(EN) A film formation method according to one embodiment of the present invention is executed while a substrate is in a state of having been placed on a support base. This film formation method includes: a step in which a precursor gas including a precursor is supplied to an internal space of a chamber main body from a gas supply unit; a step in which a reactive gas is supplied to the internal space from the gas supply unit; and a step in which a plasma of the reactive gas is generated in order to intensify the reaction between the precursor and the reactive gas. In the step in which the plasma of the reactive gas is generated, the ratio of the power of a second high frequency supplied to a lower electrode, to the power of a first high frequency supplied to an upper electrode, is adjusted, and the phase of the voltage of the lower electrode is adjusted by a phase adjustment circuit relative to the phase of the voltage of the upper electrode.
(FR) Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne un procédé de formation de film qui est exécuté pendant qu'un substrat est dans un état tel qu'il été placé sur une base de support. Ledit procédé de formation de film comprend : une étape à laquelle un gaz précurseur comprenant un précurseur est fourni à un espace interne d'un corps principal de chambre à partir d'une unité d'alimentation en gaz ; une étape à laquelle un gaz réactif est fourni à l'espace interne à partir de l'unité d'alimentation en gaz ; et une étape à laquelle un plasma du gaz réactif est généré afin d'intensifier la réaction entre le précurseur et le gaz réactif. À l'étape de génération du plasma du gaz réactif, le rapport de la puissance d'une seconde haute fréquence fournie à une électrode inférieure, à la puissance d'une première fréquence élevée fournie à une électrode supérieure, est ajusté, et la phase de la tension de l'électrode inférieure est ajustée par un circuit de réglage de phase par rapport à la phase de la tension de l'électrode supérieure.
(JA) 一実施形態の成膜方法は、基板が支持台上に載置された状態で実行される。この成膜方法は、ガス供給部からチャンバ本体の内部空間に、前駆体を含む前駆体ガスを供給する工程と、ガス供給部から内部空間に、反応性ガスを供給する工程と、前駆体と反応性ガスとの反応を強化するために、反応性ガスのプラズマを生成する工程と、を含む。反応性ガスのプラズマを生成する工程では、上部電極に供給される第1の高周波の電力に対する、下部電極に供給される第2の高周波の電力の比が調整され、且つ、位相調整回路によって下部電極の電圧の位相が上部電極の電圧の位相に対して相対的に調整される。