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1. (WO2019066960) STACKED DIE SEMICONDUCTOR PACKAGE SPACER DIE
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国際公開番号: WO/2019/066960 国際出願番号: PCT/US2017/054588
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 29.09.2017
IPC:
H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
065
装置がグループ27/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
出願人:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd Santa Clara, California 95054, US
発明者:
GOGINENI, Sireesha; US
KIM, Andrew; US
SHE, Yong; CN
BLUE, Karissa J.; US
代理人:
CZARNECKI, Michael S.; US
優先権情報:
発明の名称: (EN) STACKED DIE SEMICONDUCTOR PACKAGE SPACER DIE
(FR) DÉ D'ESPACEMENT DE BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEURS À DÉS EMPILÉS
要約:
(EN) Stacked die semiconductor packages may include a spacer die disposed between stacked dies in the semiconductor package and the semiconductor package substrate. The spacer die translates thermally induced stresses on the solder connections between the substrate and an underlying member, such as a printed circuit board, from electrical structures communicably or conductively coupling the semiconductor package substrate to the underlying structure to mechanical structures that physically couple the semiconductor package to the underlying structure. The footprint area of the spacer die is greater than the sum of the footprint areas of the individual stacked dies in the semiconductor package and less than or equal to the footprint area of the semiconductor package substrate. The spacer die may have nay physical configuration, thickness, shape, or geometry. The spacer die may have a coefficient of thermal expansion similar to that of the lowermost semiconductor die in the die stack.
(FR) L'invention concerne des boîtiers de semi-conducteurs à dés empilés pouvant comprendre un dé d'espacement disposé entre des dés empilés dans le boîtier de semi-conducteurs et le substrat de boîtier de semi-conducteurs. Le dé d'espacement transfère des contraintes induites thermiquement sur les connexions de soudure entre le substrat et un élément sous-jacent, tel qu'une carte de circuit imprimé, de structures électriques couplant de manière communicante ou conductrice le substrat de boîtier de semi-conducteurs à la structure sous-jacente à des structures mécaniques qui accouplent physiquement le boîtier de semi-conducteurs à la structure sous-jacente. La surface d'encombrement du dé d'espacement est supérieure à la somme des surfaces d'encombrement des dés empilés individuels dans le boîtier de semi-conducteurs et est inférieure ou égale à la surface d'encombrement du substrat de boîtier de semi-conducteurs. Le dé d'espacement peut présenter une configuration physique, une épaisseur, une forme ou une géométrie quelconques. Le dé d'espacement peut avoir un coefficient de dilatation thermique similaire à celui du dé semi-conducteur situé le plus bas dans l'empilement de dés.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)