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1. (WO2019067575) MEMORY CELL WITH OXIDE CAP AND SPACER LAYER FOR PROTECTING A FLOATING GATE FROM A SOURCE IMPLANT
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国際公開番号: WO/2019/067575 国際出願番号: PCT/US2018/052900
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 26.09.2018
IPC:
H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 29/423 (2006.01) ,H01L 29/788 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
40
電極
41
その形状,相対的大きさまたは配置に特徴のあるもの
423
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さないもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
788
浮遊ゲートを有するもの
出願人:
MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED [US/US]; 2355 West Chandler Blvd. Chandler, Arizona 85224-6199, US
発明者:
HYMAS, Mel; US
CHEN, Bomy; US
STOM, Greg; US
WALLS, James; US
代理人:
SLAYDEN, Bruce W., II; US
優先権情報:
16/110,33023.08.2018US
62/564,17427.09.2017US
発明の名称: (EN) MEMORY CELL WITH OXIDE CAP AND SPACER LAYER FOR PROTECTING A FLOATING GATE FROM A SOURCE IMPLANT
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE AVEC CAPUCHON D'OXYDE ET COUCHE D'ESPACEMENT POUR PROTÉGER UNE GRILLE FLOTTANTE D'UN IMPLANT SOURCE
要約:
(EN) A method of forming a memory cell, e.g., flash memory cell, may include (a) depositing polysilicon over a substrate, (b) depositing a mask over the polysilicon, (c) etching an opening in the mask to expose a surface of the polysilicon, (d) growing a floating gate oxide at the exposed polysilicon surface, (e) depositing additional oxide above the floating gate oxide, such that the floating gate oxide and additional oxide collectively define an oxide cap, (f) removing mask material adjacent the oxide cap, (g) etching away portions of the polysilicon uncovered by the oxide cap, wherein a remaining portion of the polysilicon defines a floating gate, and (h) depositing a spacer layer over the oxide cap and floating gate. The spacer layer may includes a shielding region aligned over at least one upwardly-pointing tip region of the floating gate, which helps protect such tip region(s) from a subsequent source implant process.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'une cellule de mémoire, par exemple une cellule de mémoire flash, qui peut consister à : (a) déposer du polysilicium sur un substrat, (b) déposer un masque sur le polysilicium, (c) graver une ouverture dans le masque pour exposer une surface du polysilicium, (d) faire croître un oxyde de grille flottante au niveau de la surface de polysilicium exposée, (e) déposer un oxyde supplémentaire au-dessus de l'oxyde de grille flottante, de telle sorte que l'oxyde de grille flottante et l'oxyde supplémentaire définissent collectivement une coiffe d'oxyde, (f) retirer un matériau de masque adjacent à la coiffe d'oxyde, (g) graver des parties du polysilicium découvert par la coiffe d'oxyde, une partie restante du polysilicium définissant une grille flottante, et (h) déposer une couche d'espacement sur la coiffe d'oxyde et la grille flottante. La couche d'espacement peut comprendre une région de blindage alignée sur au moins une région de pointe orientée vers le haut de la grille flottante, ce qui aide à protéger une telle région de pointe (s) d'un processus d'implant source ultérieur.
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)