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1. WO2020003564 - グラフェンを用いた電子デバイス、その製造方法及びそれを備えた電磁波検出器

公開番号 WO/2020/003564
公開日 02.01.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/000376
国際出願日 09.01.2019
IPC
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08
輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H01L 31/10 (2006.01)
H01L 21/336 (2006.01)
H01L 27/146 (2006.01)
H01L 29/786 (2006.01)
CPC
H01L 27/146
H01L 29/786
H01L 31/10
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者
  • 嶋谷 政彰 SHIMATANI, Masaaki; JP
  • 小川 新平 OGAWA, Shimpei; JP
  • 福島 昌一郎 FUKUSHIMA, Shoichiro; JP
代理人
  • 村上 加奈子 MURAKAMI, Kanako; JP
  • 松井 重明 MATSUI, Jumei; JP
  • 倉谷 泰孝 KURATANI, Yasutaka; JP
優先権情報
2018-12277628.06.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ELECTRONIC DEVICE USING GRAPHENE, METHOD OF MANUFACTURING SAME, AND ELECTROMAGNETIC WAVE DETECTOR INCLUDING SAME
(FR) DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE UTILISANT DU GRAPHÈNE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DÉTECTEUR D'ONDES ÉLECTROMAGNÉTIQUES LE COMPRENANT
(JA) グラフェンを用いた電子デバイス、その製造方法及びそれを備えた電磁波検出器
要約
(EN)
The present invention includes: a step of forming a catalyst metal (42); a step of forming a catalyst metal (40); a step of forming a protective film (22) such that top surfaces of the catalyst metal (42) and the catalyst metal (40) are exposed; a step of forming a graphene layer (30) on the exposed catalyst metal (42) and catalyst metal (40); a step of forming an insulating film (20) so as to cover the graphene layer (30); a step of forming a substrate (10) on the insulating film (20); and a step of removing the catalyst metal (42). The present invention is capable of reducing process damage to the graphene layer and of improving performance.
(FR)
La présente invention comprend : une étape de formation d'un métal catalyseur (42) ; une étape de formation d'un métal catalyseur (40) ; une étape de formation d'un film protecteur (22) de telle sorte que les surfaces supérieures du métal catalyseur (42) et du métal catalyseur (40) sont exposées ; une étape de formation d'une couche de graphène (30) sur le métal catalyseur (42) et le métal catalyseur (40) exposés ; une étape de formation d'un film isolant (20) de manière à recouvrir la couche de graphène (30) ; une étape de formation d'un substrat (10) sur le film isolant (20) ; et une étape d'élimination du métal catalyseur (42). La présente invention est capable de réduire les dommages du processus causés à la couche de graphène et d'améliorer les performances.
(JA)
触媒金属(42)を形成する工程と、触媒金属(40)を形成する工程と、触媒金属(42)及び触媒金属(40)の上面が露出するように保護膜(22)を形成する工程と、露出した触媒金属(42)及び触媒金属(40)の上にグラフェン層(30)を形成する工程と、グラフェン層(30)を覆うように絶縁膜(20)を形成する工程と、絶縁膜(20)上に基板(10)を形成する工程と、触媒金属(42)を除去する工程とを備え、グラフェン層へのプロセスダメージを減らすことができ、性能の向上させることができる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報