部のパッド(不図示)に接続され、導体層Bの網目状導体1202と電気的に接続されている。導体層Bの網目状導体1202と導体層Cの直線状導体1221Bとが、例えばZ方向に延伸された導体ビア(VIA)等を介して電気的に接続されてもよい。
[0888]
 直線状導体1221Aは、Y方向の導体幅WYCAを有し、直線状導体1221Bは、Y方向の導体幅WYCBを有し、直線状導体1221Aの導体幅WYCAと、直線状導体1221Bの導体幅WYCBとは同一である(導体幅WYCA=導体幅WYCB)。なお、導体幅WYCAと導体幅WYCBとは、同一でなくても略同一でもよい(導体幅WYCA≒導体幅WYCB)。Y方向の直線状導体1221Aと直線状導体1221Bとの間は、間隙幅GYCの間隙となっている。
[0889]
 そして、1本の直線状導体1221Aおよび直線状導体1221Bが、導体周期FYC(=導体幅WYCA+導体幅WYCB+2×間隙幅GYC)で、Y方向に周期的に配置されている。直線状導体1221Aの導体周期FYCと、直線状導体1221Bの導体周期FYCとが、同一または略同一である。
[0890]
 また、導体層Cの直線状導体1221Aの繰り返し周期である導体周期FYCは、導体層Aの網目状導体1201のY方向の繰り返し周期である導体周期FYAの整数倍である。図122は、導体周期FYCが、導体周期FYAの2倍の例である。
[0891]
 導体層Cの直線状導体1221Bの繰り返し周期である導体周期FYCは、導体層Bの網目状導体1202のY方向の繰り返し周期である導体周期FYBの整数倍である。図122は、導体周期FYCが、導体周期FYBの2倍の例である。
[0892]
 なお、導体幅WYCA、導体幅WYCB、および、間隙幅GYCは、任意の値に設計することができる。
[0893]
 直線状導体1221Aおよび直線状導体1221Bが、導体周期FYCでY方向に周期的に配置された導体層Cを所定の平面範囲(平面領域)で見ると、直線状導体1221Aの導体幅WYCAと、直線状導体1221Bの導体幅WYCBとが同一または略同一であるため、所定の平面範囲における複数本の直線状導体1221Aの導体幅WYCAの総和と、複数本の直線状導体1221Bの導体幅WYCBの総和とが同一または略同一となる。これにより、直線状導体1221Aの電流分布と、直線状導体1221Bの電流分布とが同一または略同一となるため、誘導性ノイズの発生を抑制することができる。
[0894]
 また、例えば、導体層Cが、図120のCに示したように、配線層170の近傍に配置されている場合、導体層Cの直線状導体1221Aおよび直線状導体1221Bと、配線層170の信号線132や制御線133との間の容量結合による容量性ノイズが生じ得るが、直線状導体1221Aおよび直線状導体1221Bは、Y方向に同じ配線パタンの繰り返しとなっているので、容量性ノイズをY方向で完全相殺することが可能である。容量性ノイズは、導体層Cが配線層170に近いほど、大きく改善することができる。
[0895]
 図122のFに示されるように、導体層AとBの積層が遮光構造となっており、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光することができることは勿論、図122のDおよびEに示されるように、導体層AとCとの積層、および、導体層BとCとの積層においても遮光構造となっており、遮光性が保たれている。これにより、導体層AとBの遮光制約を大幅に緩和することができるので、導体層AとBの導体面積を最大限に利用することができ、配線抵抗を下げて、電圧降下をさらに改善することができる。また、導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることができる。
[0896]
 さらに、導体層Aの網目状導体1201と導体層Cの直線状導体1221Aとが電気的に接続され、導体層Bの網目状導体1202と導体層Cの直線状導体1221Bとが電気的に接続される場合には、導体層AおよびBの電流量を小さくすることができるので、導体層AまたはBからの誘導性ノイズや電圧降下をさらに改善することができる。
[0897]
 <3層導体層の第2の構成例>
 図123は、3層導体層の第2の構成例を示している。
[0898]
 図123のAは導体層C(配線層165C)を、図123のBは導体層A(配線層165A)を、図123のCは導体層B(配線層165B)を示している。
[0899]
 また、図123のDは、導体層Aと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図123のEは、導体層Bと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図123のFは、導体層Aと導体層Bとの積層状態の平面図である。
[0900]
 図123のBの導体層Aは、図122の第1の構成例と同じ網目状導体1201であり、図123のCの導体層Bは、図122の第1の構成例と同じ網目状導体1202であるので、その説明は省略する。
[0901]
 図123のAの導体層Cは、X方向に長い直線状導体1222Aと、X方向に長い直線状導体1222Bとを、それぞれ2本単位で、Y方向に交互に周期的に配置して構成されている。
[0902]
 直線状導体1222Aは、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。直線状導体1222Bは、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。直線状導体1222Aと直線状導体1222Bは、電流方向が互いに逆方向となる差動導体である。直線状導体1222Aは、例えば、半導体基板の外周部のパッド(不図示)に接続され、導体層Aの網目状導体1201と電気的に接続されている。導体層Aの網目状導体1201と導体層Cの直線状導体1222Aとが、例えばZ方向に延伸された導体ビア(VIA)等を介して電気的に接続されてもよい。直線状導体1222Bは、例えば、半導体基板の外周部のパッド(不図示)に接続され、導体層Bの網目状導体1202と電気的に接続されている。導体層Bの網目状導体1202と導体層Cの直線状導体1222Bとが、例えばZ方向に延伸された導体ビア(VIA)等を介して電気的に接続されてもよい。
[0903]
 直線状導体1222Aは、Y方向の導体幅WYCAを有し、直線状導体1222Bは、Y方向の導体幅WYCBを有し、直線状導体1222Aの導体幅WYCAと、直線状導体1222Bの導体幅WYCBとは同一である(導体幅WYCA=導体幅WYCB)。なお、導体幅WYCAと導体幅WYCBとは、同一でなくても略同一でもよい(導体幅WYCA≒導体幅WYCB)。Y方向に隣接する直線状導体1222Aどうし、直線状導体1222Bどうし、または、直線状導体1222Aと直線状導体1222Bとの間は、間隙幅GYCの間隙となっている。
[0904]
 そして、2本の直線状導体1222Aおよび2本の直線状導体1222Bが、導体周期FYC(=2×導体幅WYCA+2×導体幅WYCB+4×間隙幅GYC)で、Y方向に周期的に配置されている。換言すれば、2本の直線状導体1222Aの導体周期FYCと、2本の直線状導体1222Bの導体周期FYCとが、同一または略同一である。
[0905]
 なお、導体幅WYCA、導体幅WYCB、および、間隙幅GYCは、任意の値に設計することができる。また、図123では2本の直線状導体1222Aおよび1222Bが周期的に配置されている例を示したがこの限りではなく、例えば3本以上の直線状導体が周期的に配置されていてもよい。また、図123では直線状導体1222Aと直線状導体1222Bとで同じ本数の直線状導体が周期的に配置されている例を示したがこの限りではなく、直線状導体1222Aと直線状導体1222Bとで異なる本数の直線状導体が周期的に配置されていてもよい。
[0906]
 直線状導体1222Aおよび直線状導体1222Bが、導体周期FYCでY方向に周期的に配置された導体層Cを所定の平面範囲(平面領域)で見ると、直線状導体1222Aの導体幅WYCAと、直線状導体1222Bの導体幅WYCBとが同一または略同一であるため、所定の平面範囲における複数本の直線状導体1222Aの導体幅WYCAの総和と、複数本の直線状導体1222Bの導体幅WYCBの総和とが同一または略同一となる。これにより、直線状導体1222Aの電流分布と、直線状導体1222Bの電流分布とが同一または略同一となるため、誘導性ノイズの発生を抑制することができる。
[0907]
 また、例えば、導体層Cが、図120のCに示したように、配線層170の近傍に配置されている場合、導体層Cの直線状導体1222Aおよび直線状導体1222Bと、配線層170の信号線132や制御線133との間の容量結合による容量性ノイズが生じ得るが、直線状導体1222Aおよび直線状導体1222Bは、Y方向に同じ配線パタンの繰り返しとなっているので、容量性ノイズをY方向で完全相殺することが可能である。容量性ノイズは、導体層Cが配線層170に近いほど、大きく改善することができる。
[0908]
 図123のFに示されるように、導体層AとBの積層が遮光構造となっており、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光することができ、図123のDおよびEに示されるように、導体層AとCとの積層、および、導体層BとCとの積層においても一定範囲の遮光性が保たれている。これにより、導体層AとBの遮光制約を緩和することができるので、導体層AとBの導体面積を最大限に利用することができ、配線抵抗を下げて、電圧降下をさらに改善することができる。また、導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることができる。
[0909]
 さらに、導体層Aの網目状導体1201と導体層Cの直線状導体1222Aとが電気的に接続され、導体層Bの網目状導体1202と導体層Cの直線状導体1222Bとが電気的に接続される場合には、導体層AおよびBの電流量を小さくすることができるので、導体層AまたはBからの誘導性ノイズや電圧降下をさらに改善することができる。
[0910]
 <3層導体層の第2の構成例の変形例>
 図124は、3層導体層の第2の構成例の第1変形例を示している。
[0911]
 図124のA乃至Fは、図123のA乃至Fにそれぞれ対応し、同一の符号を付した共通する部分の説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。
[0912]
 図123の第2の構成例では、導体層Cにおいて、Y方向に隣接する2本の直線状導体1222AのY方向の導体幅WYCAは同一であった。これに対して、図124の第1変形例では、Y方向に隣接する2本の直線状導体1222Aの導体幅が導体幅WYCA1と導体幅WYCA2とで異なる(導体幅WYCA1<導体幅WYCA2)。なお、導体幅WYCA1、および、導体幅WYCA2は、任意の値に設計することができる。
[0913]
 同様に、図123の第2の構成例では、導体層Cにおいて、Y方向に隣接する2本の直線状導体1222BのY方向の導体幅WYCBは同一であった。これに対して、図124の第1変形例では、Y方向に隣接する2本の直線状導体1222Bの導体幅が導体幅WYCB1と導体幅WYCB2とで異なる(導体幅WYCB1<導体幅WYCB2)。なお、導体幅WYCB1、および、導体幅WYCB2は、任意の値に設計することができる。
[0914]
 図124の第1変形例において、直線状導体1222Aおよび1222Bの導体幅の違い以外は、図123の第2の構成例と同様である。
[0915]
 図125は、3層導体層の第2の構成例の第2変形例を示している。
[0916]
 図125のA乃至Fは、図123のA乃至Fにそれぞれ対応し、同一の符号を付した共通する部分の説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。
[0917]
 図125の第2変形例では、導体層Cにおいて、Y方向に隣接する2本の直線状導体1222Aの導体幅が異なる点で、図123の第2の構成例と相違し、図124の第1変形例と共通する。また、Y方向に隣接する2本の直線状導体1222Bの導体幅が異なる点で、図123の第2の構成例と相違し、図124の第1変形例と共通する。
[0918]
 一方、図124に示した第1変形例では、導体幅が異なる2本の直線状導体1222Aの配列が、2本の直線状導体1222Bの配列と同じであった。具体的には、2本の直線状導体1222Aが、導体幅の細い(導体幅WYCA1の)直線状導体1222A、導体幅の導体幅の太い(導体幅WYCA2の)直線状導体1222A、の順でY方向に配列されている場合、2本の直線状導体1222Bも、導体幅の細い(導体幅WYCB1の)直線状導体1222B、導体幅の導体幅の太い(導体幅WYCB2の)直線状導体1222B、の順でY方向に配列されていた。
[0919]
 これに対して、図125の第2変形例では、導体幅が異なる2本の直線状導体1222Aの配列が、2本の直線状導体1222Bの配列と異なる。具体的には、2本の直線状導体1222Aが、導体幅の細い(導体幅WYCA1の)直線状導体1222A、導体幅の太い(導体幅WYCA2の)直線状導体1222A、の順でY方向に配列されている場合、2本の直線状導体1222Bは、導体幅の導体幅の太い(導体幅WYCB1の)直線状導体1222B、導体幅の細い(導体幅WYCB2の)直線状導体1222B、の順でY方向に配列されている。換言すれば、導体幅の異なる2本の直線状導体1222Aと1222Bとが、Y方向で鏡面対称に配置されている。
[0920]
 図125の第2変形例において、直線状導体1222Aおよび1222Bの導体幅の違い以外は、図123の第2の構成例と同様である。
[0921]
 図124および図125の第1変形例および第2変形例においても、導体層Cを所定の平面範囲(平面領域)で見ると、所定の平面範囲における複数本の直線状導体1222Aの導体幅WYCA1およびWYCA2の総和と、複数本の直線状導体1222Bの導体幅WYCB1およびWYCB2の総和とが同一または略同一となる。これにより、直線状導体1222Aの電流分布と、直線状導体1222Bの電流分布とが同一または略同一となるため、誘導性ノイズの発生を抑制できる。
[0922]
 図124および図125の第1変形例および第2変形例においても、容量性ノイズを大きく改善し、導体層AとBの遮光制約を緩和できる。また、配線抵抗を下げて、電圧降下を改善できる。さらに、導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることができる。
[0923]
 <3層導体層の第3の構成例>
 図126は、3層導体層の第3の構成例を示している。
[0924]
 図126のAは導体層C(配線層165C)を、図126のBは導体層A(配線層165A)を、図126のCは導体層B(配線層165B)を示している。
[0925]
 また、図126のDは、導体層Aと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図126のEは、導体層Bと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図126のFは、導体層Aと導体層Bとの積層状態の平面図である。
[0926]
 図126のBの導体層Aは、図122の第1の構成例と同じ網目状導体1201であり、図126のCの導体層Bは、図122の第1の構成例と同じ網目状導体1202であるので、その説明は省略する。
[0927]
 図126のAの導体層Cは、X方向に長い直線状導体1223Aと、X方向に長い直線状導体1223Bのそれぞれが、Y方向に交互に周期的に配置されている点で、図122の第1の構成例と同様である。ただし、図122の第1の構成例では、Y方向に順に配列される直線状導体1221Aの導体幅は、全て導体幅WYCAで同一であった。
[0928]
 これに対して、図126の第3の構成例では、Y方向に交互に周期的に配置される直線状導体1223Aと直線状導体1223Bのうち、直線状導体1223Aについては、異なる導体幅WYCA1と導体幅WYCA2の直線状導体1223AがY方向に交互に配列されているのに対して、直線状導体1223Bについては、同じ導体幅WYCBの直線状導体1223Aが配列されている。
[0929]
