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1. (WO2019066855) INTERCONNECTS HAVING A PORTION WITHOUT A LINER MATERIAL AND RELATED STRUCTURES, DEVICES, AND METHODS
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国際公開番号: WO/2019/066855 国際出願番号: PCT/US2017/054018
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 28.09.2017
IPC:
H01L 21/768 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
768
装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
出願人:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
発明者:
CHANDHOK, Manish; US
SCHENKER, Richard; US
TRONIC, Tristan; US
代理人:
BOOTH, Brett C.; US
優先権情報:
発明の名称: (EN) INTERCONNECTS HAVING A PORTION WITHOUT A LINER MATERIAL AND RELATED STRUCTURES, DEVICES, AND METHODS
(FR) INTERCONNEXIONS AYANT UNE PORTION SANS MATÉRIAU DE REVÊTEMENT ET STRUCTURES, DISPOSITIFS ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
要約:
(EN) Integrated circuit (IC) structures, computing devices, and related methods are disclosed. An IC structure includes an interlayer dielectric (ILD), an interconnect, and a liner material separating the interconnect from the ILD. The interconnect includes a first end extending to or into the ILD and a second end opposite the first end. A second portion of the interconnect extending from the second end to a first portion of the interconnect proximate to the first end does not include the liner material thereon. A method of manufacturing an IC structure includes removing an ILD from between interconnects, applying a conformal hermetic liner, applying a carbon hard mask (CHM) between the interconnects, removing a portion of the CHM, removing the conformal hermetic liner to a remaining CHM, and removing the exposed portion of the liner material to the remaining CHM to expose the second portion of the interconnects.
(FR) L'invention concerne des structures de circuit intégré (CI), des dispositifs informatiques et des procédés associés. Une structure de CI comprend un diélectrique intercouche (ILD), une interconnexion et un matériau de revêtement qui sépare l'interconnexion de l'ILD. L'interconnexion comprend une première extrémité qui s'étend vers ou dans l'ILD et une deuxième extrémité opposée à la première extrémité. Le matériau de revêtement n'est pas présent sur une deuxième portion de l'interconnexion qui s'étend de la deuxième extrémité à une première portion de l'interconnexion à proximité de la première extrémité. Un procédé de fabrication d'une structure de CI comprend l'enlèvement d'un ILD d'entre des interconnexions, l'application d'un revêtement hermétique conforme, l'application d'un masque dur de carbone (CHM) entre les interconnexions, l'enlèvement d'une portion du CHM, l'enlèvement du revêtement hermétique conforme d'un CHM restant, et l'enlèvement de la portion exposée du matériau de revêtement du CHM restant pour exposer la deuxième portion des interconnexions.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)