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1. (WO2019066978) CONDUCTIVE VIA AND METAL LINE END FABRICATION AND STRUCTURES RESULTING THEREFROM
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国際公開番号: WO/2019/066978 国際出願番号: PCT/US2017/054641
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 30.09.2017
IPC:
H01L 21/768 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
768
装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
出願人:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
WALLACE, Charles H. [US/US]; US
PATEL, Reken [US/US]; US
PARK, Hyunsoo [KR/US]; US
HARAN, Mohit K. [IN/US]; US
BASU, Debashish [IN/US]; US
WARD, Curtis W. [US/US]; US
BRAIN, Ruth A. [US/US]; US
発明者:
WALLACE, Charles H.; US
PATEL, Reken; US
PARK, Hyunsoo; US
HARAN, Mohit K.; US
BASU, Debashish; US
WARD, Curtis W.; US
BRAIN, Ruth A.; US
代理人:
PUGH, Joseph A.; US
COFIELD, Michael A.; US
BLANK, Eric S.; US
ROJO, Estiven; US
BRASK, Justin K.; US
AUYEUNG, Al; US
BERNADICOU, Michael A.; US
BLAIR, Steven R.; US
DANSKIN, Timothy A.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
MOORE, Michael S.; US
PARKER, Wesley E.; US
RASKIN, Vladimir; US
STRAUSS, Ryan N.; US
WANG, Yuke; US
YATES, Steven D.; US
SULLIVAN, Stephen G.; US
優先権情報:
発明の名称: (EN) CONDUCTIVE VIA AND METAL LINE END FABRICATION AND STRUCTURES RESULTING THEREFROM
(FR) TROU D'INTERCONNEXION CONDUCTEUR ET FABRICATION D'EXTRÉMITÉ DE LIGNE MÉTALLIQUE ET STRUCTURES RÉSULTANTES
要約:
(EN) Conductive via and metal line end fabrication is described. In an example, an interconnect structure includes a first inter-layer dielectric (ILD) on a hardmask layer, where the ILD includes a first ILD opening and a second ILD opening. The interconnect structure further includes an etch stop layer (ESL) on the ILD layer, where the ESL includes a first ESL opening aligned with the first ILD opening to form a first via opening, and where the ESL layer includes a second ESL opening aligned with the second ILD opening. The interconnect structure further includes a first via in the first via opening, a second ILD layer on the first ESL, and a metal line in the second ILD layer, where the metal line is in contact with the first via, and where the metal line includes a first metal opening, and where the metal line includes a second metal opening aligned with the second ILD opening and the ESL opening to form a second via opening. The interconnect structure further includes a metal line end in the first metal opening and further includes a second via in the metal line, where the second via is in the second via opening.
(FR) L'invention concerne un trou d'interconnexion conducteur et une fabrication d'extrémité de ligne métallique. Dans un exemple, une structure d'interconnexion comprend un premier diélectrique intercouche (ILD) sur une couche de masque dur, l'ILD comprenant une première ouverture ILD et une seconde ouverture ILD. La structure d'interconnexion comprend en outre une couche d'arrêt de gravure (ESL) sur la couche ILD, l'ESL comprenant une première ouverture d'ESL alignée avec la première ouverture ILD pour former une première ouverture d'interconnexion, et où la couche d'ESL comprend une seconde ouverture d'ESL alignée avec la seconde ouverture ILD. La structure d'interconnexion comprend en outre un premier trou d'interconnexion dans la première ouverture d'interconnexion, une seconde couche ILD sur la première ESL, et une ligne métallique dans la seconde couche ILD, la ligne métallique étant en contact avec le premier trou d'interconnexion, et la ligne métallique comprenant une première ouverture métallique, et la ligne métallique comprenant une seconde ouverture métallique alignée avec la seconde ouverture ILD et l'ouverture d'ESL pour former une seconde ouverture de trou d'interconnexion. La structure d'interconnexion comprend en outre une extrémité de ligne métallique dans la première ouverture métallique et comprend en outre un second trou d'interconnexion dans la ligne métallique, le second trou d'interconnexion étant dans la seconde ouverture de trou d'interconnexion.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)