 図126の第3の構成例において、直線状導体1223Aおよび1223Bの導体幅の違い以外は、図122の第1の構成例と同様である。
[0930]
 すなわち、直線状導体1223Aは、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。直線状導体1223Bは、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。直線状導体1223Aと直線状導体1223Bは、電流方向が互いに逆方向となる差動導体である。直線状導体1223Aは、例えば、半導体基板の外周部のパッド(不図示)に接続され、導体層Aの網目状導体1201と電気的に接続されている。導体層Aの網目状導体1201と導体層Cの直線状導体1223Aとが、例えばZ方向に延伸された導体ビア(VIA)等を介して電気的に接続されてもよい。直線状導体1223Bは、例えば、半導体基板の外周部のパッド(不図示)に接続され、導体層Bの網目状導体1202と電気的に接続されている。導体層Bの網目状導体1202と導体層Cの直線状導体1223Bとが、例えばZ方向に延伸された導体ビア(VIA)等を介して電気的に接続されてもよい。
[0931]
 Y方向に隣接する直線状導体1223Aと直線状導体1223Bとの間は、間隙幅GYCの間隙となっている。そして、2本の直線状導体1223Aおよび2本の直線状導体1223Bが、導体周期FYC(=導体幅WYCA1+導体幅WYCA2+2×導体幅WYCB+4×間隙幅GYC)で、Y方向に周期的に配置されている。なお、導体幅WYCA1、導体幅WYCA2、導体幅WYCB、および、間隙幅GYCは、任意の値に設計できる。また、図126では2本の直線状導体1223Aおよび1223Bが周期的に配置されている例を示したがこの限りではなく、例えば3本以上の直線状導体が周期的に配置されていてもよい。また、図126では直線状導体1223Aと直線状導体1223Bとで同じ本数の直線状導体が周期的に配置されている例を示したがこの限りではなく、直線状導体1223Aと直線状導体1223Bとで異なる本数の直線状導体が周期的に配置されていてもよい。
[0932]
 直線状導体1223Aおよび直線状導体1223Bが、導体周期FYCでY方向に周期的に配置された導体層Cを所定の平面範囲(平面領域)で見ると、所定の平面範囲における複数本の直線状導体1223Aの導体幅WYCA1およびWYCA2の総和と、複数本の直線状導体1223Bの導体幅WYCBの総和とが同一または略同一となる。これにより、直線状導体1223Aの電流分布と、直線状導体1223Bの電流分布とが同一または略同一となるため、誘導性ノイズの発生を抑制できる。
[0933]
 図126の第3の構成例においても、容量性ノイズを大きく改善し、導体層AとBの遮光制約を緩和できる。また、配線抵抗を下げて、電圧降下を改善できる。さらに、導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることができる。
[0934]
 <3層導体層の第3の構成例の変形例>
 図127は、3層導体層の第3の構成例の変形例を示している。
[0935]
 図127のA乃至Fは、図126のA乃至Fにそれぞれ対応し、同一の符号を付した共通する部分の説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。
[0936]
 図126の第3の構成例では、導体層Cにおいて、Y方向に交互に周期的に配置される直線状導体1223Aと直線状導体1223Bのうち、直線状導体1223Aの導体幅が導体幅WYCA1と導体幅WYCA2の2種類存在し、各直線状導体1223Bは同じ導体幅WYCBであった。
[0937]
 これに対して、図127の第3の構成例の変形例では、導体層Cにおいて、Y方向に交互に周期的に配置される直線状導体1223Aと直線状導体1223Bのうち、各直線状導体1223Aが同じ導体幅WYCAであり、直線状導体1223Bの導体幅が導体幅WYCB1と導体幅WYCB2の2種類存在する。図127の第3の構成例の変形例では、直線状導体1223Bについては、異なる導体幅WYCB1と導体幅WYCB2の直線状導体1223BがY方向に交互に配列されている。
[0938]
 図127の第3の構成例の変形例において、直線状導体1223Aおよび1223Bの導体幅の違い以外は、図126の第3の構成例と同様である。
[0939]
 直線状導体1223Aおよび直線状導体1223Bが、導体周期FYCでY方向に周期的に配置された導体層Cを所定の平面範囲(平面領域)で見ると、所定の平面範囲における複数本の直線状導体1223Aの導体幅WYCAの総和と、複数本の直線状導体1223Bの導体幅WYCB1およびWYCB2の総和とが同一または略同一となる。これにより、直線状導体1223Aの電流分布と、直線状導体1223Bの電流分布とが同一または略同一となるため、誘導性ノイズの発生を抑制できる。
[0940]
 図127の第3の構成例の変形例においても、容量性ノイズを大きく改善し、導体層AとBの遮光制約を緩和できる。また、配線抵抗を下げて、電圧降下を改善できる。さらに、導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることができる。
[0941]
 <3層導体層の第4の構成例>
 図128は、3層導体層の第4の構成例を示している。
[0942]
 図128のAは導体層C(配線層165C)を、図128のBは導体層A(配線層165A)を、図128のCは導体層B(配線層165B)を示している。
[0943]
 また、図128のDは、導体層Aと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図128のEは、導体層Bと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図128のFは、導体層Aと導体層Bとの積層状態の平面図である。
[0944]
 図128の第4の構成例において、図122に示した第1の構成例と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は適宜省略して、異なる部分に着目して説明する。
[0945]
 図128のAの導体層Cは、図122に示した第1の構成例の導体層Cと同様である。すなわち、導体層Cは、X方向に長い直線状導体1221Aと、X方向に長い直線状導体1221Bとを、導体周期FYCでY方向に交互に周期的に配置して構成されている。
[0946]
 図128のBの導体層Aは、図121と同じ網目状導体1201を有する。また、導体層Aは、網目状導体1201のX方向の間隙幅GXAおよびY方向の間隙幅GYAを有する間隙の内側に、中継導体1241(第1の中継導体)を有する。中継導体1241は、網目状導体1201の全ての間隙に、1対1に配置されている。中継導体1241どうしの間隔、換言すれば、中継導体1241の周期も、導体周期FXAおよびFYAである。
[0947]
 中継導体1241は、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)であり、図120のCに示した積層順の場合には、導体層Bの網目状導体1202と、導体層Cの直線状導体1221Bとを、例えばZ方向に延伸された導体ビア(VIA)等を介して電気的に接続する。換言すれば、導体層Bの網目状導体1202と、導体層Cの直線状導体1221Bとが、導体層Aの中継導体1241を介して、電気的に接続されている。また、中継導体1241は、例えば、図120のAに示した積層順の場合には、導体層Bの網目状導体1202と、導体層A乃至Cとは異なる導体層の導体とを、例えばZ方向に延伸された導体ビア(VIA)等を介して電気的に接続してもよい。また、中継導体1241は、例えば、図120のBに示した積層順の場合には、導体層Cの直線状導体1221Bと、導体層A乃至Cとは異なる導体層の導体とを、例えばZ方向に延伸された導体ビア(VIA)等を介して電気的に接続してもよい。また、中継導体1241は、その全てが電気的な接続に用いられていなくてもよく、その全てが電気的な接続に用いられていてもよく、その一部が電気的な接続に用いられていてもよい。
[0948]
 中継導体1241を設けたことにより、網目状導体1202と直線状導体1221Bとを略最短距離または短距離で接続して電源を引き込むことが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[0949]
 図128のCの導体層Bは、図121と同じ網目状導体1202を有する。また、導体層Bは、網目状導体1202のX方向の間隙幅GXBおよびY方向の間隙幅GYBを有する間隙の内側に、中継導体1242(第2の中継導体)を有する。中継導体1242は、網目状導体1202の全ての間隙に、1対1に配置されている。中継導体1242どうしの間隔、換言すれば、中継導体1242の周期も、導体周期FXBおよびFYBである。
[0950]
 中継導体1242は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)であり、図120のAに示した積層順の場合には、導体層Aの網目状導体1201と、導体層Cの直線状導体1221Aとを、例えばZ方向に延伸された導体ビア(VIA)等を介して電気的に接続する。換言すれば、導体層Bの網目状導体1201と、導体層Cの直線状導体1221Aとが、導体層Bの中継導体1242を介して、電気的に接続されている。また、中継導体1242は、例えば、図120のCに示した積層順の場合には、導体層Aの網目状導体1201と、導体層A乃至Cとは異なる導体層の導体とを、例えばZ方向に延伸された導体ビア(VIA)等を介して電気的に接続してもよい。また、中継導体1242は、例えば、図120のBに示した積層順の場合には、導体層Cの直線状導体1221Aと、導体層A乃至Cとは異なる導体層の導体とを、例えばZ方向に延伸された導体ビア(VIA)等を介して電気的に接続してもよい。また、中継導体1242は、その全てが電気的な接続に用いられていなくてもよく、その全てが電気的な接続に用いられていてもよく、その一部が電気的な接続に用いられていてもよい。
[0951]
 中継導体1242を設けたことにより、網目状導体1201と直線状導体1221Aとを略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[0952]
 また、図128のAの直線状導体1221Aおよび直線状導体1221Bは、X方向に長い導体であるので、電流が流れやすい方向はX方向である。また、図128のBおよびCの網目状導体1201および1202の電流が流れやすい方向は、Y方向である。したがって、導体層Cの電流が流れやすい方向と、導体層AおよびBの電流が流れやすい方向は、略直交して略90度異なる。これにより、電流が拡散しやすくなる(電流が集中しにくくなる)ので、誘導性ノイズをさらに改善できる。
[0953]
 図128のFに示されるように、導体層AとBの積層が遮光構造となっている。また、図128のDおよびEに示されるように、導体層AとCとの積層、および、導体層BとCとの積層においても遮光構造となっており、遮光性が保たれている。これにより、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光できる。また、導体層AとBの遮光制約を大幅に緩和できるので、導体層AとBの導体面積を最大限に利用することができ、配線抵抗を下げて、電圧降下をさらに改善できる。導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることができる。
[0954]
 <3層導体層の第4の構成例の変形例>
 図129は、3層導体層の第4の構成例の第1変形例を示している。
[0955]
 図129のAは導体層C(配線層165C)を、図129のBは導体層A(配線層165A)を、図129のCは導体層B(配線層165B)を示している。
[0956]
 また、図129のDは、導体層Aと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図129のEは、導体層Bと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図129のFは、導体層Aと導体層Bとの積層状態の平面図である。
[0957]
 図129において、図128に示した第4の構成例と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は適宜省略して、異なる部分に着目して説明する。
[0958]
 第4の構成例の第1変形例では、図129のAの導体層Cの構成のみが、図128と異なる。
[0959]
 図128のAの導体層Cでは、X方向に長い直線状導体1221Aと、X方向に長い直線状導体1221Bとが、導体周期FYCでY方向に交互に周期的に配置して構成されていた。また、導体層Cの電流が流れやすい方向と、導体層AおよびBの電流が流れやすい方向は、略直交して略90度異なっていた。
[0960]
 これに対して、図129のAの導体層Cでは、Y方向に長い直線状導体1251Aと、Y方向に長い直線状導体1251Bとが、X方向に交互に周期的に配置して構成されている。
[0961]
 また、図129のAの直線状導体1251Aおよび直線状導体1251BはY方向に長い導体であるので、電流が流れやすい方向はY方向である。また、図128のBおよびCの網目状導体1201および1202の電流が流れやすい方向は、Y方向である。これにより、導体層Cの電流が流れやすい方向と、導体層AおよびBの電流が流れやすい方向は、同一または略同一である。この場合、配線レイアウトによっては、電圧降下をさらに改善できる。略90度と、方向についての略同一とは、2つの方向の差分が90度または同一角度とみなせる範囲であればよいが、90度または同一角度に対して、少なくとも45度以上の差はない状態とする。
[0962]
 直線状導体1251Aは、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。直線状導体1251Bは、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。直線状導体1251Aと直線状導体1251Bは、電流方向が互いに逆方向となる差動導体である。直線状導体1251Aは、例えば、半導体基板の外周部のパッド(不図示)に接続され、導体層Aの網目状導体1201と電気的に接続されている。導体層Aの網目状導体1201と導体層Cの直線状導体1251Aとが、例えばZ方向に延伸された導体ビア(VIA)等を介して電気的に接続されてもよい。直線状導体1251Bは、例えば、半導体基板の外周部のパッド(不図示)に接続され、導体層Bの網目状導体1202と電気的に接続されている。導体層Bの網目状導体1202と導体層Cの直線状導体1251Bとが、例えばZ方向に延伸された導体ビア(VIA)等を介して電気的に接続されてもよい。
[0963]
 直線状導体1251Aは、X方向の導体幅WXCAを有し、直線状導体1251Bは、X方向の導体幅WXCBを有し、直線状導体1251Aの導体幅WXCAと、直線状導体1251Bの導体幅WXCBとは同一または略同一である(導体幅WXCA=導体幅WXCB,導体幅WXCA≒導体幅WXCB)。Y方向の直線状導体1251Aと直線状導体1251Bとの間は、間隙幅GXCの間隙となっている。
[0964]
 そして、1本の直線状導体1251Aおよび直線状導体1251Bが、導体周期FXC(=導体幅WXCA+導体幅WXCB+2×間隙幅GXC)で、X方向に周期的に配置されている。換言すれば、直線状導体1251Aの導体周期FXCと、直線状導体1251Bの導体周期FXCとが、同一または略同一である。
[0965]
 また、導体層Cの直線状導体1251Aの繰り返し周期である導体周期FXCは、導体層Aの網目状導体1201のX方向の繰り返し周期である導体周期FXAの整数倍である。図129は、導体周期FXCが、導体周期FYAの2倍の例である。
[0966]
 導体層Cの直線状導体1251Bの繰り返し周期である導体周期FXCは、導体層Bの網目状導体1202のX方向の繰り返し周期である導体周期FXBの整数倍である。図129は、導体周期FXCが、導体周期FXBの2倍の例である。
[0967]
