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1. (WO2020003669) SiCコート
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国際公開番号: WO/2020/003669 国際出願番号: PCT/JP2019/013823
国際公開日: 02.01.2020 国際出願日: 28.03.2019
IPC:
C23C 16/42 (2006.01) ,C04B 41/87 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
42
けい化物
C 化学;冶金
04
セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B
石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
41
モルタル,コンクリート,人造石またはセラミックスの後処理;天然石の処理
80
セラミックスのみの
81
被覆または含浸
85
無機物によるもの
87
セラミックス
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人:
株式会社アドマップ ADMAP INC. [JP/JP]; 岡山県玉野市玉原3丁目16番2号 3-16-2, Tamahara, Tamano-shi, Okayama 7060014, JP
発明者:
千田 晋平 CHIDA Shimpei; JP
代理人:
村上 友一 MURAKAMI Tomokazu; JP
優先権情報:
2018-12151927.06.2018JP
発明の名称: (EN) SIC COAT
(FR) REVÊTEMENT DE SIC
(JA) SiCコート
要約:
(EN) Provided is a technique for making an SiC coat interface less noticeable. This SiC coat has an outer surface including a back surface, a front surface facing the back surface, a first side surface extending from the back surface toward the front surface, and a first R surface between the back surface and the first side surface. The coat is provided with: an overcoat including a first upper-layer-side surface section that forms the first side surface and the first R surface of the outer surface; and an undercoat including a back surface section that forms the back surface of the outer surface, and a first lower-layer-side surface section coated on the first upper-layer-side surface section of the overcoat. The first upper-layer-side surface section and the back surface section form a first interface, and the first interface appears on the first R surface of the outer surface.
(FR) La présente invention concerne une technique de fabrication d'une interface de revêtement de SiC moins visible. Le revêtement de SiC d'après la présente invention comporte une surface externe comprenant une surface arrière, une surface avant orientée vers la surface arrière, une première surface latérale s'étendant de la surface arrière vers la surface avant, ainsi qu'une première surface R entre la surface arrière et la première surface latérale. Le revêtement contient : une couche de finition comprenant une première section de surface côté couche supérieure qui forme la première surface latérale et la première surface R de la surface externe ; et une sous-couche comprenant une section de surface arrière qui forme la surface arrière de la surface externe, ainsi qu'une première section de surface côté couche inférieure recouvrant la première section de surface côté couche supérieure de la couche de finition. La première section de surface côté couche supérieure et la section de surface arrière forment une première interface. La première interface apparaît sur la première surface R de la surface externe.
(JA) SiCコートの界面を目立ちにくくするための技術を提供する。 裏面と、前記裏面に対向する表面と、前記裏面から前記表面に向かう方向に延びた第1側面と、前記裏面と前記第1側面との間の第1のR面とを含む外面を有するSiCコートであって、前記外面の前記第1側面および前記第1のR面を形成する第1上層側面部を含むオーバーコートと、前記外面の前記裏面を形成する裏面部と、前記オーバーコートの前記第1上層側面部に被覆された第1下層側面部と、を含むアンダーコートと、を備えており、前記第1上層側面部と前記裏面部とが第1界面を形成し、前記第1界面が、前記外面の前記第1のR面に現れている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)