Provided is a film forming apparatus for forming a silicon carbide film on a substrate to be processed, the film forming apparatus comprising: a mounting table on which the substrate to be processed is mounted; a gas supply mechanism configured to form a flow of a raw material gas along a direction perpendicular to a central axis of the mounting table from the outside of the mounting table; and an induction coil for heating the substrate to be processed, wherein the gas supply mechanism supplies, in addition to a first Si-containing gas that includes silicon and includes no carbon and a first C-containing gas that includes carbon and includes no silicon, at least one of a second Si-containing gas that has a thermal decomposition temperature higher than that of the first Si-containing gas, includes silicon and includes no carbon, and a second C-containing gas that has a thermal decomposition temperature lower than that of the first C-containing gas, includes carbon and includes no silicon, as the raw material gas.

L'invention concerne un appareil de formation de film pour former un film de carbure de silicium sur un substrat à traiter, l'appareil de formation de film comprenant : une table de montage sur laquelle le substrat à traiter est monté; un mécanisme d'alimentation en gaz conçu pour former un écoulement d'un gaz de matière première le long d'une direction perpendiculaire à un axe central de la table de montage depuis l'extérieur de la table de montage; et une bobine d'induction pour chauffer le substrat à traiter, le mécanisme d'alimentation en gaz fournissant, en plus d'un premier gaz contenant du silicium qui comprend du silicium et ne comprend pas de carbone et un premier gaz contenant du carbone qui comprend du carbone et ne comprend pas de silicium, au moins l'un d'un second gaz contenant du silicium qui a une température de décomposition thermique supérieure à celle du premier gaz contenant du silicium, comprenant du silicium et ne comprend pas de carbone, et un second gaz contenant du carbone qui a une température de décomposition thermique inférieure à celle du premier gaz contenant du carbone, comprend du carbone et ne comprend pas de silicium, en tant que gaz de matière première.

被処理基板上に炭化ケイ素膜を形成する成膜装置は、前記被処理基板が載置される載置台と、前記載置台の外側から当該載置台の中心軸線に対して直交する方向に沿った原料ガスの流れを形成するよう構成されたガス供給機構と、前記被処理基板を加熱する誘導コイルと、を有し、前記ガス供給機構は、ケイ素を含有し炭素を含有しない第１のＳｉ含有ガス及び炭素を含有しケイ素を含有しない第１のＣ含有ガスに加えて、前記第１のＳｉ含有ガスよりも熱分解温度が高くケイ素を含有し炭素を含有しない第２のＳｉ含有ガスおよび前記第１のＣ含有ガスよりも熱分解温度が低く炭素を含有しケイ素を含有しない第２のＣ含有ガスの少なくとも一方のガスを、前記原料ガスとして供給する。