 なお、導体幅WXCA、導体幅WXCB、および、間隙幅GXCは、任意の値に設計できる。
[0968]
 直線状導体1251Aおよび直線状導体1251Bが、導体周期FXCでX方向に周期的に配置された導体層Cを所定の平面範囲(平面領域)で見ると、直線状導体1251Aの導体幅WXCAと、直線状導体1251Bの導体幅WXCBとが同一または略同一であるため、所定の平面範囲における複数本の直線状導体1251Aの導体幅WXCAの総和と、複数本の直線状導体1251Bの導体幅WXCBの総和とが同一または略同一となる。これにより、直線状導体1251Aの電流分布と、直線状導体1251Bの電流分布とが同一または略同一となるため、誘導性ノイズの発生を抑制できる。
[0969]
 また、例えば、導体層Cが、図120のCに示したように、配線層170の近傍に配置されている場合、導体層Cの直線状導体1251Aおよび直線状導体1251Bと、配線層170の信号線132や制御線133との間の容量結合による容量性ノイズが生じ得るが、直線状導体1251Aおよび直線状導体1251Bは、X方向に同じ配線パタンの繰り返しとなっているので、容量性ノイズをX方向で完全相殺することが可能である。容量性ノイズは、導体層Cが配線層170に近いほど、大きく改善できる。
[0970]
 図129のFに示されるように、導体層AとBの積層が遮光構造となっており、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光できることは勿論、図129のDに示されるように、導体層AとCとの積層においても遮光構造となっており、遮光性が保たれている。これにより、導体層AとBの遮光制約を大幅に緩和できるので、導体層AとBの導体面積を最大限に利用することができ、配線抵抗を下げて、電圧降下をさらに改善できる。また、導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることができる。
[0971]
 さらに、導体層Aの網目状導体1201と導体層Cの直線状導体1251Aとが電気的に接続され、導体層Bの網目状導体1202と導体層Cの直線状導体1251Bとが電気的に接続される場合には、導体層AおよびBの電流量を小さくできるので、導体層AまたはBからの誘導性ノイズや電圧降下をさらに改善できる。
[0972]
 図130は、3層導体層の第4の構成例の第2変形例を示している。
[0973]
 図130のA乃至Fは、図129のA乃至Fにそれぞれ対応し、同一の符号を付した共通する部分の説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。
[0974]
 図129の第1変形例では、導体層Aの網目状導体1201および導体層Bの網目状導体1202の間隙の位置を見ると、X方向の位置が異なり、Y方向の位置が一致している。
[0975]
 一方、図130の第2変形例の、導体層Aの網目状導体1201および導体層Bの網目状導体1202の間隙の位置を見ると、X方向の位置が一致し、Y方向の位置が異なる。
[0976]
 換言すれば、導体層Aの網目状導体1201と導体層Bの網目状導体1202の、配線層170の信号線132が伸びる方向(Y方向)と同一または略同一の方向の導体を、導体層Aの網目状導体1201と導体層Bの網目状導体1202とで比較すると、積層方向からみて全ての導体が重複している。このような構成の導体層Aと導体層Bは、図27で示した導体層A及びBの第6の構成例に相当し、図28のCのシミュレーション結果で示したように誘導性ノイズを大幅に改善することができる。
[0977]
 導体層Aの中継導体1241と、導体層Bの中継導体1242の位置を比較すると、図129の第1変形例では、X方向の位置が異なり、Y方向の位置が一致している。一方、図130の第2変形例では、X方向の位置が一致し、Y方向の位置が異なる。
[0978]
 図129の第1変形例では、導体層AとBの積層、および、導体層AとCの積層が遮光構造となっており、遮光性が保たれている。一方、図130の第2変形例では、導体層AとCの積層、および、導体層BとCの積層が遮光構造となっており、遮光性が保たれている。
[0979]
 図130の第2変形例において、上述した点以外は、図129の第1の変形例と同様である。
[0980]
 図130の第2変形例においても、導体層Cを所定の平面範囲(平面領域)で見ると、直線状導体1251Aの電流分布と、直線状導体1251Bの電流分布とが同一または略同一となるため、誘導性ノイズの発生を抑制できる。
[0981]
 また、容量性ノイズをX方向で完全相殺することが可能なので、容量性ノイズを大きく改善できる。導体層AとCの積層、および、導体層BとCの積層が遮光構造であるので、導体層AとBの遮光制約を大幅に緩和できる。また、配線抵抗を下げて、電圧降下を改善できる。さらに、導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることができる。
[0982]
 <3層導体層の第5の構成例>
 図131は、3層導体層の第5の構成例を示している。
[0983]
 図131のAは導体層C(配線層165C)を、図131のBは導体層A(配線層165A)を、図131のCは導体層B(配線層165B)を示している。
[0984]
 また、図131のDは、導体層Aと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図131のEは、導体層Bと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図131のFは、導体層Aと導体層Bとの積層状態の平面図である。
[0985]
 図131の第5の構成例において、図128に示した第4の構成例と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は適宜省略して、異なる部分に着目して説明する。
[0986]
 図131のBの導体層Aは、網目状導体1261を有する。網目状導体1261が、図128に示した第4の構成例の網目状導体1201と異なる点は、X方向の間隙幅GXAとY方向の間隙幅GYAとの比である。具体的には、図128に示した第4の構成例の導体層Aの網目状導体1201は、(間隙幅GYA/間隙幅GXA)>1であるが、図131のBの第5の構成例の導体層Aの網目状導体1261は、(間隙幅GYA/間隙幅GXA)<1である。
[0987]
 換言すれば、図128に示した第4の構成例の導体層Aの網目状導体1201は、導体幅WXA>導体幅WYA、かつ、間隙幅GYA>間隙幅GXAであり、Y方向に電流が流れやすい導体であるのに対して、図131のBの第5の構成例の導体層Aの網目状導体1261は、導体幅WXA<導体幅WYA、かつ、間隙幅GYA<間隙幅GXAであり、X方向に電流が流れやすい導体である。
[0988]
 さらに、換言すれば、図128に示した第4の構成例の導体層Cの電流が流れやすい方向と、導体層AおよびBの電流が流れやすい方向は、略直交して略90度異なっているのに対して、図131のBの第5の構成例の導体層Cの電流が流れやすい方向と、導体層AおよびBの電流が流れやすい方向は、同一または略同一である。図131の第5の構成例の場合、配線レイアウトによっては、電圧降下をさらに改善できる。
[0989]
 図128に示した第4の構成例では、導体層Aの網目状導体1201と導体層Bの網目状導体1202の間隙の位置を比較すると、X方向の位置が異なり、Y方向の位置が一致している。
[0990]
 一方、図131のBの第5の構成例では、導体層Aの網目状導体1261と導体層Bの網目状導体1262の間隙のX方向の位置が一致し、Y方向の位置が異なる。
[0991]
 換言すれば、導体層Aの網目状導体1261と導体層Bの網目状導体1262の、配線層170の信号線132が伸びる方向(Y方向)と同一または略同一の方向の導体を、導体層Aの網目状導体1261と導体層Bの網目状導体1262とで比較すると、積層方向からみて全ての導体が重複している。このような構成の導体層Aと導体層Bは、図27で示した導体層A及びBの第6の構成例に相当し、図28のCのシミュレーション結果で示したように誘導性ノイズを大幅に改善することができる。
[0992]
 図130の第2変形例において、上述した点以外は、図128に示した第4の構成例と同様である。
[0993]
 図131のAの導体層Cについては、図128に示した第4の構成例の導体層Cと同一である。したがって、導体層Cを所定の平面範囲(平面領域)で見ると、直線状導体1221Aの電流分布と、直線状導体1221Bの電流分布とが同一または略同一となるため、誘導性ノイズの発生を抑制することができる。
[0994]
 直線状導体1221Aおよび直線状導体1221Bは、Y方向に同じ配線パタンの繰り返しとなっているので、容量性ノイズをY方向で完全相殺することが可能である。容量性ノイズは、導体層Cが配線層170に近いほど、大きく改善することができる。
[0995]
 図131のFに示されるように、導体層AとBの積層が遮光構造となっており、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光できることは勿論、図131のDに示されるように、導体層AとCとの積層においても遮光構造となっており、遮光性が保たれている。これにより、導体層AとBの遮光制約を大幅に緩和できるので、導体層AとBの導体面積を最大限に利用することができ、配線抵抗を下げて、電圧降下をさらに改善できる。また、導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることができる。
[0996]
 さらに、導体層Aの網目状導体1261と導体層Cの直線状導体1221Aとが電気的に接続され、導体層Bの網目状導体1262と導体層Cの直線状導体1221Bとが電気的に接続される場合には、導体層AおよびBの電流量を小さくできるので、導体層AまたはBからの誘導性ノイズや電圧降下をさらに改善できる。
[0997]
 <3層導体層の第6の構成例>
 図132は、3層導体層の第6の構成例を示している。
[0998]
 図132のAは導体層C(配線層165C)を、図132のBは導体層A(配線層165A)を、図132のCは導体層B(配線層165B)を示している。
[0999]
 また、図132のDは、導体層Aと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図132のEは、導体層Bと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図132のFは、導体層Aと導体層Bとの積層状態の平面図である。
[1000]
 図132の第6の構成例において、図128に示した第4の構成例と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は適宜省略して、異なる部分に着目して説明する。
[1001]
 図132の第6の構成例は、図128に示した第4の構成例における、導体層Aの中継導体1241の一部を省略した構成である。具体的には、図128の第4の構成例では、網目状導体1201の行列状の全ての間隙内に、中継導体1241が形成されていたのに対して、図132の第6の構成例では、中継導体1241が形成された行と、中継導体1241が形成されていない行とが、Y方向に、行単位で交互に配置されている。導体層Aの中継導体1241は、導体層Cの直線状導体1221BのXY平面領域内に位置する。
[1002]
 このように、網目状導体1201の各間隙内に形成される中継導体1241は、全ての間隙内に配置せずに間引いて、間隙の一部に対して配置するようにしてもよい。導体層Aにおける配線領域の占有率等の制約を守ることができ、配線レイアウトの設計の自由度を高めることができる。
[1003]
 図132の第6の構成例において、上述した点以外は、図128に示した第4の構成例と同様である。
[1004]
 図132のAの導体層Cについては、図128に示した第4の構成例の導体層Cと同一である。したがって、導体層Cを所定の平面範囲(平面領域)で見ると、直線状導体1221Aの電流分布と、直線状導体1221Bの電流分布とが同一または略同一となるため、誘導性ノイズの発生を抑制することができる。
[1005]
 直線状導体1221Aおよび直線状導体1221Bは、Y方向に同じ配線パタンの繰り返しとなっているので、容量性ノイズをY方向で完全相殺することが可能である。容量性ノイズは、導体層Cが配線層170に近いほど、大きく改善することができる。
[1006]
 図132のFに示されるように、導体層AとBの積層が遮光構造となっており、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光できることは勿論、図132のDおよびEに示されるように、導体層AとCとの積層、および、導体層BとCとの積層においても遮光構造となっており、遮光性が保たれている。これにより、導体層AとBの遮光制約を大幅に緩和できるので、導体層AとBの導体面積を最大限に利用することができ、配線抵抗を下げて、電圧降下をさらに改善できる。また、導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることができる。
[1007]
 導体層Aに中継導体1241を設けたことにより、網目状導体1202と直線状導体1221Bとを略最短距離または短距離で接続して電源を引き込むことが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1008]
 導体層Bに中継導体1242を設けたことにより、網目状導体1201と直線状導体1221Aとを略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1009]
 図132の第6の構成例において、導体層Cの電流が流れやすい方向と、導体層AおよびBの電流が流れやすい方向は、略直交して略90度異なる。これにより、電流が拡散しやすくなる(電流が集中しにくくなる)ので、誘導性ノイズをさらに改善できる。
[1010]
 <3層導体層の第6の構成例の変形例>
 図133は、3層導体層の第6の構成例の変形例を示している。
[1011]
 図133のAは導体層C(配線層165C)を、図133のBは導体層A(配線層165A)を、図133のCは導体層B(配線層165B)を示している。
[1012]
 また、図133のDは、導体層Aと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図133のEは、導体層Bと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図133のFは、導体層Aと導体層Bとの積層状態の平面図である。
[1013]
 図133において、図132に示した第6の構成例と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は適宜省略して、異なる部分に着目して説明する。
[1014]
 第6の構成例の変形例では、導体層Aと導体層Cの構成が、図132の第6の構成例と異なる。
[1015]
 図132のAの導体層Cでは、X方向に長い直線状導体1221Aと、X方向に長い直線状導体1221Bとが、Y方向に交互に周期的に配置して構成されていた。これにより、導体層Cの電流が流れやすい方向と、導体層AおよびBの電流が流れやすい方向は、略直交して略90度異なっていた。
[1016]
 これに対して、図133のAの導体層Cでは、Y方向に長い直線状導体1251Aと、Y方向に長い直線状導体1251Bとが、X方向に交互に周期的に配置して構成されている。これにより、導体層Cの電流が流れやすい方向と、導体層AおよびBの電流が流れやすい方向は、同一または略同一である。この場合、配線レイアウトによっては、電圧降下をさらに改善できる。
[1017]
 次に、図132のBの導体層Aでは、網目状導体1201の行列状の間隙内に、中継導体1241が形成された行と、形成されていない行とが、Y方向に、行単位で交互に配置されていた。
[1018]
 これに対して、図133のBの導体層Aでは、網目状導体1201の行列状の間隙内に、中継導体1241が形成された列と、形成されていない列とが、X方向に、列単位で交互に配置されている。導体層Aの中継導体1241は、導体層Cの直線状導体1251BのXY平面領域内に位置する。
