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1. (WO2019067444) SYSTEMS AND METHODS FOR TREATING SUBSTRATES WITH CRYOGENIC FLUID MIXTURES
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/067444 国際出願番号: PCT/US2018/052643
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 25.09.2018
IPC:
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/67 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
出願人:
TEL FSI, INC. [US/US]; 3455 Lyman Boulevard Chaska, Minnesota 55318, US
発明者:
DEKRAKER, David P.; US
代理人:
KAGAN, David, B.; US
BERGER, Scott A.; US
BINDER, Mark, W.; US
BJORKMAN, Dale, A.; US
BUSSE, Paul, B.; US
DAHL, Philip Y.; US
D'SOUZA, Tanya S.; US
HAKAMAKI, Michaele, A.; US
PARINS, Paul, J.; US
JIMENEZ, Jose, W.; US
SARAGENO, Lori S.; US
SCHULTE, Daniel, C.; US
WARNER, Elizabeth A.; US
WEAVER, Paul, L.; US
優先権情報:
15/721,39629.09.2017US
発明の名称: (EN) SYSTEMS AND METHODS FOR TREATING SUBSTRATES WITH CRYOGENIC FLUID MIXTURES
(FR) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS AU MOYEN DE MÉLANGES DE FLUIDES CRYOGÉNIQUES
要約:
(EN) Disclosed herein are systems and methods for treating the surface of a microelectronic substrate, and in particular, relate to an apparatus and method for scanning the microelectronic substrate through a cryogenic fluid mixture used to treat an exposed surface of the microelectronic substrate. The fluid mixture may be expanded through a nozzle to form an aerosol spray or gas cluster jet (GCJ) spray may impinge the microelectronic substrate and remove particles from the microelectronic substrate's surface. In one embodiment, the process conditions may be varied between subsequent treatments of a single substrate to target different types of particles with each treatment.
(FR) L'invention concerne des systèmes et des procédés permettant de traiter la surface d'un substrat microélectronique, et en particulier, un appareil et un procédé qui permettent de balayer le substrat microélectronique avec un mélange de fluides cryogéniques utilisé pour traiter une surface exposée du substrat microélectronique. Le mélange de fluides peut être répandu au moyen d'une buse pour former une pulvérisation aérosol ou une pulvérisation par jet d'amas gazeux (GCJ), peut entrer en contact avec le substrat microélectronique et éliminer des particules de la surface du substrat microélectronique. Selon un mode de réalisation, les conditions de traitement peuvent être modifiées entre des traitements ultérieurs d'un seul substrat de façon à cibler différents types de particules au moyen de chaque traitement.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)