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1. WO2019203019 - 不揮発性記憶回路

公開番号 WO/2019/203019
公開日 24.10.2019
国際出願番号 PCT/JP2019/015073
国際出願日 05.04.2019
IPC
G11C 14/00 2006.01
G物理学
11情報記憶
C静的記憶
14電源遮断時にバックアップするための,揮発性メモリセルと不揮発性メモリセルの配置によって特徴づけられたデジタル記憶装置
CPC
G11C 14/00
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
14Digital stores characterised by arrangements of cells having volatile and non-volatile storage properties for back-up when the power is down
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 平賀 啓三 HIRAGA Keizo
代理人
  • 西川 孝 NISHIKAWA Takashi
  • 稲本 義雄 INAMOTO Yoshio
優先権情報
62/659,83419.04.2018US
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) NON-VOLATILE STORAGE CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE STOCKAGE NON VOLATIL
(JA) 不揮発性記憶回路
要約
(EN)
The present art relates to a non-volatile storage circuit that allows for miniaturization and reduced power consumption while maintaining stable writing. This non-volatile storage circuit is provided with a volatile storage unit which stores information, and a non-volatile storage unit to which the information in the volatile storage unit is written by a store operation, and from which information is read into the volatile storage unit by a restore operation via a restore path that is different from the store path for the store operation, wherein all transistors disposed along the store path have the drains thereof connected together. The present art can be applied to NVDFF circuits.
(FR)
La présente invention concerne un circuit de stockage non volatil qui permet une miniaturisation et une consommation d'énergie réduite tout en maintenant une écriture stable. Ce circuit de stockage non volatil est pourvu d'une unité de stockage volatile qui stocke des informations, et d'une unité de stockage non volatile dans laquelle les informations dans l'unité de stockage volatile sont écrites par une opération de stockage, et à partir desquelles des informations sont lues dans l'unité de stockage volatile par une opération de restauration par l'intermédiaire d'un chemin de restauration qui est différent du chemin de stockage pour l'opération de stockage, tous les transistors disposés le long du chemin de stockage comportant leurs drains connectés ensemble. La présente technique peut être appliquée à des circuits NVDFF.
(JA)
本技術は、安定した書き込みを維持しつつ、小型化を実現し、消費電力を低く抑えることができるようにする不揮発性記憶回路に関する。 不揮発性記憶回路は、情報を記憶する揮発性記憶部と、ストア動作により揮発性記憶部の情報が書き込まれるとともに、リストア動作により、ストア動作時のストア経路とは異なるリストア経路で情報が揮発性記憶部へと読み出される不揮発性記憶部とを備え、ストア経路上に配置された全てのトランジスタがドレイン接続となっている。本技術はNVDFF回路に適用することができる。
他の公開
DE112019002007
JP2020514076
国際事務局に記録されている最新の書誌情報