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1. (WO2020003722) SiC部材
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2020/003722 国際出願番号: PCT/JP2019/017417
国際公開日: 02.01.2020 国際出願日: 24.04.2019
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01) ,C01B 32/956 (2017.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
[IPC code unknown for C01B 32/956]
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683
支持または把持のためのもの
出願人:
株式会社アドマップ ADMAP INC. [JP/JP]; 岡山県玉野市玉原3丁目16番2号 3-16-2, Tamahara, Tamano-shi, Okayama 7060014, JP
発明者:
ワン・ジューダ WANG Zhida; JP
代理人:
村上 友一 MURAKAMI Tomokazu; JP
関 博 SEKI Hiroshi; JP
優先権情報:
2018-12152327.06.2018JP
発明の名称: (EN) SIC MEMBER
(FR) ÉLÉMENT EN SIC
(JA) SiC部材
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to provide a technology of favorably ensuring an external appearance of a SiC member. The present invention is a SiC member characterized by comprising: a first SiC layer having a first upper surface and a first lower surface, the first upper surface having an unevenness; and a second SiC layer having a second upper surface and a second lower surface, the second lower surface contacting the first supper surface, and having an unevenness corresponding to the unevenness of the first upper surface. The second SiC layer has a recessed portion having a flat bottom surface that is recessed from the second upper surface to the second lower surface side. The bottom surface of the recessed portion is located above the second lower surface.
(FR) L'invention porte sur une technologie permettant d'assurer favorablement un aspect externe d'un élément en SiC. La présente invention est un élément SiC caractérisé en ce qu'il comprend : une première couche de SiC comportant une première surface supérieure et une première surface inférieure, la première surface supérieure présentant une irrégularité ; et une seconde couche de SiC comportant une seconde surface supérieure et une seconde surface inférieure, la seconde surface inférieure étant en contact avec la première surface supérieure et présentant une irrégularité correspondant à l'inégalité de la première surface supérieure. La seconde couche de SiC possède une partie évidée présentant une surface inférieure plate qui est en retrait de la seconde surface supérieure au côté de la seconde surface inférieure. La surface inférieure de la partie évidée est située au-dessus de la seconde surface inférieure.
(JA) 本発明は、SiC部材の外観を良好に確保するための技術を提供することを目的とする。本発明は、第1上面と第1下面とを有し、前記第1上面が凹凸を有する第1SiC層と、第2上面と第2下面とを有し、前記第2下面が前記第1上面に接しており前記第1上面の凹凸に対応する凹凸を有する第2SiC層と、を備えており、前記第2SiC層は、前記第2上面から前記第2下面側へと凹状となっている、平坦な底面を有する凹部を有し、前記凹部の前記底面は、前記第2下面よりも上方に位置することを特徴とするSiC部材である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)