[1019]
 図133の第6の構成例の変形例において、上述した点以外は、図132に示した第6の構成例と同様である。
[1020]
 図133のAの導体層Cについては、図129に示した第4の構成例の第1変形例の導体層Cと同一である。したがって、直線状導体1251Aの電流分布と、直線状導体1251Bの電流分布とが同一または略同一となるため、誘導性ノイズの発生を抑制することができる。
[1021]
 直線状導体1251Aおよび直線状導体1251Bは、X方向に同じ配線パタンの繰り返しとなっているので、容量性ノイズをX方向で完全相殺することが可能である。容量性ノイズは、導体層Cが配線層170に近いほど、大きく改善することができる。
[1022]
 図133のFに示されるように、導体層AとBの積層が遮光構造となっており、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光できることは勿論、図133のDに示されるように、導体層AとCとの積層においても遮光構造となっており、遮光性が保たれている。これにより、導体層AとBの遮光制約を大幅に緩和できるので、導体層AとBの導体面積を最大限に利用することができ、配線抵抗を下げて、電圧降下をさらに改善できる。また、導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることができる。
[1023]
 さらに、導体層Aの網目状導体1201と導体層Cの直線状導体1251Aとが電気的に接続され、導体層Bの網目状導体1202と導体層Cの直線状導体1251Bとが電気的に接続される場合には、導体層AおよびBの電流量を小さくできるので、導体層AまたはBからの誘導性ノイズや電圧降下をさらに改善できる。
[1024]
 なお、図133の第6の構成例の変形例では、導体層Aの中継導体1241が間引かれ、導体層Bの中継導体1242は間引かれない構成としたが、導体層Aの中継導体1241が間引かれずに、導体層Bの中継導体1242が間引かれる構成も可能である。
[1025]
 <3層導体層の第7の構成例>
 図134は、3層導体層の第7の構成例を示している。
[1026]
 図134のAは導体層C(配線層165C)を、図134のBは導体層A(配線層165A)を、図134のCは導体層B(配線層165B)を示している。
[1027]
 また、図134のDは、導体層Aと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図134のEは、導体層Bと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図134のFは、導体層Aと導体層Bとの積層状態の平面図である。
[1028]
 図134の第7の構成例において、図131に示した第5の構成例と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は適宜省略して、異なる部分に着目して説明する。
[1029]
 第7の構成例では、図134のBの導体層Aの構成のみが、図131の第5の構成例と異なる。第7の構成例の導体層BおよびCは、図131の第5の構成例の導体層BおよびCと同様である。
[1030]
 第7の構成例における図134のBの導体層Aは、網目状導体1271を有する。また、導体層Aでは、網目状導体1271のX方向の間隙幅GXAおよびY方向の間隙幅GYAを有する間隙の内側に、中継導体1241が形成されていない。
[1031]
 換言すれば、図134のBの網目状導体1271の間隙幅GXAおよび間隙幅GYAは、図131のBの網目状導体1261の間隙幅GXAおよび間隙幅GYAよりも小さく、中継導体1241を形成するほど十分な間隙がない。
[1032]
 図134の第7の構成例において、上述した点以外は、図131に示した第5の構成例と同様である。
[1033]
 図134のAの導体層Cについては、図131に示した第5の構成例の導体層Cと同一である。したがって、導体層Cを所定の平面範囲(平面領域)で見ると、直線状導体1221Aの電流分布と、直線状導体1221Bの電流分布とが同一または略同一となるため、誘導性ノイズの発生を抑制することができる。
[1034]
 直線状導体1221Aおよび直線状導体1221Bは、Y方向に同じ配線パタンの繰り返しとなっているので、容量性ノイズをY方向で完全相殺することが可能である。容量性ノイズは、導体層Cが配線層170に近いほど、大きく改善することができる。
[1035]
 図134のFに示されるように、導体層AとBの積層が遮光構造となっており、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光できることは勿論、図134のDに示されるように、導体層AとCとの積層においても遮光構造となっており、遮光性が保たれている。これにより、導体層AとBの遮光制約を大幅に緩和できるので、導体層AとBの導体面積を最大限に利用することができ、配線抵抗を下げて、電圧降下をさらに改善できる。また、導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることができる。
[1036]
 図134の第7の構成例は、特に、導体層A乃至Cの3層を電気的に接続できる積層順、具体的には、図120のBに示した積層順に好適である。図120のBに示した導体層A、C、Bの積層順の場合、導体層Aの網目状導体1271と、導体層Cの直線状導体1221Aとが、平面領域が重複する領域の一部において、Z方向の導体ビアで接続でき、導体層Bの網目状導体1262および中継導体1242が、それぞれ、導体層Cの直線状導体1221Bおよび1221Aと、電流特性が共通の導体どうしで、かつ、平面領域が重複する領域の一部において、Z方向の導体ビアで接続できる。
[1037]
 <3層導体層の第8の構成例>
 図135は、3層導体層の第8の構成例を示している。
[1038]
 図135のAは導体層C(配線層165C)を、図135のBは導体層A(配線層165A)を、図135のCは導体層B(配線層165B)を示している。
[1039]
 また、図135のDは、導体層Aと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図135のEは、導体層Bと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図135のFは、導体層Aと導体層Bとの積層状態の平面図である。
[1040]
 図135の第8の構成例は、図128に示した第4の構成例の一部を変更した構成を有しており、第4構成例と比較して、図135の第8構成例について説明する。なお、図135においては、図128と対応する部分については同一の符号を付してある。
[1041]
 図135のAの導体層Cは、図128のAに示した第4構成例の導体層Cと同様である。すなわち、導体層Cは、X方向に長い直線状導体1221Aと、X方向に長い直線状導体1221Bとを、Y方向に交互に周期的に配置して構成されている。
[1042]
 図128のBの導体層Aは、図128に示した第4の構成例における、導体層Aの中継導体1241の一部を省略した構成である。具体的には、図128の第4の構成例では、網目状導体1201の行列状の全ての間隙内に、中継導体1241が形成されていたのに対して、図135の第8の構成例では、中継導体1241が形成された行と、中継導体1241が形成されていない行とが、Y方向に、行単位で交互に配置されている。
[1043]
 図128のCの導体層Bも、同様に、図128に示した第4の構成例における、導体層Bの中継導体1242の一部を省略した構成である。具体的には、図128の第4の構成例では、網目状導体1201の行列状の全ての間隙内に、中継導体1242が形成されていたのに対して、図135の第8の構成例では、中継導体1242が形成された行と、中継導体1242が形成されていない行とが、Y方向に、行単位で交互に配置されている。
[1044]
 したがって、図135の第8の構成例は、図128に示した第4の構成例から、導体層Aについては、網目状導体1201の行列状の各間隙に配置された中継導体1241を行単位で1行おきに間引き、導体層Bについては、網目状導体1202の行列状の各間隙に配置された中継導体1242を行単位で1行おきに間引いた構成を有する。
[1045]
 図135の第8の構成例において、上述した点以外は、図128に示した第4の構成例と同様である。
[1046]
 図135のAの導体層Cを所定の平面範囲(平面領域)で見ると、直線状導体1221Aの電流分布と、直線状導体1221Bの電流分布とが同一または略同一となるため、誘導性ノイズの発生を抑制することができる。
[1047]
 直線状導体1221Aおよび直線状導体1221Bは、Y方向に同じ配線パタンの繰り返しとなっているので、容量性ノイズをY方向で完全相殺することが可能である。容量性ノイズは、導体層Cが配線層170に近いほど、大きく改善することができる。
[1048]
 図135のFに示されるように、導体層AとBの積層が遮光構造となっており、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光できることは勿論、図135のDおよびEに示されるように、導体層AとCとの積層、および、導体層BとCとの積層においても遮光構造となっており、遮光性が保たれている。これにより、導体層AとBの遮光制約を大幅に緩和できるので、導体層AとBの導体面積を最大限に利用することができ、配線抵抗を下げて、電圧降下をさらに改善できる。また、導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることができる。
[1049]
 導体層Aに中継導体1241を設けたことにより、網目状導体1202と直線状導体1221Bとを略最短距離または短距離で接続して電源を引き込むことが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1050]
 導体層Bに中継導体1242を設けたことにより、網目状導体1201と直線状導体1221Aとを略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1051]
 図135の第8の構成例において、導体層Cの電流が流れやすい方向と、導体層AおよびBの電流が流れやすい方向は、略直交して略90度異なる。これにより、電流が拡散しやすくなる(電流が集中しにくくなる)ので、誘導性ノイズをさらに改善できる。
[1052]
 <3層導体層の第8の構成例の第1変形例>
 図136は、3層導体層の第8の構成例の第1変形例を示している。
[1053]
 図136のAは導体層C(配線層165C)を、図136のBは導体層A(配線層165A)を、図136のCは導体層B(配線層165B)を示している。
[1054]
 また、図136のDは、導体層Aと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図136のEは、導体層Bと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図136のFは、導体層Aと導体層Bとの積層状態の平面図である。
[1055]
 図136において、図135に示した第8の構成例と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は適宜省略して、異なる部分に着目して説明する。
[1056]
 第8の構成例の第1変形例では、導体層A乃至Cの構成が、図135の第8の構成例と異なる。
[1057]
 図135のAに示した導体層Cでは、X方向に長い直線状導体1221Aと、X方向に長い直線状導体1221Bとが、Y方向に交互に周期的に配置して構成されていた。これにより、導体層Cの電流が流れやすい方向と、導体層AおよびBの電流が流れやすい方向は、略直交して略90度異なっていた。
[1058]
 これに対して、図136のAの導体層Cでは、Y方向に長い直線状導体1251Aと、Y方向に長い直線状導体1251Bとが、X方向に交互に周期的に配置して構成されている。これにより、導体層Cの電流が流れやすい方向と、導体層AおよびBの電流が流れやすい方向は、同一または略同一である。この場合、配線レイアウトによっては、電圧降下をさらに改善できる。
[1059]
 次に、図135のBに示した導体層Aでは、網目状導体1201の行列状の間隙内に、中継導体1241が形成された行と、形成されていない行とが、Y方向に、行単位で交互に配置されていた。
[1060]
 これに対して、図136のBの導体層Aでは、網目状導体1201の行列状の間隙内に、中継導体1241が形成された列と、形成されていない列とが、X方向に、列単位で交互に配置されている。導体層Aの中継導体1241は、導体層Cの直線状導体1251BのXY平面領域内に位置する。
[1061]
 また、図135のCに示した導体層Bでは、網目状導体1202の行列状の間隙内に、中継導体1242が形成された行と、形成されていない行とが、Y方向に、行単位で交互に配置されていた。
[1062]
 これに対して、図136のCの導体層Bでは、網目状導体1202の行列状の間隙内に、中継導体1242が形成された列と、形成されていない列とが、X方向に、列単位で交互に配置されている。
[1063]
 図136の第8の構成例の第1変形例において、上述した点以外は、図135に示した第8の構成例と同様である。
[1064]
 図136のAの導体層Cを所定の平面範囲(平面領域)で見ると、直線状導体1251Aの電流分布と、直線状導体1251Bの電流分布とが同一または略同一となるため、誘導性ノイズの発生を抑制することができる。
[1065]
 直線状導体1251Aおよび直線状導体1251Bは、X方向に同じ配線パタンの繰り返しとなっているので、容量性ノイズをX方向で完全相殺することが可能である。容量性ノイズは、導体層Cが配線層170に近いほど、大きく改善することができる。
[1066]
 図136のFに示されるように、導体層AとBの積層が遮光構造となっており、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光できることは勿論、図136のDに示されるように、導体層AとCとの積層においても遮光構造となっており、遮光性が保たれている。これにより、導体層AとBの遮光制約を大幅に緩和できるので、導体層AとBの導体面積を最大限に利用することができ、配線抵抗を下げて、電圧降下をさらに改善できる。また、導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることができる。
[1067]
 さらに、導体層Aの網目状導体1201と導体層Cの直線状導体1251Aとが電気的に接続され、導体層Bの網目状導体1202と導体層Cの直線状導体1251Bとが電気的に接続される場合には、導体層AおよびBの電流量を小さくできるので、導体層AまたはBからの誘導性ノイズや電圧降下をさらに改善できる。
[1068]
 導体層Aに中継導体1241を設けたことにより、網目状導体1202と直線状導体1251Bとを略最短距離または短距離で接続して電源を引き込むことが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1069]
 導体層Bに中継導体1242を設けたことにより、網目状導体1201と直線状導体1251Aとを略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1070]
 <3層導体層の第8の構成例の第2変形例>
 図137は、3層導体層の第8の構成例の第2変形例を示している。
[1071]
 図137のAは導体層C(配線層165C)を、図137のBは導体層A(配線層165A)を、図137のCは導体層B(配線層165B)を示している。
[1072]
 また、図137のDは、導体層Aと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図137のEは、導体層Bと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図137のFは、導体層Aと導体層Bとの積層状態の平面図である。
[1073]
