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1. (WO2019066033) プラズマ処理装置用部材およびプラズマ処理装置
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国際公開番号: WO/2019/066033 国際出願番号: PCT/JP2018/036464
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 28.09.2018
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01) ,C04B 35/505 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
C 化学;冶金
04
セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B
石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
35
組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理
50
希土類化合物を基とするもの
505
酸化イットリウムを基とするもの
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
24
プラズマの発生
46
電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
出願人:
京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 京都府京都市伏見区竹田鳥羽殿町6番地 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501, JP
発明者:
田中 万平 TANAKA, Manpei; JP
優先権情報:
2017-18788628.09.2017JP
発明の名称: (EN) PLASMA PROCESSING DEVICE MEMBER AND PLASMA PROCESSING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE DE DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置用部材およびプラズマ処理装置
要約:
(EN) This plasma processing device member comprises an yttrium oxide sintered body containing 98% by mass or more of yttrium oxide and having a plurality of open pores. When L1 is the mean value of the distance between the centroids of the open pores that are adjacent to one another, L1 is 50 μm or longer. In addition, this plasma processing device comprises a plasma processing device member and a plasma generator.
(FR) L'invention concerne un élément de dispositif de traitement au plasma comprenant un corps fritté d'oxyde d'yttrium contenant au moins 98 % en masse d'oxyde d'yttrium et ayant une pluralité de pores ouverts. Lorsque L1 est la valeur moyenne de la distance entre les centroïdes des pores ouverts qui sont adjacents les uns aux autres, L1 est d'au moins 50 µm. De plus, ce dispositif de traitement au plasma comprend un élément de dispositif de traitement au plasma et un générateur de plasma.
(JA) 本開示のプラズマ処理装置用部材は、酸化イットリウムを98質量%以上含有し、複数の開気孔を有する酸化イットリウム質焼結体からなるプラズマ処理装置用部材であって、隣り合う前記開気孔の重心間距離の平均値をL1としたとき、前記L1は50μm以上である。また本開示のプラズマ処理装置は、プラズマ処理装置用部材と、プラズマ発生装置とを備えている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)