国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現在ご利用になれません。
この状況が続く場合は、次のお問い合わせ先までご連絡ください。ご意見・お問い合わせ
1. (WO2020003972) 固体撮像装置及び電子機器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2020/003972 国際出願番号: PCT/JP2019/022699
国際公開日: 02.01.2020 国際出願日: 07.06.2019
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 31/107 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08
輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
101
赤外線,可視光線または紫外線の放射に感応する装置
102
唯一の電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
107
電位障壁がアバランシェモードで作用するもの,例.アバランシェフォトダイオード
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
前田 英訓 MAEDA, Hidenori; JP
若野 壽史 WAKANO, Toshifumi; JP
大竹 悠介 OTAKE, Yusuke; JP
代理人:
特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE; 東京都千代田区霞が関3丁目8番1号 虎の門三井ビルディング Toranomon Mitsui Building, 8-1, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013, JP
優先権情報:
2018-11976825.06.2018JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置及び電子機器
要約:
(EN) The present invention accurately captures a subject with a SPAD photodiode regardless of how long or short the distance is. A solid-state imaging device (1000) according to the present disclosure comprises: a pixel separation unit (100) that demarcates a photoelectric conversion region (200) for each pixel; a first semiconductor layer (106) provided in the photoelectric conversion region; and a second semiconductor layer (108) in which a voltage for electron multiplication is applied between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer (108), wherein a plurality of pixels have different sensitivities. With this configuration, a subject can be accurately captured with the SPAD photodiode, regardless of how long or short the distance is.
(FR) La présente invention capture avec précision un sujet avec une photodiode SPAD indépendamment de la distance. Un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs (1000) selon la présente invention comprend : une unité de séparation de pixels (100) qui délimite une région de conversion photoélectrique (200) pour chaque pixel ; une première couche semi-conductrice (106) disposée dans la région de conversion photoélectrique ; et une seconde couche semi-conductrice (108) dans laquelle une tension pour la multiplication d'électrons est appliquée entre la première couche semi-conductrice et la seconde couche semi-conductrice (108), une pluralité de pixels ayant des sensibilités différentes. Avec cette configuration, un sujet peut être capturé avec précision avec la photodiode SPAD, indépendamment de la distance.
(JA) SPADフォトダイオードにおいて、遠距離、近距離に関わらず、被写体を正確に捉える。本開示に係る固体撮像装置(1000)は、光電変換領域(200)を画素毎に画定する画素分離部(100)と、前記光電変換領域に設けられた第1半導体層(106)と、前記第1半導体層との間に電子増倍のための電圧が印加される第2半導体層(108)と、を備え、複数の前記画素の感度が異なるように構成される。この構成により、SPADフォトダイオードにおいて、遠距離、近距離に関わらず、被写体を正確に捉えることが可能となる。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)