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1. (WO2019065668) 高周波モジュールおよび通信装置
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国際公開番号: WO/2019/065668 国際出願番号: PCT/JP2018/035554
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 26.09.2018
IPC:
H04B 1/38 (2015.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 23/14 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H05K 3/46 (2006.01)
H 電気
04
電気通信技術
B
伝送
1
グループH04B3/00~H04B13/00の単一のグループに包含されない伝送方式の細部;伝送媒体によって特徴づけられない伝送方式の細部
38
送受信機,すなわち送信機と受信機とが1つの構造ユニットを形成し,かつ少なくとも一部分は送信および受信機能のために用いられる装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
768
装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
14
材料またはその電気特性に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
52
動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522
半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
H 電気
05
他に分類されない電気技術
K
印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
3
印刷回路を製造するための装置または方法
46
多重層回路の製造
出願人:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
発明者:
若木 謙 WAKAKI Ken; JP
代理人:
特許業務法人 楓国際特許事務所 KAEDE PATENT ATTORNEYS' OFFICE; 大阪府大阪市中央区農人橋1丁目4番34号 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011, JP
優先権情報:
2017-19013029.09.2017JP
発明の名称: (EN) HIGH FREQUENCY MODULE AND COMMUNICATION DEVICE
(FR) MODULE HAUTE FRÉQUENCE ET DISPOSITIF DE COMMUNICATION
(JA) 高周波モジュールおよび通信装置
要約:
(EN) This high frequency module (10) is provided with an IC chip (20) and mounted components (41, 42, 43) which are mounted on the IC chip (20). The IC chip (20) comprises: a core substrate (21) that is formed of a semiconductor and has a first main surface (211) and a second main surface (212), each of which is on the reverse sides of the other; and a metal wiring layer (22) that is formed on the first main surface (211) of the core substrate (21) and has a contact surface which is in contact with the first main surface (211) and a third main surface (221) which is on the reverse side of the contact surface. The mounted components (41, 42, 43) are mounted on the third main surface (221) side.
(FR) Ce module haute fréquence (10) est pourvu d'une puce à circuit intégré (20) et de composants montés (41, 42, 43) qui sont montés sur la puce à circuit intégré (20). La puce à circuit intégré (20) comprend : un substrat central (21) qui est formé d'un semi-conducteur et a une première surface principale (211) et une seconde surface principale (212), dont chacune est sur le côté opposé de l'autre; et une couche de câblage métallique (22) qui est formée sur la première surface principale (211) du substrat central (21) et a une surface de contact qui est en contact avec la première surface principale (211) et une troisième surface principale (221) qui est sur le côté opposé de la surface de contact. Les composants montés (41, 42, 43) sont montés sur le coté de la troisième surface principale (221).
(JA) 高周波モジュール(10)は、ICチップ(20)と、ICチップ(20)に実装された実装部品(41,42,43)と、を備える。ICチップ(20)は、互いに対向する第1主面(211)と第2主面(212)とを有する半導体からなるコア基板(21)と、コア基板(21)の第1主面(211)に形成され、第1主面(211)への当接面と該当接面に対向する第3主面(221)を有するメタル配線層(22)とを備える。実装部品(41,42,43)は、第3主面(221)側に実装されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)