 図137において、図135に示した第8の構成例と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は適宜省略して、異なる部分に着目して説明する。
[1074]
 第8の構成例の第2変形例では、導体層Aと導体層Bの構成が、図135の第8の構成例と異なる。
[1075]
 図137のBの導体層Aは、図135に示した第8の構成例と比較すると、網目状導体1201の中継導体1241が形成されていない間隙内に、Y方向の導体幅WYAd1を有する補強導体1281が新たに追加されている。補強導体1281は、X方向の導体幅が間隙幅GXAで、X方向に長い直線状導体である。
[1076]
 図137のCの導体層Bは、図135に示した第8の構成例と比較すると、網目状導体1202の中継導体1242が形成されていない間隙内に、Y方向の導体幅WYBd1を有する補強導体1282が新たに追加されている。補強導体1282は、X方向の導体幅が間隙幅GXBで、X方向に長い直線状導体である。
[1077]
 図137の第8の構成例の第2変形例において、上述した点以外は、図135に示した第8の構成例と同様である。
[1078]
 図137のAの導体層Cを所定の平面範囲(平面領域)で見ると、直線状導体1221Aの電流分布と、直線状導体1221Bの電流分布とが同一または略同一となるため、誘導性ノイズの発生を抑制することができる。
[1079]
 直線状導体1221Aおよび直線状導体1221Bは、Y方向に同じ配線パタンの繰り返しとなっているので、容量性ノイズをY方向で完全相殺することが可能である。容量性ノイズは、導体層Cが配線層170に近いほど、大きく改善することができる。
[1080]
 図137のFに示されるように、導体層AとBの積層が遮光構造となっており、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光できることは勿論、図137のDおよびEに示されるように、導体層AとCとの積層、および、導体層BとCとの積層においても遮光構造となっており、遮光性が保たれている。これにより、導体層AとBの遮光制約を大幅に緩和できるので、導体層AとBの導体面積を最大限に利用することができ、配線抵抗を下げて、電圧降下をさらに改善できる。また、導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることができる。
[1081]
 導体層Aに中継導体1241を設けたことにより、網目状導体1202と直線状導体1221Bとを略最短距離または短距離で接続して電源を引き込むことが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1082]
 導体層Bに中継導体1242を設けたことにより、網目状導体1201と直線状導体1221Aとを略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1083]
 図137の第8の構成例の第2変形例において、導体層Cの電流が流れやすい方向と、導体層AおよびBの電流が流れやすい方向は、略直交して略90度異なる。これにより、電流が拡散しやすくなる(電流が集中しにくくなる)ので、誘導性ノイズをさらに改善できる。
[1084]
 導体層Aにおいて、中継導体1241を間引きした位置に、X方向に長い補強導体1281を配置したことにより、配線抵抗を小さくできるため、電圧降下をさらに改善することができる。電圧降下が改善されることにより、誘導性ノイズも改善できる。
[1085]
 導体層Bにおいて、中継導体1242を間引きした位置に、X方向に長い補強導体1282を配置したことにより、配線抵抗を小さくできるため、電圧降下をさらに改善することができる。電圧降下が改善されることにより、誘導性ノイズも改善できる。
[1086]
 <3層導体層の第8の構成例の第3変形例>
 図138は、3層導体層の第8の構成例の第3変形例を示している。
[1087]
 図138のAは導体層C(配線層165C)を、図138のBは導体層A(配線層165A)を、図138のCは導体層B(配線層165B)を示している。
[1088]
 また、図138のDは、導体層Aと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図138のEは、導体層Bと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図138のFは、導体層Aと導体層Bとの積層状態の平面図である。
[1089]
 図138において、図135に示した第8の構成例と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は適宜省略して、異なる部分に着目して説明する。
[1090]
 第8の構成例の第3変形例では、導体層Aと導体層Bの構成が、図135の第8の構成例と異なる。
[1091]
 最初に、導体層Aについて見ると、図135に示した第8の構成例では、網目状導体1201の行列状の各間隙は、Y方向の間隙幅GYAを共通に有していた。換言すれば、Y方向の間隙幅GYAは、網目状導体1201の行列状の全ての間隙で同一であった。
[1092]
 これに対して、図138のBの導体層Aでは、中継導体1241が形成されている間隙は、Y方向の間隙幅GYAを有し、中継導体1241が形成されていない間隙は、間隙幅GYAよりも小さいY方向の間隙幅GYAd1(間隙幅GYA>間隙幅GYAd1)を有する。
[1093]
 次に、導体層Bについて見ると、図135に示した第8の構成例では、網目状導体1202の行列状の各間隙は、Y方向の間隙幅GYBを共通に有していた。換言すれば、Y方向の間隙幅GYBは、網目状導体1202の行列状の全ての間隙で同一であった。
[1094]
 これに対して、図138のBの導体層Aでは、中継導体1242が形成されている間隙は、Y方向の間隙幅GYBを有し、中継導体1242が形成されていない間隙は、間隙幅GYBよりも小さいY方向の間隙幅GYBd1(間隙幅GYB>間隙幅GYBd1)を有する。
[1095]
 図138の第8の構成例の第3変形例において、上述した点以外は、図135に示した第8の構成例と同様である。
[1096]
 図138のAの導体層Cを所定の平面範囲(平面領域)で見ると、直線状導体1221Aの電流分布と、直線状導体1221Bの電流分布とが同一または略同一となるため、誘導性ノイズの発生を抑制することができる。
[1097]
 直線状導体1221Aおよび直線状導体1221Bは、Y方向に同じ配線パタンの繰り返しとなっているので、容量性ノイズをY方向で完全相殺することが可能である。容量性ノイズは、導体層Cが配線層170に近いほど、大きく改善することができる。
[1098]
 図138のFに示されるように、導体層AとBの積層が遮光構造となっており、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光できることは勿論、図138のDおよびEに示されるように、導体層AとCとの積層、および、導体層BとCとの積層においても遮光構造となっており、遮光性が保たれている。これにより、導体層AとBの遮光制約を大幅に緩和できるので、導体層AとBの導体面積を最大限に利用することができ、配線抵抗を下げて、電圧降下をさらに改善できる。また、導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることができる。
[1099]
 導体層Aに中継導体1241を設けたことにより、網目状導体1202と直線状導体1221Bとを略最短距離または短距離で接続して電源を引き込むことが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1100]
 導体層Bに中継導体1242を設けたことにより、網目状導体1201と直線状導体1221Aとを略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1101]
 図138の第8の構成例の第3変形例において、導体層Cの電流が流れやすい方向と、導体層AおよびBの電流が流れやすい方向は、略直交して略90度異なる。これにより、電流が拡散しやすくなる(電流が集中しにくくなる)ので、誘導性ノイズをさらに改善できる。
[1102]
 導体層Aにおいて、中継導体1241を間引きした位置の間隙幅GYAd1を、中継導体1241が形成されている位置の間隙幅GYAよりも小さくしたことにより、配線抵抗を小さくできるため、電圧降下をさらに改善することができる。電圧降下が改善されることにより、誘導性ノイズも改善できる。
[1103]
 導体層Bにおいて、中継導体1242を間引きした位置の間隙幅GYBd1を、中継導体1242が形成されている位置の間隙幅GYBよりも小さくしたことにより、配線抵抗を小さくできるため、電圧降下をさらに改善することができる。電圧降下が改善されることにより、誘導性ノイズも改善できる。
[1104]
 なお、図138の第8の構成例の第3変形例において、導体層Aの網目状導体1201のY方向の導体幅WYAを太くすることで、中継導体1241を間引きした位置の間隙幅GYAd1を、中継導体1241が形成されている位置の間隙幅GYAよりも小さくしてもよいし、Y方向の導体幅WYAは図135の第8の構成例と同じでもよい。導体層Bの網目状導体1202についても同様である。
[1105]
 <3層導体層の第8の構成例の第4変形例>
 図139は、3層導体層の第8の構成例の第4変形例を示している。
[1106]
 図139のAは導体層C(配線層165C)を、図139のBは導体層A(配線層165A)を、図139のCは導体層B(配線層165B)を示している。
[1107]
 また、図139のDは、導体層Aと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図139のEは、導体層Bと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図139のFは、導体層Aと導体層Bとの積層状態の平面図である。
[1108]
 図139の第8の構成例の第4変形例は、図136の第8の構成例の第1変形例の一部を変更した構成を有する。図139では、図136と対応する部分については同一の符号を付し、その部分の説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。
[1109]
 図136の第1変形例では、導体層Aの網目状導体1201と導体層Bの網目状導体1202の間隙の位置を比較すると、X方向の位置が異なり、Y方向の位置が一致している。
[1110]
 一方、図139の第4変形例では、導体層Aの網目状導体1201と導体層Bの網目状導体1202の間隙の位置を比較すると、X方向の位置が一致し、Y方向の位置が異なる。
[1111]
 図139の第8の構成例の第4変形例において、上述した点以外は、図136の第1変形例と同様である。例えば、導体層Aにおいて、網目状導体1201の行列状の間隙内に、中継導体1241が形成された列と、形成されていない列とが、X方向に、列単位で交互に配置されている点、導体層Bにおいて、網目状導体1202の行列状の間隙内に、中継導体1242が形成された列と、形成されていない列とが、X方向に、列単位で交互に配置されている点も同様である。
[1112]
 また、図139の第8の構成例の第4変形例は、図130に示した第4の構成例の第2変形例から、導体層Aにおいて、中継導体1241を列単位で1列おきに間引き、導体層Bにおいて、中継導体1242を列単位で1列おきに間引いた構成に相当する。
[1113]
 図139のAの導体層Cを所定の平面範囲(平面領域)で見ると、直線状導体1251Aの電流分布と、直線状導体1251Bの電流分布とが同一または略同一となるため、誘導性ノイズの発生を抑制することができる。
[1114]
 直線状導体1251Aおよび直線状導体1251Bは、X方向に同じ配線パタンの繰り返しとなっているので、容量性ノイズをX方向で完全相殺することが可能である。容量性ノイズは、導体層Cが配線層170に近いほど、大きく改善することができる。
[1115]
 図139のDおよびEに示されるように、導体層AとCとの積層、および、導体層BとCとの積層において遮光構造となっており、遮光性が保たれている。これにより、導体層AとBの遮光制約を大幅に緩和できるので、導体層AとBの導体面積を最大限に利用することができ、配線抵抗を下げて、電圧降下をさらに改善できる。また、導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることができる。
[1116]
 さらに、導体層Aの網目状導体1201と導体層Cの直線状導体1251Aとが電気的に接続され、導体層Bの網目状導体1202と導体層Cの直線状導体1251Bとが電気的に接続される場合には、導体層AおよびBの電流量を小さくできるので、導体層AまたはBからの誘導性ノイズや電圧降下をさらに改善できる。
[1117]
 図139のAの導体層Cでは、導体層Cの電流が流れやすい方向と、導体層AおよびBの電流が流れやすい方向は、同一または略同一である。この場合、配線レイアウトによっては、電圧降下をさらに改善できる。
[1118]
 導体層Aに中継導体1241を設けたことにより、網目状導体1202と直線状導体1251Bとを略最短距離または短距離で接続して電源を引き込むことが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1119]
 導体層Bに中継導体1242を設けたことにより、網目状導体1201と直線状導体1251Aとを略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1120]
 <3層導体層の第8の構成例の第5変形例>
 図140は、3層導体層の第8の構成例の第5変形例を示している。
[1121]
 図140のAは導体層C(配線層165C)を、図140のBは導体層A(配線層165A)を、図140のCは導体層B(配線層165B)を示している。
[1122]
 また、図140のDは、導体層Aと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図140のEは、導体層Bと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図140のFは、導体層Aと導体層Bとの積層状態の平面図である。
[1123]
 図140の第8の構成例の第5変形例は、図136に示した第8の構成例の第1変形例の一部を変更した構成を有する。図140では、図136と対応する部分については同一の符号を付し、その部分の説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。
[1124]
 第8の構成例の第5変形例では、導体層Bの構成のみが、図136の第8の構成例の第1変形例と異なる。
[1125]
 図136の第1変形例では、導体層Bは、網目状導体1202の行列状の間隙内に、中継導体1242が形成された列と、形成されていない列とが、X方向に、列単位で交互に配置されていた。換言すれば、中継導体1241が列単位で1列おきに間引かれていた。
[1126]
 これに対して、図140の導体層Bは、網目状導体1202の行列状の間隙内に、中継導体1242が形成された列と、形成されていない列とが、X方向に、2列単位で交互に配置されている。換言すれば、中継導体1241が2列単位で2列おきに間引かれている。
[1127]
 図140の第8の構成例の第5変形例において、上述した点以外は、図136の第8の構成例の第1変形例と同様である。
[1128]
 図140のAの導体層Cを所定の平面範囲(平面領域)で見ると、直線状導体1251Aの電流分布と、直線状導体1251Bの電流分布とが同一または略同一となるため、誘導性ノイズの発生を抑制することができる。
[1129]
 直線状導体1251Aおよび直線状導体1251Bは、X方向に同じ配線パタンの繰り返しとなっているので、容量性ノイズをX方向で完全相殺することが可能である。容量性ノイズは、導体層Cが配線層170に近いほど、大きく改善することができる。
[1130]
