PATENTSCOPE は、メンテナンスのため次の日時に数時間サービスを休止します。サービス休止: 月曜日 03.02.2020 (10:00 午前 CET)
国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現在ご利用になれません。
この状況が続く場合は、次のお問い合わせ先までご連絡ください。ご意見・お問い合わせ
1. (WO2020003667) アルミニウム合金膜、その製造方法、及び薄膜トランジスタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2020/003667 国際出願番号: PCT/JP2019/013570
国際公開日: 02.01.2020 国際出願日: 28.03.2019
IPC:
C22C 21/00 (2006.01) ,C22F 1/04 (2006.01) ,C23C 14/14 (2006.01) ,C23C 26/00 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01) ,H01L 29/423 (2006.01) ,H01L 29/49 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,C22F 1/00 (2006.01)
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
21
アルミニウム基合金
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
F
非鉄金属または非鉄合金の物理的構造の変化
1
非鉄金属または合金の熱処理によるか熱間または冷間加工による物理的構造の変化
04
アルミニウムまたはアルミニウム基合金
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
14
金属質材料,ほう素またはけい素
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
26
グループ2/00から24/00に分類されない被覆
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283
電極用の導電または絶縁材料の析出
285
気体または蒸気からの析出,例.凝結
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
40
電極
41
その形状,相対的大きさまたは配置に特徴のあるもの
423
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さないもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
40
電極
43
構成材料に特徴のあるもの
49
金属-絶縁半導体電極
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
F
非鉄金属または非鉄合金の物理的構造の変化
1
非鉄金属または合金の熱処理によるか熱間または冷間加工による物理的構造の変化
出願人:
株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 2500 Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP
発明者:
氏原 祐輔 UJIHARA, Yuusuke; JP
小林 大士 KOBAYASHI, Motoshi; JP
赤松 泰彦 AKAMATSU, Yasuhiko; JP
永田 智啓 NAGATA, Tomohiro; JP
中村 亮太 NAKAMURA, Ryouta; JP
新田 純一 NITTA, Jyunichi; JP
中台 保夫 NAKADAI, Yasuo; JP
代理人:
大森 純一 OMORI, Junichi; JP
優先権情報:
2018-12315728.06.2018JP
発明の名称: (EN) ALUMINUM ALLOY FILM, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND THIN FILM TRANSISTOR
(FR) FILM D'ALLIAGE D'ALUMINIUM, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET TRANSISTOR À FILM MINCE
(JA) アルミニウム合金膜、その製造方法、及び薄膜トランジスタ
要約:
(EN) [Problem] To provide an aluminum alloy film having excellent bending resistance and heat resistance, and a thin film transistor which is provided with said aluminum alloy film. [Solution] To solve the problem, an aluminum alloy film according to an embodiment of the present invention contains at least one first additive element selected from the group of Zr, Sc, Mo, Y, Nb, and Ti added to pure Al. The content of the first additive element is 0.01-1.0 atom%. As a result, this aluminum alloy film has excellent bending resistance and heat resistance. Furthermore, the aluminum alloy film is allowed to be etched.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir un film d'alliage d'aluminium possédant une excellente résistance à la flexion et une excellente résistance à la chaleur, et un transistor à film mince qui est pourvu dudit film d'alliage d'aluminium. La solution selon l'invention porte sur un film d'alliage d'aluminium contenant au moins un premier élément additif choisi dans le groupe constitué par Zr, Sc, Mo, Y, Nb et Ti ajoutés à du Al pur. La teneur du premier élément additif est de 0,01 à 1,0 % atomique. En conséquence, le film d'alliage d'aluminium possède une excellente résistance à la flexion et une excellente résistance à la chaleur. En outre, le film d'alliage d'aluminium peut être gravé.
(JA) 【課題】本発明の目的は、屈曲耐性及び耐熱性に優れたアルミニウム合金膜、及び、該アルミニウム合金膜を備えた薄膜トランジスタを提供することにある。 【解決手段】上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るアルミニウム合金膜は、Al純金属に、Zr、Sc、Mo、Y、Nb、及びTiの群から選択される少なくとも1種の第1添加元素が含有されている。上記第1添加元素の含有量が0.01原子%以上1.0原子%以下である。このようなアルミニウム合金膜であれば、アルミニウム合金膜が優れた屈曲耐性を有し、優れた耐熱性を有する。また、アルミニウム合金膜は、エッチングも可能になる。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)