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1. (WO2020003557) プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、プログラムおよびメモリ媒体
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国際公開番号: WO/2020/003557 国際出願番号: PCT/JP2018/047319
国際公開日: 02.01.2020 国際出願日: 21.12.2018
予備審査請求日: 28.06.2019
IPC:
H05H 1/46 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
24
プラズマの発生
46
電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
出願人:
キヤノンアネルバ株式会社 CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県川崎市麻生区栗木2-5-1 2-5-1, Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550, JP
発明者:
田名部 正治 TANABE, Masaharu; JP
関谷 一成 SEKIYA, Kazunari; JP
井上 忠 INOUE, Tadashi; JP
笹本 浩 SASAMOTO, Hiroshi; JP
佐藤 辰憲 SATO, Tatsunori; JP
土屋 信昭 TSUCHIYA, Nobuaki; JP
竹田 敦 TAKEDA, Atsushi; JP
代理人:
大塚 康徳 OHTSUKA, Yasunori; JP
大塚 康弘 OHTSUKA, Yasuhiro; JP
高柳 司郎 TAKAYANAGI, Jiro; JP
木村 秀二 KIMURA, Shuji; JP
優先権情報:
PCT/JP2018/02414626.06.2018JP
PCT/JP2018/02414726.06.2018JP
PCT/JP2018/02414826.06.2018JP
PCT/JP2018/02414926.06.2018JP
発明の名称: (EN) PLASMA TREATMENT DEVICE, PLASMA TREATMENT METHOD, PROGRAM, AND MEMORY MEDIUM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA, PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA, PROGRAMME, ET SUPPORT DE MÉMOIRE
(JA) プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、プログラムおよびメモリ媒体
要約:
(EN) This plasma treatment device is provided with: an impedance matching circuit; a balun which has a first unbalanced terminal that is connected to the impedance matching circuit, a second unbalanced terminal that is grounded, a first balanced terminal, and a second balanced terminal; a grounded vacuum container; a first electrode which is electrically connected to the first balanced terminal; a second electrode which is electrically connected to the second balanced terminal; an adjustment reactance which influences the relationship between a first voltage to be applied to the first electrode and a second voltage to be applied to the second electrode; a high-frequency power source which generates high-frequency waves that are supplied between the first unbalanced terminal and the second unbalanced terminal via the impedance matching circuit; and a control unit which controls impedance of the impedance matching circuit and reactance of the adjustment reactance.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de traitement plasma qui comporte : un circuit d’appariement d’impédance ; un symétriseur qui a une première borne non équilibrée qui est connectée au circuit d’appariement d’impédance, une deuxième borne non équilibrée qui est reliée à la masse, une première borne équilibrée, et une deuxième borne équilibrée ; un récipient sous vide relié à la masse ; une première électrode qui est connectée électriquement à la première borne équilibrée ; une deuxième électrode qui est connectée électriquement à la deuxième borne équilibrée ; une réactance de réglage qui influence la relation entre une première tension à appliquer à la première électrode et une deuxième tension à appliquer à la deuxième électrode ; une source d’énergie à haute fréquence qui génère des ondes à haute fréquence qui sont appliquées entre la première borne non équilibrée et la deuxième borne non équilibrée par le biais du circuit d’appariement d’impédance ; et une unité de contrôle qui contrôle l’impédance du circuit d’appariement d’impédance circuit et la réactance de la réactance de réglage.
(JA) プラズマ処理装置は、インピーダンス整合回路と、前記インピーダンス整合回路に接続された第1不平衡端子、接地された第2不平衡端子、第1平衡端子および第2平衡端子を有するバランと、接地された真空容器と、前記第1平衡端子に電気的に接続された第1電極と、前記第2平衡端子に電気的に接続された第2電極と、前記第1電極に印加される第1電圧と前記第2電極に印加される第2電圧との関係に影響を与える調整リアクタンスと、前記インピーダンス整合回路を介して前記第1不平衡端子と前記第2不平衡端子との間に供給される高周波を発生する高周波電源と、前記インピーダンス整合回路のインピーダンスおよび前記調整リアクタンスのリアクタンスを制御する制御部と、を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)