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1. (WO2020003591) シャワーヘッドおよび処理装置
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国際公開番号: WO/2020/003591 国際出願番号: PCT/JP2019/006199
国際公開日: 02.01.2020 国際出願日: 20.02.2019
IPC:
H01L 21/31 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
455
ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人:
株式会社明電舎 MEIDENSHA CORPORATION [JP/JP]; 東京都品川区大崎2丁目1番1号 1-1, Osaki 2-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1416029, JP
発明者:
野寄 剛示 NOYORI, Takeshi; JP
森川 良樹 MORIKAWA, Yoshiki; JP
三浦 敏徳 MIURA, Toshinori; JP
代理人:
小林 博通 KOBAYASHI, Hiromichi; JP
富岡 潔 TOMIOKA, Kiyoshi; JP
鵜澤 英久 UZAWA, Hidehisa; JP
太田 友幸 OTA, Tomoyuki; JP
優先権情報:
2018-12256628.06.2018JP
発明の名称: (EN) SHOWER HEAD AND PROCESSING DEVICE
(FR) POMME DE DOUCHE ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT
(JA) シャワーヘッドおよび処理装置
要約:
(EN) An ozonation device (2) is provided with a processing chamber (4) in which a wafer (3) is disposed, and a shower head (1) provided in the processing chamber (4). The shower head (1) is disposed in a position away from a surface to be processed of the wafer (3) and facing the wafer (3). A surface of the shower head (1) facing the wafer (3) has gas ejection holes (1a) from which a gas to be supplied to the wafer (3) is ejected, and exhaust gas flow path portions (1b) comprising areas from which the gas is not ejected. A central portion of the shower head (1) has an area in which the gas ejection holes (1a) are formed, and a plurality of exhaust gas flow path portions (1b) extending from the central area toward the outer periphery of the shower head (1) are arranged in the circumferential direction of the shower head (1). The gas ejection holes (1a) are formed in each of areas disposed between the exhaust gas flow path portions (1b).
(FR) La présente invention porte sur un dispositif d'ozonisation (2) qui est pourvu d'une chambre de traitement (4) dans laquelle une tranche (3) est disposée, et d'une pomme de douche (1) disposée dans la chambre de traitement (4). La pomme de douche (1) est disposée dans une position à distance d'une surface à traiter de la tranche (3) et en regard de cette dernière. Une surface de la pomme de douche (1) faisant face à la tranche (3) comporte des trous d'éjection de gaz (1a) depuis lesquels un gaz à fournir à la tranche (3) est éjecté, et des parties de trajet d'écoulement de gaz d'échappement (1b) comprenant des zones depuis lesquelles le gaz n'est pas éjecté. Une partie centrale de la pomme de douche (1) présente une zone où les trous d'éjection de gaz (1a) sont formés, et une pluralité de parties de trajet d'écoulement de gaz d'échappement (1b) partant de la zone centrale vers la périphérie extérieure de la pomme de douche (1) sont disposées dans la direction circonférentielle de la pomme de douche (1). Les trous d'éjection de gaz (1a) sont formés dans chacune des zones disposées entre les parties de trajet d'écoulement de gaz d'échappement (1b).
(JA) ウェハ(3)が配置される処理チャンバ(4)と、処理チャンバ(4)内に設けられるシャワーヘッド(1)を備えるオゾン処理装置(2)である。シャワーヘッド(1)を、ウェハ(3)の被処理面から離れた位置であって、ウェハ(3)と向かい合うように備える。シャワーヘッド(1)のウェハ(3)と向かい合う面に、ウェハ(3)に供されるガスが噴き出すガス噴出穴(1a)と、ガスが噴き出さない領域である排出ガス流路部(1b)を設ける。シャワーヘッド(1)の中心部にガス噴出穴(1a)が形成される領域を設け、この領域からシャワーヘッド(1)の外周方向に延びる排出ガス流路部(1b)をシャワーヘッド(1)の周方向に並べて複数配置する。この排出ガス流路部(1b)に挟まれた領域にそれぞれガス噴出穴(1a)を形成する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)