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1. WO2020003663 - 半導体装置製造方法

公開番号 WO/2020/003663
公開日 02.01.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/013142
国際出願日 27.03.2019
IPC
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
52
容器中への半導体本体のマウント
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301
半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
H01L 21/52 (2006.01)
H01L 21/301 (2006.01)
H01L 21/67 (2006.01)
CPC
H01L 21/52
H01L 21/67
出願人
  • 日東電工株式会社 NITTO DENKO CORPORATION [JP/JP]; 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号 1-2, Shimohozumi 1-chome, Ibaraki-shi, Osaka 5678680, JP
発明者
  • 三田亮太 MITA, Ryota; JP
  • 市川智昭 ICHIKAWA, Tomoaki; JP
代理人
  • 特許業務法人後藤特許事務所 GOTO & CO.; 大阪府大阪市北区紅梅町2番18号 2-18, Kobai-cho, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300038, JP
優先権情報
2018-12043626.06.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置製造方法
要約
(EN)
This manufacturing method comprises: a step for pasting a sinter bonding sheet (10) side of a sheet body (X) having a laminated structure of a base material (B) and the sinter bonding sheet (10) onto a plurality of chips (C) arranged on a processing tape (T1), and then peeling off the base material B from the sinter bonding sheet (10); a step for picking up the chips (C) on the processing tape (T1) together with portions of the sinter bonding sheet (10) in close contact with the chips (C), and obtaining sinter bonding material layer-mounted chips (C); a step for temporarily fixing the sinter bonding material layer-mounted chips (C) to a substrate through the sinter bonding material layer (11); and a step for forming a sintered layer from the sinter bonding material layer (11), interposed between the temporarily fixed chips (C) and the substrate, by means of a heating process, and bonding the chips (C) to the substrate. The manufacturing method for a semiconductor device is suitable for efficiently supplying a sinter bonding material to the semiconductor chip while reducing loss of the sinter bonding material.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication comprenant : une étape consistant à coller un côté de feuille de liaison de frittage (10) d'un corps de feuille (X) ayant une structure stratifiée d'un matériau de base (B) et de la feuille de liaison par frittage (10) sur une pluralité de puces (C) disposées sur une bande de traitement (T1), puis à décoller le matériau de base B de la feuille de liaison par frittage (10) ; une étape consistant à saisir les puces (C) sur la bande de traitement (T1) conjointement avec des parties de la feuille de liaison par frittage (10) en contact étroit avec les puces (C), et obtenir des puces montées en couche de matériau de liaison par frittage (C) ; une étape pour fixer temporairement les puces montées en couche de matériau de liaison par frittage (C) à un substrat à travers la couche de matériau de liaison par frittage (11) ; et une étape consistant à former une couche frittée à partir de la couche de matériau de liaison par frittage (11), interposée entre les puces temporairement fixes (C) et le substrat, au moyen d'un processus de chauffage, et à lier les puces (C) au substrat. Ce procédé de fabrication pour un dispositif à semi-conducteur est approprié pour fournir efficacement le matériau de liaison par frittage à la puce semi-conductrice tout en réduisant la perte du matériau de liaison par frittage.
(JA)
本製造方法は、基材(B)と焼結接合用シート(10)との積層構造を有するシート体(X)における焼結接合用シート(10)の側を、加工用テープ(T1)上に並ぶ複数のチップ(C)に対して貼り合わせた後、基材Bを焼結接合用シート(10)から剥離する工程と、加工用テープ(T1)上のチップ(C)を、焼結接合用シート(10)において当該チップ(C)に密着している部分とともにピックアップして焼結接合用材料層付きチップ(C)を得る工程と、焼結接合用材料層付きチップ(C)をその焼結接合用材料層(11)を介して基板に仮固定する工程と、仮固定されたチップ(C)と基板の間に介在する焼結接合用材料層(11)から加熱過程を経て焼結層を形成して当該チップ(C)を基板に接合する工程とを含む。本半導体装置製造方法は、焼結接合用材料のロスを低減しつつ半導体チップへの焼結接合用材料の供給を効率よく行うのに適する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報