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1. (WO2019066912) SELF-ALIGNED CONTACTS FOR THIN FILM TRANSISTORS
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国際公開番号: WO/2019/066912 国際出願番号: PCT/US2017/054368
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 29.09.2017
IPC:
H01L 29/786 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
出願人:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
LE, Van H. [US/US]; US
SHARMA, Abhishek A. [IN/US]; US
CHU-KUNG, Benjamin [US/US]; US
DEWEY, Gilbert [US/US]; US
PILLARISETTY, Ravi [US/US]; US
RESHOTKO, Miriam R. [US/US]; US
SHIVARAMAN, Shriram [IN/US]; US
TAN, Li Huey [MY/US]; US
TRONIC, Tristan A. [US/US]; US
KAVALIEROS, Jack T. [US/US]; US
発明者:
LE, Van H.; US
SHARMA, Abhishek A.; US
CHU-KUNG, Benjamin; US
DEWEY, Gilbert; US
PILLARISETTY, Ravi; US
RESHOTKO, Miriam R.; US
SHIVARAMAN, Shriram; US
TAN, Li Huey; US
TRONIC, Tristan A.; US
KAVALIEROS, Jack T.; US
代理人:
WANG, Yuke; US
PUGH, Joseph A.; US
COFIELD, Michael A.; US
BLANK, Eric S.; US
ROJO, Estiven; US
BRASK, Justin K.; US
AUYEUNG, Al; US
BERNADICOU, Michael A.; US
BLAIR, Steven R.; US
DANSKIN, Timothy A.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
MOORE, Michael S.; US
PARKER, Wesley E.; US
RASKIN, Vladimir; US
STRAUSS, Ryan N.; US
YATES, Steven D.; US
SULLIVAN, Stephen G.; US
優先権情報:
発明の名称: (EN) SELF-ALIGNED CONTACTS FOR THIN FILM TRANSISTORS
(FR) CONTACTS AUTO-ALIGNÉS POUR TRANSISTORS À COUCHES MINCES
要約:
(EN) Embodiments herein describe techniques for a semiconductor device, which may include a substrate, and a U-shaped channel above the substrate. The U-shaped channel may include a channel bottom, a first channel wall and a second channel wall parallel to each other, a source area, and a drain area. A gate dielectric layer may be above the substrate and in contact with the channel bottom. A gate electrode may be above the substrate and in contact with the gate dielectric layer. A source electrode may be coupled to the source area, and a drain electrode may be coupled to the drain area. Other embodiments may be described and/or claimed.
(FR) Des modes de réalisation de la présente invention décrivent des techniques pour un dispositif à semi-conducteur, qui peut comprendre un substrat, et un canal en forme de U au-dessus du substrat. Le canal en forme de U peut comprendre un fond de canal, une première paroi de canal et une seconde paroi de canal parallèles les uns aux autres, une zone de source et une zone de drain. Une couche diélectrique de grille peut être au-dessus du substrat et en contact avec le fond de canal. Une électrode de grille peut être au-dessus du substrat et en contact avec la couche diélectrique de grille. Une électrode de source peut être couplée à la zone de source, et une électrode de drain peut être couplée à la zone de drain. D'autres modes de réalisation peuvent être décrits et/ou revendiqués.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)