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1. WO2019188248 - 成膜装置及び成膜方法

公開番号 WO/2019/188248
公開日 03.10.2019
国際出願番号 PCT/JP2019/009981
国際出願日 12.03.2019
IPC
H01L 21/205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
C23C 16/42 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
42けい化物
C30B 25/14 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02エピタキシャル層成長
14ガスの供給および排出手段;反応ガス流の調節
C30B 29/36 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
36炭化物
CPC
C23C 16/42
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
42Silicides
C30B 25/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
14Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
C30B 25/165
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
16Controlling or regulating
165the flow of the reactive gases
C30B 29/36
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
36Carbides
H01L 21/02529
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02524Group 14 semiconducting materials
02529Silicon carbide
H01L 21/0262
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02612Formation types
02617Deposition types
0262Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 原島 正幸 HARASHIMA, Masayuki
  • 佐野 志生 SANO, Yukio
  • 三澤 由宗 MISAWA, Yoshimune
  • 小林 洋克 KOBAYASHI, Hirokatsu
代理人
  • 金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo
  • 萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi
  • 扇田 尚紀 OGITA, Naoki
  • 三根 卓也 MINE, Takuya
優先権情報
2018-05864126.03.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) FILM FORMING APPARATUS AND FILM FORMING METHOD
(FR) APPAREIL DE FORMATION DE FILM ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
(JA) 成膜装置及び成膜方法
要約
(EN)
Provided is a film forming apparatus for forming a silicon carbide film on a substrate to be processed, the film forming apparatus comprising: a mounting table on which the substrate to be processed is mounted; a gas supply mechanism configured to form a flow of a raw material gas along a direction perpendicular to a central axis of the mounting table from the outside of the mounting table; and an induction coil for heating the substrate to be processed, wherein the gas supply mechanism supplies, in addition to a first Si-containing gas that includes silicon and includes no carbon and a first C-containing gas that includes carbon and includes no silicon, at least one of a second Si-containing gas that has a thermal decomposition temperature higher than that of the first Si-containing gas, includes silicon and includes no carbon, and a second C-containing gas that has a thermal decomposition temperature lower than that of the first C-containing gas, includes carbon and includes no silicon, as the raw material gas.
(FR)
L'invention concerne un appareil de formation de film pour former un film de carbure de silicium sur un substrat à traiter, l'appareil de formation de film comprenant : une table de montage sur laquelle le substrat à traiter est monté; un mécanisme d'alimentation en gaz conçu pour former un écoulement d'un gaz de matière première le long d'une direction perpendiculaire à un axe central de la table de montage depuis l'extérieur de la table de montage; et une bobine d'induction pour chauffer le substrat à traiter, le mécanisme d'alimentation en gaz fournissant, en plus d'un premier gaz contenant du silicium qui comprend du silicium et ne comprend pas de carbone et un premier gaz contenant du carbone qui comprend du carbone et ne comprend pas de silicium, au moins l'un d'un second gaz contenant du silicium qui a une température de décomposition thermique supérieure à celle du premier gaz contenant du silicium, comprenant du silicium et ne comprend pas de carbone, et un second gaz contenant du carbone qui a une température de décomposition thermique inférieure à celle du premier gaz contenant du carbone, comprend du carbone et ne comprend pas de silicium, en tant que gaz de matière première.
(JA)
被処理基板上に炭化ケイ素膜を形成する成膜装置は、前記被処理基板が載置される載置台と、前記載置台の外側から当該載置台の中心軸線に対して直交する方向に沿った原料ガスの流れを形成するよう構成されたガス供給機構と、前記被処理基板を加熱する誘導コイルと、を有し、前記ガス供給機構は、ケイ素を含有し炭素を含有しない第1のSi含有ガス及び炭素を含有しケイ素を含有しない第1のC含有ガスに加えて、前記第1のSi含有ガスよりも熱分解温度が高くケイ素を含有し炭素を含有しない第2のSi含有ガスおよび前記第1のC含有ガスよりも熱分解温度が低く炭素を含有しケイ素を含有しない第2のC含有ガスの少なくとも一方のガスを、前記原料ガスとして供給する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報