 図140のFに示されるように、導体層AとBの積層が遮光構造となっており、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光できることは勿論、図140のDに示されるように、導体層AとCとの積層においても遮光構造となっており、遮光性が保たれている。これにより、導体層AとBの遮光制約を大幅に緩和できるので、導体層AとBの導体面積を最大限に利用することができ、配線抵抗を下げて、電圧降下をさらに改善できる。また、導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることができる。
[1131]
 さらに、導体層Aの網目状導体1201と導体層Cの直線状導体1251Aとが電気的に接続され、導体層Bの網目状導体1202と導体層Cの直線状導体1251Bとが電気的に接続される場合には、導体層AおよびBの電流量を小さくできるので、導体層AまたはBからの誘導性ノイズや電圧降下をさらに改善できる。
[1132]
 図140のAの導体層Cでは、導体層Cの電流が流れやすい方向と、導体層AおよびBの電流が流れやすい方向は、同一または略同一である。この場合、配線レイアウトによっては、電圧降下をさらに改善できる。
[1133]
 導体層Aに中継導体1241を設けたことにより、網目状導体1202と直線状導体1251Bとを略最短距離または短距離で接続して電源を引き込むことが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1134]
 導体層Bに中継導体1242を設けたことにより、網目状導体1201と直線状導体1251Aとを略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1135]
 <3層導体層の第9の構成例>
 図141は、3層導体層の第9の構成例を示している。
[1136]
 図141のAは導体層C(配線層165C)を、図141のBは導体層A(配線層165A)を、図141のCは導体層B(配線層165B)を示している。
[1137]
 また、図141のDは、導体層Aと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図141のEは、導体層Bと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図141のFは、導体層Aと導体層Bとの積層状態の平面図である。
[1138]
 図141の第9の構成例は、図132の第6の構成例の一部を変更した構成を有する。図141では、図132と対応する部分については同一の符号を付し、その部分の説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。
[1139]
 第9の構成例では、導体層Aの構成のみが、図132の第6の構成例と異なる。
[1140]
 図132の第6の構成例の導体層Aは、網目状導体1201の行列状の間隙内に、中継導体1241が形成された行と、中継導体1241が形成されていない行とが、Y方向に、行単位で交互に配置されていた。
[1141]
 図141の第9の構成例の導体層Aは、図132の第6の構成例の導体層Aの中継導体1241が形成されていない行の間隙に、中継導体1243(第3の中継導体)が新たに設けられた構成を有する。中継導体1243は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。
[1142]
 すなわち、図141の第9の構成例の導体層Aは、網目状導体1201を有し、網目状導体1201の行列状の間隙内に、中継導体1241が形成された行と、中継導体1243が形成された列とが、Y方向に、行単位で交互に配置された構成を有する。
[1143]
 例えば、図141の第9の構成例の導体層A乃至Cが、導体層B、導体層C、導体層Aの順で、導体層Cが真ん中に配置される積層順である場合、導体層Bの中継導体1242は、導体層Cの直線状導体1221AとZ方向の導体ビアで接続し、導体層Bの網目状導体1202は、導体層Cの直線状導体1221Bと、Z方向の導体ビアで接続できる。また、導体層Aの中継導体1241は、導体層Cの直線状導体1221BとZ方向の導体ビアで接続し、中継導体1243は、導体層Cの直線状導体1221AとZ方向の導体ビアで接続できる。さらに、導体層Aの網目状導体1201と、導体層Cの直線状導体1221Aとを、Z方向の導体ビアで接続できる。また、中継導体1243は、導体層A乃至Cとは異なる導体層の導体と、Z方向の導体ビアで接続してもよい。また、中継導体1243は、その全てが電気的な接続に用いられていなくてもよく、その全てが電気的な接続に用いられていてもよく、その一部が電気的な接続に用いられていてもよい。
[1144]
 導体層Aに中継導体1241を設けたことにより、直線状導体1221Bと略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1145]
 導体層Aに中継導体1243を設けたことにより、直線状導体1221Aと略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1146]
 導体層Bに中継導体1242を設けたことにより、直線状導体1221Aと略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1147]
 図141の第9の構成例において、上述した点以外は、図132の第6の構成例と同様である。
[1148]
 図141のAの導体層Cについては、図132の第6の構成例の導体層Cと同一である。したがって、導体層Cを所定の平面範囲(平面領域)で見ると、直線状導体1221Aの電流分布と、直線状導体1221Bの電流分布とが同一または略同一となるため、誘導性ノイズの発生を抑制することができる。
[1149]
 直線状導体1221Aおよび直線状導体1221Bは、Y方向に同じ配線パタンの繰り返しとなっているので、容量性ノイズをY方向で完全相殺することが可能である。容量性ノイズは、導体層Cが配線層170に近いほど、大きく改善することができる。
[1150]
 図141のFに示されるように、導体層AとBの積層が遮光構造となっており、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光できることは勿論、図141のDおよびEに示されるように、導体層AとCとの積層、および、導体層BとCとの積層においても遮光構造となっており、遮光性が保たれている。これにより、導体層AとBの遮光制約を大幅に緩和できるので、導体層AとBの導体面積を最大限に利用することができ、配線抵抗を下げて、電圧降下をさらに改善できる。また、導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることができる。
[1151]
 図141の第9の構成例において、導体層Cの電流が流れやすい方向と、導体層AおよびBの電流が流れやすい方向は、略直交して略90度異なる。これにより、電流が拡散しやすくなる(電流が集中しにくくなる)ので、誘導性ノイズをさらに改善できる。
[1152]
 <3層導体層の第9の構成例の第1変形例>
 図142は、3層導体層の第9の構成例の第1変形例を示している。
[1153]
 図142のAは導体層C(配線層165C)を、図142のBは導体層A(配線層165A)を、図142のCは導体層B(配線層165B)を示している。
[1154]
 また、図142のDは、導体層Aと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図142のEは、導体層Bと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図142のFは、導体層Aと導体層Bとの積層状態の平面図である。
[1155]
 第9の構成例の第1変形例は、図133の第6の構成例の第1変形例の一部を変更した構成を有する。図142では、図133と対応する部分については同一の符号を付し、その部分の説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。
[1156]
 第9の構成例の第1変形例では、導体層Aの構成のみが、図133の第6の構成例の第1変形例と異なる。
[1157]
 図133の第6の構成例の第1変形例の導体層Aは、網目状導体1201の行列状の間隙内に、中継導体1241が形成された列と、中継導体1241が形成されていない列とが、Y方向に、列単位で交互に配置されていた。
[1158]
 図142の第9の構成例の第1変形例の導体層Aは、図133の第6の構成例の第1変形例の導体層Aの中継導体1241が形成されていない列の間隙に、中継導体1243が新たに設けられた構成を有する。
[1159]
 すなわち、図142の第9の構成例の第1変形例の導体層Aは、網目状導体1201を有し、網目状導体1201の行列状の間隙内に、中継導体1241が形成された列と、中継導体1243が形成された列とが、X方向に、列単位で交互に配置された構成を有する。
[1160]
 例えば、図142の第9の構成例の導体層A乃至Cが、導体層B、導体層C、導体層Aの順で、導体層Cが真ん中に配置される積層順である場合、導体層Bの中継導体1242は、導体層Cの直線状導体1251Aと接続し、導体層Bの網目状導体1202は、導体層Cの直線状導体1251Bと、Z方向の導体ビアで接続できる。また、導体層Aの中継導体1241は、導体層Cの直線状導体1251Bと接続し、中継導体1243は、導体層Cの直線状導体1251Aと接続できる。さらに、導体層Aの網目状導体1201と、導体層Cの直線状導体1251Aとを、Z方向の導体ビアで接続できる。
[1161]
 導体層Aに中継導体1241を設けたことにより、直線状導体1251Bと略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1162]
 導体層Aに中継導体1243を設けたことにより、直線状導体1251Aと略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1163]
 導体層Bに中継導体1242を設けたことにより、直線状導体1251Aと略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1164]
 図142の第9の構成例の第1変形例において、上述した点以外は、図133の第6の構成例の第1変形例と同様である。
[1165]
 図142のAの導体層Cについては、図132の第6の構成例の導体層Cと同一である。したがって、導体層Cを所定の平面範囲(平面領域)で見ると、直線状導体1251Aの電流分布と、直線状導体1251Bの電流分布とが同一または略同一となるため、誘導性ノイズの発生を抑制することができる。
[1166]
 直線状導体1251Aおよび直線状導体1251Bは、X方向に同じ配線パタンの繰り返しとなっているので、容量性ノイズをX方向で完全相殺することが可能である。容量性ノイズは、導体層Cが配線層170に近いほど、大きく改善することができる。
[1167]
 図142のFに示されるように、導体層AとBの積層が遮光構造となっており、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光できることは勿論、図142のDに示されるように、導体層AとCとの積層においても遮光構造となっており、遮光性が保たれている。これにより、導体層AとBの遮光制約を大幅に緩和できるので、導体層AとBの導体面積を最大限に利用することができ、配線抵抗を下げて、電圧降下をさらに改善できる。また、導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることができる。
[1168]
 図142の第9の構成例の第1変形例において、導体層Cの電流が流れやすい方向と、導体層AおよびBの電流が流れやすい方向は、同一または略同一である。この場合、配線レイアウトによっては、電圧降下をさらに改善できる。
[1169]
 <3層導体層の第9の構成例の第2変形例>
 図143は、3層導体層の第9の構成例の第2変形例を示している。
[1170]
 図143のAは導体層C(配線層165C)を、図143のBは導体層A(配線層165A)を、図143のCは導体層B(配線層165B)を示している。
[1171]
 また、図143のDは、導体層Aと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図143のEは、導体層Bと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図143のFは、導体層Aと導体層Bとの積層状態の平面図である。
[1172]
 第9の構成例の第2変形例は、図141の第9の構成例の一部を変更した構成を有する。図143では、図141と対応する部分については同一の符号を付し、その部分の説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。
[1173]
 第9の構成例の第2変形例では、導体層Bの構成のみが、図141の第9の構成例と異なる。
[1174]
 図141の第9の構成例の導体層Bは、網目状導体1202を有し、網目状導体1202の行列状の全ての間隙内に、中継導体1242が形成されていた。
[1175]
 これに対して、図143の第9の構成例の第2変形例では、網目状導体1201の各間隙内に、中継導体1242が形成された行と、中継導体1244(第4の中継導体)が形成された行とが、Y方向に、行単位で交互に配置されている。中継導体1244は、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。
[1176]
 例えば、図143の第9の構成例の第2変形例の導体層A乃至Cが、導体層B、導体層A、導体層Cの順で、導体層Aが真ん中に配置される積層順である場合、導体層Bの中継導体1242は、導体層Aの網目状導体1201とZ方向の導体ビアで接続し、導体層Bの中継導体1244は、導体層Bの網目状導体1202と、導体層A乃至Cとは異なる導体層の導体を介して接続する。また、導体層Bの網目状導体1202は、導体層Aの中継導体1241と、Z方向の導体ビアで接続できる。導体層Aの中継導体1241は、導体層Cの直線状導体1221BとZ方向の導体ビアで接続し、中継導体1243は、導体層Cの直線状導体1221AとZ方向の導体ビアで接続できる。さらに、導体層Aの網目状導体1201は、導体層Cの直線状導体1221Aと、Z方向の導体ビアで接続できる。なお、中継導体1244は、その全てが電気的な接続に用いられていなくてもよく、その全てが電気的な接続に用いられていてもよく、その一部が電気的な接続に用いられていてもよい。図143の第9の構成例の第2変形例では、位置ずれがあるものの、導体層A及びBおけるVdd配線の形状とVss配線の形状とが同一または略同一である。そのため、導体層A乃至Cのレイアウトを容易に設計できる場合があり、Vdd配線とVss配線とを好適な電流関係または電圧関係にしやすい場合がある。
[1177]
 導体層Aに中継導体1241を設けたことにより、直線状導体1221Bと略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1178]
 導体層Aに中継導体1243を設けたことにより、直線状導体1221Aと略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1179]
 導体層Bに中継導体1242を設けたことにより、直線状導体1221Aと略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1180]
 導体層Bに中継導体1244を設けたことにより、直線状導体1221Bと略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1181]
 図143の第9の構成例の第2変形例において、上述した点以外は、図141の第9の構成例と同様である。
[1182]
 図143のAの導体層Cについては、図141の第9の構成例の導体層Cと同一である。したがって、導体層Cを所定の平面範囲(平面領域)で見ると、直線状導体1221Aの電流分布と、直線状導体1221Bの電流分布とが同一または略同一となるため、誘導性ノイズの発生を抑制することができる。
[1183]
