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1. (WO2019065689) 下地基板、機能素子および下地基板の製造方法
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国際公開番号: WO/2019/065689 国際出願番号: PCT/JP2018/035586
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 26.09.2018
IPC:
C30B 29/38 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
38
窒化物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
出願人:
日本碍子株式会社 NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 愛知県名古屋市瑞穂区須田町2番56号 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530, JP
発明者:
後藤 万佐司 GOTO Masashi; JP
坂井 正宏 SAKAI Masahiro; JP
大上 翔平 OUE Shohei; JP
吉野 隆史 YOSHINO Takashi; JP
代理人:
細田 益稔 HOSODA Masutoshi; JP
青木 純雄 AOKI Sumio; JP
優先権情報:
2017-18641127.09.2017JP
発明の名称: (EN) BASE SUBSTRATE, FUNCTIONAL ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING BASE SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE BASE, ÉLÉMENT FONCTIONNEL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE BASE
(JA) 下地基板、機能素子および下地基板の製造方法
要約:
(EN) Provided is a base substrate for growing a group 13 element nitride crystal layer on a crystal growing surface of a base crystal layer, wherein the base substrate has a structure which can further reduce defects or cracks in the group 13 element nitride crystal layer. A base substrate 6 comprises: a support substrate 1 made of aluminum oxide; and a base crystal layer 2A, which is provided on a main surface 1a of the support substrate 1, is made of a group 13 element nitride crystal, and has a crystal growing surface 2a. At least one of a product of reaction between the material of the support substrate and the group 13 element nitride crystal and a group 13 metal, 4A, is present between the support substrate 1 and the base crystal layer 2A. The product of reaction includes at least aluminum and a group 13 element.
(FR) L'invention concerne un substrat de base pour la croissance d'une couche cristalline de nitrure d'élément du groupe 13 sur une surface de croissance cristalline d'une couche cristalline de base, le substrat de base présentant une structure qui peut en outre réduire des défauts ou des fissures dans la couche cristalline de nitrure d'élément du groupe 13. L'invention concerne un substrat de base 6 comprenant : un substrat de support 1 en oxyde d'aluminium ; et une couche cristalline de base 2A qui est disposée sur une surface principale 1a du substrat de support 1, qui est constituée d'un cristal d'un nitrure d'un élément du groupe 13 et qui possède une surface 2a de croissance cristalline. Au moins l'un d'un produit de réaction entre le matériau du substrat de support et le cristal de nitrure d'élément du groupe 13 et un métal du groupe 13, 4A, est présent entre le substrat de support 1 et la couche cristalline de base 2A. Le produit de réaction comprend au moins de l'aluminium et un élément du groupe 13.
(JA) 下地結晶層の結晶育成面上に13族元素窒化物結晶層を育成するための下地基板において、13族元素窒化物結晶層における欠陥やクラックを更に低減できる構造を提供する。 下地基板6は、酸化アルミニウムからなる支持基板1、支持基板1の主面1a上に設けられ、および13族元素窒化物結晶からなり、結晶育成面2aを有する下地結晶層2Aを備える。支持基板1と下地結晶層2Aとの間に、支持基板の材質と13族元素窒化物結晶との反応物と13族金属との少なくとも一方4Aが存在している。反応物が、少なくともアルミニウムおよび13族元素を含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)