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1. (WO2020003668) SiC部材およびその製造方法
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国際公開番号: WO/2020/003668 国際出願番号: PCT/JP2019/013822
国際公開日: 02.01.2020 国際出願日: 28.03.2019
IPC:
C04B 41/89 (2006.01) ,C04B 35/569 (2006.01) ,C04B 41/87 (2006.01) ,C23C 16/42 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
C 化学;冶金
04
セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B
石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
41
モルタル,コンクリート,人造石またはセラミックスの後処理;天然石の処理
80
セラミックスのみの
81
被覆または含浸
89
異なった組成を有する少なくとも2つの積層された被覆を得るためのもの
C 化学;冶金
04
セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B
石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
35
組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理
515
非酸化物を基とするもの
56
炭化物を基とするもの
565
炭化けい素を基とするもの
569
ファインセラミックス
C 化学;冶金
04
セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B
石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
41
モルタル,コンクリート,人造石またはセラミックスの後処理;天然石の処理
80
セラミックスのみの
81
被覆または含浸
85
無機物によるもの
87
セラミックス
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
42
けい化物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人:
株式会社アドマップ ADMAP INC. [JP/JP]; 岡山県玉野市玉原3丁目16番2号 3-16-2, Tamahara, Tamano-shi, Okayama 7060014, JP
発明者:
津奈木 省吾 TSUNAGI Shogo; JP
代理人:
村上 友一 MURAKAMI Tomokazu; JP
優先権情報:
2018-12151727.06.2018JP
発明の名称: (EN) SIC MEMBER AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT SIC ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) SiC部材およびその製造方法
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to provide a technique for improving the outer appearance of a SiC member. This SiC member is provided with: a SiC substrate having a front surface and a rear surface; and a first SiC coat provided on the front surface of the SiC substrate. The SiC substrate includes first polycrystalline layers and second polycrystalline layers that are polycrystalline layers having different film qualities and stacked alternately and over a plurality of layers. In addition, at least one of the first polycrystalline layers and at least one of the second polycrystalline layers are on the front surface, and the first SiC coat is a polycrystalline layer having the same film quality as either the first polycrystalline layers or the second polycrystalline layers.
(FR) L'objectif de la présente invention est de fournir une technique permettant d'améliorer l'apparence externe d'un élément SiC. Cet élément SiC est pourvu des éléments suivants : un substrat SiC possédant une surface avant et une surface arrière ; et un premier revêtement SiC prévu sur la surface avant du substrat SiC. Le substrat SiC comprend des premières couches polycristallines et des secondes couches polycristallines qui sont des couches polycristallines possédant des qualités de film différentes, empilées en alternance et sur une pluralité de couches. De plus, au moins l'une des premières couches polycristallines et au moins l'une des secondes couches polycristallines sont sur la surface avant, et la première couche SiC est une couche polycristalline possédant la même qualité de film que les premières couches polycristallines ou les secondes couches polycristallines.
(JA) SiC部材の外観を良好に確保するための技術を提供すること。 表面および裏面を有するSiC基板と、前記SiC基板の前記表面に設けられた第1SiCコートと、を備えており、前記SiC基板は、それぞれ膜質の異なる多結晶層として交互かつ複数層にわたって積層された第1多結晶層および第2多結晶層を含んでおり、前記第1多結晶層の少なくとも1つおよび前記第2多結晶層の少なくとも1つが前記表面に現れており、前記第1SiCコートは、前記第1多結晶層および前記第2多結晶層のいずれか一方の膜質と同じ膜質を有する多結晶層である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)