 直線状導体1221Aおよび直線状導体1221Bは、Y方向に同じ配線パタンの繰り返しとなっているので、容量性ノイズをY方向で完全相殺することが可能である。容量性ノイズは、導体層Cが配線層170に近いほど、大きく改善することができる。
[1184]
 図143のFに示されるように、導体層AとBの積層が遮光構造となっており、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光できることは勿論、図143のDおよびEに示されるように、導体層AとCとの積層、および、導体層BとCとの積層においても遮光構造となっており、遮光性が保たれている。これにより、導体層AとBの遮光制約を大幅に緩和できるので、導体層AとBの導体面積を最大限に利用することができ、配線抵抗を下げて、電圧降下をさらに改善できる。また、導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることができる。
[1185]
 図143の第9の構成例において、導体層Cの電流が流れやすい方向と、導体層AおよびBの電流が流れやすい方向は、略直交して略90度異なる。これにより、電流が拡散しやすくなる(電流が集中しにくくなる)ので、誘導性ノイズをさらに改善できる。
[1186]
 <3層導体層の第9の構成例の第3変形例>
 図144は、3層導体層の第9の構成例の第3変形例を示している。
[1187]
 図144のAは導体層C(配線層165C)を、図144のBは導体層A(配線層165A)を、図144のCは導体層B(配線層165B)を示している。
[1188]
 また、図144のDは、導体層Aと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図144のEは、導体層Bと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図144のFは、導体層Aと導体層Bとの積層状態の平面図である。
[1189]
 第9の構成例の第3変形例は、図142の第9の構成例の第1変形例の一部を変更した構成を有する。図144では、図142と対応する部分については同一の符号を付し、その部分の説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。
[1190]
 第9の構成例の第3変形例では、導体層Bの構成のみが、図142の第9の構成例の第1変形例と異なる。
[1191]
 図142の第9の構成例の第1変形例の導体層Bは、網目状導体1202を有し、網目状導体1202の行列状の全ての間隙内に、中継導体1242が形成されていた。
[1192]
 これに対し、図144の第9の構成例の第3変形例の導体層Bは、網目状導体1202を有し、網目状導体1202の行列状の間隙内に、中継導体1242が形成された列と、中継導体1244が形成された列とが、X方向に、列単位で交互に配置された構成を有する。
[1193]
 例えば、図144の第9の構成例の第3変形例の導体層A乃至Cが、導体層B、導体層A、導体層Cの順で、導体層Aが真ん中に配置される積層順である場合、導体層Bの中継導体1242は、導体層Aの網目状導体1201とZ方向の導体ビアで接続し、導体層Bの中継導体1244は、導体層Bの網目状導体1202と、導体層A乃至Cとは異なる導体層の導体を介して接続する。また、導体層Bの網目状導体1202は、導体層Aの中継導体1241と、Z方向の導体ビアで接続できる。導体層Aの中継導体1241は、導体層Cの直線状導体1251BとZ方向の導体ビアで接続し、中継導体1243は、導体層Cの直線状導体1251AとZ方向の導体ビアで接続できる。さらに、導体層Aの網目状導体1201は、導体層Cの直線状導体1251Aと、Z方向の導体ビアで接続できる。図144の第9の構成例の第3変形例では、位置ずれがあるものの、導体層A及びBにおけるVdd配線の形状とVss配線の形状とが同一または略同一である。そのため、導体層A乃至Cのレイアウトを容易に設計できる場合があり、Vdd配線とVss配線とを好適な電流関係または電圧関係にしやすい場合がある。
[1194]
 導体層Aに中継導体1241を設けたことにより、直線状導体1251Bと略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1195]
 導体層Aに中継導体1243を設けたことにより、直線状導体1251Aと略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1196]
 導体層Bに中継導体1242を設けたことにより、直線状導体1251Aと略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1197]
 導体層Bに中継導体1244を設けたことにより、直線状導体1251Bと略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1198]
 図144の第9の構成例の第3変形例において、上述した点以外は、図142の第9の構成例の第1変形例と同様である。
[1199]
 図144のAの導体層Cについては、図142の第9の構成例の第1変形例の導体層Cと同一である。したがって、導体層Cを所定の平面範囲(平面領域)で見ると、直線状導体1251Aの電流分布と、直線状導体1251Bの電流分布とが同一または略同一となるため、誘導性ノイズの発生を抑制することができる。
[1200]
 直線状導体1251Aおよび直線状導体1251Bは、X方向に同じ配線パタンの繰り返しとなっているので、容量性ノイズをX方向で完全相殺することが可能である。容量性ノイズは、導体層Cが配線層170に近いほど、大きく改善することができる。
[1201]
 図144のFに示されるように、導体層AとBの積層が遮光構造となっており、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光できることは勿論、図144のDに示されるように、導体層AとCとの積層においても遮光構造となっており、遮光性が保たれている。これにより、導体層AとBの遮光制約を大幅に緩和できるので、導体層AとBの導体面積を最大限に利用することができ、配線抵抗を下げて、電圧降下をさらに改善できる。また、導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることができる。
[1202]
 図144の第9の構成例の第3変形例において、導体層Cの電流が流れやすい方向と、導体層AおよびBの電流が流れやすい方向は、同一または略同一である。この場合、配線レイアウトによっては、電圧降下をさらに改善できる。
[1203]
 <3層導体層の第9の構成例の第4変形例>
 図145は、3層導体層の第9の構成例の第4変形例を示している。
[1204]
 図145のAは導体層C(配線層165C)を、図145のBは導体層A(配線層165A)を、図145のCは導体層B(配線層165B)を示している。
[1205]
 また、図145のDは、導体層Aと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図145のEは、導体層Bと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図145のFは、導体層Aと導体層Bとの積層状態の平面図である。
[1206]
 第9の構成例の第4変形例は、図144の第9の構成例の第3変形例の一部を変更した構成を有する。図145では、図144と対応する部分については同一の符号を付し、その部分の説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。
[1207]
 図144の第3変形例では、導体層Aの網目状導体1201と導体層Bの網目状導体1202の間隙の位置を比較すると、X方向の位置が異なり、Y方向の位置が一致している。
[1208]
 一方、図145の第4変形例では、導体層Aの網目状導体1201と導体層Bの網目状導体1202の間隙の位置を比較すると、X方向の位置が一致し、Y方向の位置が異なる。
[1209]
 また例えば、導体層Aの中継導体1241と、導体層Bの中継導体1244の位置を比較すると、図144の第3変形例では、X方向の位置が異なり、Y方向の位置が一致している。一方、図145の第4変形例では、X方向の位置が一致し、Y方向の位置が異なる。
[1210]
 また例えば、導体層Aの中継導体1243と、導体層Bの中継導体1242の位置を比較すると、図144の第3変形例では、X方向の位置が異なり、Y方向の位置が一致している。一方、図145の第4変形例では、X方向の位置が一致し、Y方向の位置が異なる。
[1211]
 図144の第3変形例では、導体層AとBの積層、および、導体層AとCの積層が遮光構造となっており、遮光性が保たれている。一方、図145の第4変形例では、導体層AとCの積層、および、導体層BとCの積層が遮光構造となっており、遮光性が保たれている。これにより、導体層AとBの遮光制約を大幅に緩和できるので、導体層AとBの導体面積を最大限に利用することができ、配線抵抗を下げて、電圧降下をさらに改善できる。また、導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることができる。
[1212]
 また、例えば、図145の第9の構成例の第4変形例の導体層A乃至Cが、導体層B、導体層C、導体層Aの順で、導体層Cが真ん中に配置される積層順である場合、導体層Bの中継導体1242は、導体層Cの直線状導体1251AとZ方向の導体ビアで接続し、導体層Bの中継導体1244は、導体層Cの直線状導体1251BとZ方向の導体ビアで接続する。また、導体層Bの網目状導体1202は、導体層Cの直線状導体1251Bと、Z方向の導体ビアで接続できる。導体層Aの中継導体1241は、導体層Cの直線状導体1251BとZ方向の導体ビアで接続し、中継導体1243は、導体層Cの直線状導体1251AとZ方向の導体ビアで接続できる。さらに、導体層Aの網目状導体1201は、導体層Cの直線状導体1251Aと、Z方向の導体ビアで接続できる。また、中継導体1244は、導体層A乃至Cとは異なる導体層の導体と、Z方向の導体ビアで接続してもよい。
[1213]
 図145の第4変形例において、上述した点以外は、図144の第3の変形例と同様である。
[1214]
 図145のAの導体層Cを所定の平面範囲(平面領域)で見ると、直線状導体1251Aの電流分布と、直線状導体1251Bの電流分布とが同一または略同一となるため、誘導性ノイズの発生を抑制することができる。
[1215]
 直線状導体1251Aおよび直線状導体1251Bは、X方向に同じ配線パタンの繰り返しとなっているので、容量性ノイズをX方向で完全相殺することが可能である。容量性ノイズは、導体層Cが配線層170に近いほど、大きく改善することができる。
[1216]
 図145の第9の構成例の第4変形例において、導体層Cの電流が流れやすい方向と、導体層AおよびBの電流が流れやすい方向は、同一または略同一である。この場合、配線レイアウトによっては、電圧降下をさらに改善できる。
[1217]
 導体層Aに中継導体1241を設けたことにより、直線状導体1251Bと略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1218]
 導体層Aに中継導体1243を設けたことにより、直線状導体1251Aと略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1219]
 導体層Bに中継導体1242を設けたことにより、直線状導体1251Aと略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1220]
 導体層Bに中継導体1244を設けたことにより、直線状導体1251Bと略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1221]
 <3層導体層の第10の構成例>
 図146は、3層導体層の第10の構成例を示している。
[1222]
 図146のAは導体層C(配線層165C)を、図146のBは導体層A(配線層165A)を、図146のCは導体層B(配線層165B)を示している。
[1223]
 また、図146のDは、導体層Aと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図146のEは、導体層Bと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図146のFは、導体層Aと導体層Bとの積層状態の平面図である。
[1224]
 第10の構成例は、図128の第4の構成例の一部を変更した構成を有する。図146では、図128と対応する部分については同一の符号を付し、その部分の説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。
[1225]
 第10の構成例では、導体層Cの構成のみが、図128の第4の構成例と異なる。
[1226]
 図146のAの導体層Cは、X方向に長い直線状導体1291Aと、X方向に長い直線状導体1291Bとを、Y方向に交互に周期的に配置して構成されている。直線状導体1219Aは、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。直線状導体1291Bは、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。
[1227]
 図128の第4の構成例において、図128のAの導体層Cの直線状導体1221Aの繰り返し周期である導体周期FYCは、図128のBの導体層Aの網目状導体1201のY方向の繰り返し周期である導体周期FYAの2倍であった。
[1228]
 これに対して、図146のAの導体層Cの直線状導体1291Aの繰り返し周期である導体周期FYCは、図146のBの導体層Aの網目状導体1201のY方向の繰り返し周期である導体周期FYAの1倍である。
[1229]
 同様に、図128の第4の構成例では、図128のAの導体層Cの直線状導体1221Bの導体周期FYCは、図128のCの導体層Bの網目状導体1202の導体周期FYBの2倍であったが、図146のAの導体層Cの直線状導体1291Bの導体周期FYCは、図146のCの導体層Bの網目状導体1202の導体周期FYBの1倍である。
[1230]
 図146の第10の構成例において、上述した点以外は、図128の第4の構成例と同様である。
[1231]
 図146のAの導体層Cを所定の平面範囲(平面領域)で見ると、直線状導体1291Aの電流分布と、直線状導体1291Bの電流分布とが同一または略同一となるため、誘導性ノイズの発生を抑制することができる。
[1232]
 直線状導体1291Aおよび直線状導体1291Bは、Y方向に同じ配線パタンの繰り返しとなっているので、容量性ノイズをY方向で完全相殺することが可能である。容量性ノイズは、導体層Cが配線層170に近いほど、大きく改善することができる。
[1233]
 図146のFに示されるように、導体層AとBの積層が遮光構造となっており、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光できることは勿論、図132のDおよびEに示されるように、導体層AとCとの積層、および、導体層BとCとの積層においても、一定範囲で、遮光性が保たれている。これにより、導体層AとBの遮光制約を緩和できるので、導体層AとBの導体面積を最大限に利用することができ、配線抵抗を下げて、電圧降下をさらに改善できる。また、導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることができる。
[1234]
 図146の第10の構成例において、導体層Cの電流が流れやすい方向と、導体層AおよびBの電流が流れやすい方向は、略直交して略90度異なる。これにより、電流が拡散しやすくなる(電流が集中しにくくなる)ので、誘導性ノイズをさらに改善できる。
[1235]
 導体層Aに中継導体1241を設けたことにより、直線状導体1291Bと略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1236]
 導体層Bに中継導体1242を設けたことにより、直線状導体1291Aと略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1237]
