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1. WO2019186881 - モノリシックマイクロ波集積回路および高周波増幅器

公開番号 WO/2019/186881
公開日 03.10.2019
国際出願番号 PCT/JP2018/013197
国際出願日 29.03.2018
IPC
H03F 3/60 2006.01
H電気
03基本電子回路
F増幅器
3増幅素子として電子管のみまたは半導体装置のみをもつ増幅器
60結合回路網が分布定数をもつ増幅器,例.導波管共振器をもつもの
H01P 5/08 2006.01
H電気
01基本的電気素子
P導波管;導波管型の共振器,線路または他の装置
5導波管型の結合装置
08異なる種類の線路または装置の接続用
CPC
H01P 5/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
5Coupling devices of the waveguide type
08for linking dissimilar lines or devices
H03F 3/60
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
60Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 春名 貴雄 HARUNA Takao
代理人
  • 大岩 増雄 OIWA Masuo
  • 竹中 岑生 TAKENAKA Mineo
  • 村上 啓吾 MURAKAMI Keigo
  • 吉澤 憲治 YOSHIZAWA Kenji
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) MONOLITHIC MICROWAVE INTEGRATED CIRCUIT AND HIGH FREQUENCY AMPLIFIER
(FR) CIRCUIT INTÉGRÉ MONOLITHIQUE HYPERFRÉQUENCE ET AMPLIFICATEUR HAUTE FRÉQUENCE
(JA) モノリシックマイクロ波集積回路および高周波増幅器
要約
(EN)
Provided is a monolithic microwave integrated circuit having mounted thereon a matching circuit that comprises: a high frequency connection terminal (4) for being connected from a transistor that amplifies high frequency; and a high frequency power transmission line (40) for outputting high frequency to the outside. The monolithic microwave integrated circuit comprising, separately from the high frequency connection terminal, a matching connection terminal (11) for being connected from the transistor, a matching transmission line (31) extending from the matching connection terminal (11), and a matching MIM (21). The matching transmission line (31) are arranged so as to be spaced apart from and in parallel with a front electrode (211) of the matching MIM (21), and the matching transmission line (31) is provided with a connection electrode (311) that connects the front electrode (211) of the matching MIM (21) with the matching transmission line (31) in a portion of a parallelly-arranged part.
(FR)
L'invention concerne un circuit intégré monolithique hyperfréquence sur lequel est monté un circuit d'adaptation qui comprend : une borne de connexion haute fréquence (4) à connecter à partir d'un transistor qui amplifie une haute fréquence ; et une ligne de transmission de puissance haute fréquence (40) pour délivrer en sortie une haute fréquence à l'extérieur. Le circuit intégré monolithique hyperfréquence comprend, séparément de la borne de connexion haute fréquence, une borne de connexion d'adaptation (11) à connecter à partir du transistor, une ligne de transmission d'adaptation (31) s'étendant à partir de la borne de connexion d'adaptation (11) et un MIM d'adaptation (21). La ligne de transmission d'adaptation (31) est agencée de manière à être espacée et en parallèle avec une électrode avant (211) du MIM d'adaptation (21) et la ligne de transmission d'adaptation (31) est pourvue d'une électrode de connexion (311) qui connecte l'électrode avant (211) du MIM d'adaptation (21) à la ligne de transmission d'adaptation (31) dans une portion d'une partie agencée parallèlement.
(JA)
高周波を増幅するトランジスタから接続されるための高周波接続端子(4)と、高周波を外部に出力する高周波電力伝送線路(40)と、を備えた整合回路が実装されたモノリシックマイクロ波集積回路において、高周波接続端子とは別に設けられた、トランジスタから接続されるための整合用接続端子(11)と、整合用接続端子(11)から延在する整合用伝送線路(31)と、整合用MIM(21)とを備え、整合用伝送線路(31)は、整合用MIM(21)の表電極(211)と間隔を空けて併走するように配置され、整合用MIM(21)の表電極(211)と整合用伝送線路(31)とを、併走している一部の部分において接続する接続電極(311)を備えるようにした。
他の公開
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