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1. (WO2019066163) GALLIUM NITRIDE-BASED SENSOR HAVING PHOTOSTIMULATABLE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
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国際公開番号: WO/2019/066163 国際出願番号: PCT/KR2018/001993
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 19.02.2018
IPC:
G01N 27/12 (2006.01)
G 物理学
01
測定;試験
N
材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
27
電気的,電気化学的,または磁気的手段の利用による材料の調査または分析
02
インピーダンスの調査によるもの
04
抵抗の調査によるもの
12
流体の吸収による固体の;流体との反応による固体の
出願人:
(재)한국나노기술원 KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER [KR/KR]; 경기도 수원시 영통구 광교로 109 (이의동) (lui-dong) 109, Gwanggyo-ro, Yeongtong-gu Suwon-si Gyeonggi-do 16229, KR
発明者:
박경호 PARK, Kyungho; KR
조주영 CHO, Chuyoung; KR
박형호 PARK, Hyeong Ho; KR
고유민 KOH, Yu Min; KR
代理人:
이준성 LEE, Joon Sung; KR
優先権情報:
10-2017-012425026.09.2017KR
発明の名称: (EN) GALLIUM NITRIDE-BASED SENSOR HAVING PHOTOSTIMULATABLE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) CAPTEUR À BASE DE NITRURE DE GALLIUM POSSÉDANT UNE STRUCTURE PHOTOSTIMULABLE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 및 그 제조 방법
要約:
(EN) The present invention relates to a gallium nitride-based sensor having a photostimulatable structure and a manufacturing method therefor. The method comprises the steps of: growing an LED epitaxial layer on a substrate; growing a high-resistance (HR)-GaN layer on the LED epitaxial layer; sequentially growing one selected from the group consisting of a u-GaN layer and AlxGa1-xN layer and an InxAl1-xN layer and InxAlyGa1-x-yN layer on the HR-GaN layer; performing a patterning process to allow the formation of an electrode on the LED epitaxial layer; forming an electrode according to the pattern established on the LED epitaxial layer; and forming a sensing material layer on the one layer selected from the group consisting of the AlxGa1-xN layer, the InxAl1-xN layer, and the InxAlyGa1-x-yN layer.
(FR) La présente invention concerne un capteur à base de nitrure de gallium possédant une structure photostimulable et son procédé de fabrication. Le procédé comprend les étapes consistant à : faire croître une couche épitaxiale de DEL sur un substrat ; faire croître une couche de (HR)-GaN à haute résistance sur la couche épitaxiale de DEL ; faire croître successivement une couche choisie dans le groupe constitué d'une couche de u-GaN et d'une couche de AlxGa1-xN, et d'une couche de InxAl1-xN et d'une couche de InxAlyGa1-x-yN sur la couche de HR-GaN ; mettre en œuvre un procédé de formation de motif pour permettre la formation d'une électrode sur la couche épitaxiale de DEL ; former une électrode selon le motif dessiné sur la couche épitaxiale de DEL ; et former une couche d'un matériau de détection sur ladite couche, sélectionnée dans le groupe constitué de la couche d'AlxGa1-xN, la couche de InxAl1-xN et la couche de InxAlyGa1-x-yN.
(KO) 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 및 그 제조 방법으로, 기판에 LED 에피층을 성장시키는 단계와; 상기 LED 에피층 상에 HR(High-resistance)-GaN 층을 성장시키는 단계와; 상기 HR-GaN 층 상에 u-GaN 층 및 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층을 순차적으로 성장시키는 단계와; 상기 LED 에피층에 전극을 형성할 수 있도록 패터닝을 수행하는 단계와; 상기 LED 에피층에 형성된 패턴에 따라 전극을 형성시키는 단계와; 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 검지물질층을 형성시키는 단계를 포함한다.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 韓国語 (KO)
国際出願言語: 韓国語 (KO)