 <3層導体層の第10の構成例の変形例>
 図147は、3層導体層の第10の構成例の変形例を示している。
[1238]
 図147のAは導体層C(配線層165C)を、図147のBは導体層A(配線層165A)を、図147のCは導体層B(配線層165B)を示している。
[1239]
 また、図147のDは、導体層Aと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図147のEは、導体層Bと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図147のFは、導体層Aと導体層Bとの積層状態の平面図である。
[1240]
 第10の構成例の変形例は、図128の第4の構成例の一部を変更した構成を有する。図147では、図128と対応する部分については同一の符号を付し、その部分の説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。
[1241]
 第10の構成例の変形例では、導体層Cの構成のみが、図128の第4の構成例と異なる。
[1242]
 図147のAの導体層Cは、X方向に長い直線状導体1301Aと、X方向に長い直線状導体1301Bとを、Y方向に交互に周期的に配置して構成されている。直線状導体1301Aは、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。直線状導体1301Bは、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。直線状導体1301Aと直線状導体1301Bとの間隔は、間隙幅GYC1と間隙幅GYC2とで交互に配置されている。
[1243]
 図128の第4の構成例において、図128のAの導体層Cの直線状導体1221Aの繰り返し周期である導体周期FYCは、図128のBの導体層Aの網目状導体1201のY方向の繰り返し周期である導体周期FYAの2倍であった。
[1244]
 これに対して、図147のAの導体層Cの直線状導体1301Aの繰り返し周期である導体周期FYCは、図147のBの導体層Aの網目状導体1201のY方向の繰り返し周期である導体周期FYAの(1/整数)倍である。図147は、導体周期FYCが、導体周期FYAの1/2倍の例である。
[1245]
 同様に、図128の第4の構成例では、図128のAの導体層Cの直線状導体1221Bの導体周期FYCは、図128のCの導体層Aの網目状導体1202の導体周期FYBの2倍であったが、図147のAの導体層Cの直線状導体1301Bの導体周期FYCは、図147のCの導体層Bの網目状導体1202の導体周期FYBの(1/整数)倍である。図147は、導体周期FYCが、導体周期FYBの1/2倍の例である。
[1246]
 図147の第10の構成例の変形例において、上述した点以外は、図128の第4の構成例と同様である。
[1247]
 図147のAの導体層Cを所定の平面範囲(平面領域)で見ると、直線状導体1301Aの電流分布と、直線状導体1301Bの電流分布とが同一または略同一となるため、誘導性ノイズの発生を抑制することができる。
[1248]
 直線状導体1301Aおよび直線状導体1301Bは、Y方向に同じ配線パタンの繰り返しとなっているので、容量性ノイズをY方向で完全相殺することが可能である。容量性ノイズは、導体層Cが配線層170に近いほど、大きく改善することができる。
[1249]
 図147のFに示されるように、導体層AとBの積層により、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光できることは勿論、図132のDおよびEに示されるように、導体層AとCとの積層、および、導体層BとCとの積層においても、一定範囲で、遮光性が保たれている。これにより、導体層AとBの遮光制約を緩和できるので、導体層AとBの導体面積を最大限に利用することができ、配線抵抗を下げて、電圧降下をさらに改善できる。また、導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることができる。
[1250]
 図147の第10の構成例の変形例において、導体層Cの電流が流れやすい方向と、導体層AおよびBの電流が流れやすい方向は、略直交して略90度異なる。これにより、電流が拡散しやすくなる(電流が集中しにくくなる)ので、誘導性ノイズをさらに改善できる。
[1251]
 導体層Aに中継導体1241を設けたことにより、直線状導体1301Bと略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1252]
 導体層Bに中継導体1242を設けたことにより、直線状導体1301Aと略最短距離または短距離で接続することが可能となり、電圧降下、エネルギ損失、または、誘導性ノイズを低減できる。
[1253]
 <3層導体層の第11の構成例>
 上述した3層導体層の第1乃至第10の構成例では、導体層Aおよび導体層Bの構成として、X方向の抵抗値とY方向の抵抗値が異なる網目状導体を用いた第11の構成例を採用して説明した。換言すれば、導体層Aおよび導体層Bとして、図128の第4の構成例の網目状導体1201および1202や、図131の第5の構成例の網目状導体1261および1602のように、X方向の間隙幅GXAとY方向の間隙幅GYAとが異なり、X方向の間隙幅GXBとY方向の間隙幅GYBとが異なる構成を採用して説明した。
[1254]
 しかしながら、導体層Aおよび導体層Bは、図12乃至図41で説明した導体層A及びBの第1乃至第13の構成例のいずれをも採用することができる。
[1255]
 次の、図148乃至図152では、導体層C(配線層165C)については、図122等で採用した構成で統一し、導体層Aおよび導体層Bが、X方向とY方向の抵抗値が同一の網目状導体を採用した構成について説明する。
[1256]
 図148は、3層導体層の第11の構成例を示している。
[1257]
 図148のAは導体層C(配線層165C)を、図148のBは導体層A(配線層165A)を、図148のCは導体層B(配線層165B)を示している。
[1258]
 また、図148のDは、導体層Aと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図148のEは、導体層Bと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図148のFは、導体層Aと導体層Bとの積層状態の平面図である。
[1259]
 図148の第11の構成例において、図128に示した第4の構成例と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は適宜省略して、異なる部分に着目して説明する。
[1260]
 図148のAの導体層Cは、X方向に長い直線状導体1221Aと、X方向に長い直線状導体1221Bとを、導体周期FYCでY方向に交互に周期的に配置して構成されている。
[1261]
 図148のBの導体層Aは、網目状導体1311から成る。網目状導体1311は、X方向の導体幅WXA、間隙幅GXA、および、導体周期FXAを有し、Y方向の導体幅WYA、間隙幅GYA、および、導体周期FYAを有する。ここで、導体幅WXA=導体幅WYA、間隙幅GXA=間隙幅GYA、および、導体周期FXA=導体周期FYAである。また、網目状導体1201の各間隙には、中継導体1241が配置されている。中継導体1241どうしの間隔、換言すれば、中継導体1241の周期も、導体周期FXAおよびFYAである。網目状導体1311は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。
[1262]
 図148のCの導体層Bは、網目状導体1312から成る。網目状導体1312は、X方向の導体幅WXB、間隙幅GXB、および、導体周期FXBを有し、Y方向の導体幅WYB、間隙幅GYB、および、導体周期FYBを有する。ここで、導体幅WXB=導体幅WYB、間隙幅GXB=間隙幅GYB、および、導体周期FXB=導体周期FYBである。また、網目状導体1312の各間隙には、中継導体1242が配置されている。中継導体1242どうしの間隔、換言すれば、中継導体1242の周期も、導体周期FXBおよびFYBである。網目状導体1312は、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。
[1263]
 図148のBおよびCに示されるように、導体層Aに形成された中継導体1241の平面位置と、導体層Bに形成された中継導体1242の平面位置は同じである。換言すれば、導体層Aの網目状導体1311と、導体層Bの網目状導体1312とは、積層方向から見て全て重複している。このような構成の導体層Aと導体層Bは、図15で示した導体層A及びBの第2の構成例に相当し、図17のシミュレーション結果で示したように誘導性ノイズを大幅に改善することができる。
[1264]
 そのため、導体層C(配線層165C)を、図120のBに示したように、導体層A(配線層165A)と導体層B(配線層165B)の間に配置して、導体層Aの網目状導体1311と、導体層Cの直線状導体1221Aとが、Z方向の導体ビアで接続され、導体層Bの網目状導体1312と、導体層Cの直線状導体1221Bとが、Z方向の導体ビアで接続される積層順に好適である。
[1265]
 導体層Cを所定の平面範囲(平面領域)で見ると、直線状導体1221Aの電流分布と、直線状導体1221Bの電流分布とが同一または略同一となるため、誘導性ノイズの発生を抑制することができる。
[1266]
 導体層Cの直線状導体1221Aおよび直線状導体1221Bは、Y方向に同じ配線パタンの繰り返しとなっているので、容量性ノイズをY方向で完全相殺することが可能である。容量性ノイズは、導体層Cが配線層170に近いほど、大きく改善することができる。
[1267]
 図148のFに示されるように、導体層Aと導体層Bの積層は、遮光構造となっていないが、図148のDおよびEに示されるように、導体層AとCとの積層、および、導体層BとCとの積層によって遮光構造となっており、遮光性が保たれている。これにより、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光できる。また、導体層AとBの遮光制約を大幅に緩和できるので、導体層AとBの導体面積を最大限に利用することができ、配線抵抗を下げて、電圧降下をさらに改善できる。導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることができる。
[1268]
 <3層導体層の第12の構成例>
 図149は、3層導体層の第12の構成例を示している。
[1269]
 図149のAは導体層C(配線層165C)を、図149のBは導体層A(配線層165A)を、図149のCは導体層B(配線層165B)を示している。
[1270]
 また、図149のDは、導体層Aと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図149のEは、導体層Bと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図149のFは、導体層Aと導体層Bとの積層状態の平面図である。
[1271]
 図149の第12の構成例において、図128に示した第4の構成例と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は適宜省略して、異なる部分に着目して説明する。
[1272]
 図149のAの導体層Cは、X方向に長い直線状導体1221Aと、X方向に長い直線状導体1221Bとを、導体周期FYCでY方向に交互に周期的に配置して構成されている。
[1273]
 図149のBの導体層Aは、面状導体1321から成る。面状導体1321は、例えば、GNDやマイナス電源に接続される配線(Vss配線)である。
[1274]
 図149のCの導体層Bは、面状導体1322から成る。面状導体1322は、例えば、プラス電源に接続される配線(Vdd配線)である。
[1275]
 導体層Cを所定の平面範囲(平面領域)で見ると、直線状導体1221Aの電流分布と、直線状導体1221Bの電流分布とが同一または略同一となるため、誘導性ノイズの発生を抑制することができる。
[1276]
 直線状導体1222Aおよび直線状導体1222Bは、Y方向に同じ配線パタンの繰り返しとなっているので、容量性ノイズをY方向で完全相殺することが可能である。容量性ノイズは、導体層Cが配線層170に近いほど、大きく改善することができる。
[1277]
 図149のFに示されるように、導体層AとBの積層が遮光構造となっており、能動素子群167からのホットキャリア発光を遮光することができ、図149のDおよびEに示されるように、導体層AとCとの積層、および、導体層BとCとの積層においても遮光構造となっており、遮光性が保たれている。これにより、導体層AとBの遮光制約を大幅に緩和することができるので、導体層AとBの導体面積を最大限に利用することができ、配線抵抗を下げて、電圧降下をさらに改善することができる。また、導体層A及びBのレイアウトの自由度を向上させることができる。
[1278]
 この3層導体層の第12の構成例は、図120のBに示したような、導体層C(配線層165C)を、導体層A(配線層165A)と導体層B(配線層165B)の間に配置して、導体層Aの面状導体1321と、導体層Cの直線状導体1221Aとが、Z方向の導体ビアで接続され、導体層Bの面状導体1322と、導体層Cの直線状導体1221Bとが、Z方向の導体ビアで接続される積層順に好適である。
[1279]
 <3層導体層の第12の構成例の変形例>
 図150は、3層導体層の第12の構成例の第1変形例を示している。
[1280]
 図150のAは導体層C(配線層165C)を、図150のBは導体層A(配線層165A)を、図150のCは導体層B(配線層165B)を示している。
[1281]
 また、図150のDは、導体層Aと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図150のEは、導体層Bと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図150のFは、導体層Aと導体層Bとの積層状態の平面図である。
[1282]
 図150において、図148および図149に示した第11および第12の構成例と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は適宜省略して、異なる部分に着目して説明する。
[1283]
 第12の構成例の第1変形例では、図150のCの導体層Bの構成のみが、図149と異なる。
[1284]
 図150のCの導体層Bは、網目状導体1312と、その間隙に形成された中継導体1242とから成る。
[1285]
 図149に示した第12の構成例は、導体層Aについては、図148に示した3層導体層の第11の構成例の網目状導体1311および中継導体1241を、面状導体1321に変更し、導体層Bについては、図148に示した3層導体層の第11の構成例の網目状導体1312および中継導体1242を、面状導体1322に変更した構成である。
[1286]
 これに対して、図150の第12の構成例の第1変形例は、導体層Aについては、図148に示した3層導体層の第11の構成例の網目状導体1311および中継導体1241を、面状導体1321に変更し、導体層Bについては、図148に示した3層導体層の第11の構成例と同じ、網目状導体1312および中継導体1242とした構成である。
[1287]
 図151は、3層導体層の第12の構成例の第2変形例を示している。
[1288]
 図151のAは導体層C(配線層165C)を、図151のBは導体層A(配線層165A)を、図151のCは導体層B(配線層165B)を示している。
[1289]
 また、図151のDは、導体層Aと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図151のEは、導体層Bと導体層Cとの積層状態の平面図であり、図151のFは、導体層Aと導体層Bとの積層状態の平面図である。
[1290