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1. (WO2019065666) 弾性波装置
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国際公開番号: WO/2019/065666 国際出願番号: PCT/JP2018/035552
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 26.09.2018
IPC:
H03H 9/25 (2006.01) ,H01L 41/047 (2006.01) ,H01L 41/08 (2006.01) ,H01L 41/09 (2006.01) ,H03H 9/145 (2006.01) ,H03H 9/64 (2006.01)
H 電気
03
基本電子回路
H
インビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9
電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
25
弾性表面波を使用する共振器の構造上の特徴
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41
圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
細部
04
圧電または電歪素子のもの
047
電極
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41
圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
08
圧電または電歪素子
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41
圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
08
圧電または電歪素子
09
電気的入力および機械的出力をもつもの
H 電気
03
基本電子回路
H
インビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9
電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
02
細部
125
駆動手段,例.電極,コイル
145
弾性表面波を用いる回路網のためのもの
H 電気
03
基本電子回路
H
インビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9
電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
46
濾波器
64
弾性表面波を用いるもの
出願人:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
発明者:
大村 正志 OMURA, Masashi; --
代理人:
特許業務法人北斗特許事務所 HOKUTO PATENT ATTORNEYS OFFICE; 大阪府大阪市北区梅田一丁目12‐17梅田スクエアビル Umeda Square Bldg., 12-17, Umeda 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300001, JP
優先権情報:
2017-18673427.09.2017JP
発明の名称: (EN) ACOUSTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES
(JA) 弾性波装置
要約:
(EN) The present invention further enhances resistance to electric power while suppressing deterioration of frequency characteristics. A first IDT electrode (7A) and a second IDT electrode (7B) are connected in series to each other via a common bus bar (70) shared by these electrodes. In each of a first acoustic impedance layer (4A) and a second acoustic impedance layer (4B), at least one high-acoustic impedance layer (41) and at least one low-acoustic impedance layer are conductive layers. At least a portion of the conductive layers of the first acoustic impedance layer (4A) and at least a portion of the conductive layers of the second acoustic impedance layer (4B) do not overlap with the common bus bar (70) in a plan view from the thickness direction of a piezoelectric layer (5). The conductive layers of the first acoustic impedance layer (4A) are electrically insulated from the conductive layers of the second acoustic impedance layer (4B).
(FR) La présente invention permet d'améliorer davantage la résistance à l'énergie électrique tout en supprimant la détérioration des caractéristiques de fréquence. Une première électrode IDT (7A) et une seconde électrode IDT (7B) sont connectées en série l'une à l'autre par l'intermédiaire d'une barre omnibus commune (70) partagée par ces électrodes. Dans chacune d'une première couche à impédance acoustique (4A) et d'une seconde couche à impédance acoustique (4B), au moins une couche à haute impédance acoustique (41) et au moins une couche à faible impédance acoustique sont des couches conductrices. Au moins une partie des couches conductrices de la première couche à impédance acoustique (4A) et au moins une partie des couches conductrices de la seconde couche à impédance acoustique (4B) ne se chevauchent pas avec la barre omnibus commune (70) en vue en plan à partir de la direction de l'épaisseur d'une couche piézoélectrique (5). Les couches conductrices de la première couche à impédance acoustique (4A) sont isolées électriquement des couches conductrices de la seconde couche à impédance acoustique (4B).
(JA) 周波数特性の低下を抑制しつつ耐電力性をより高める。第1IDT電極(7A)及び第2IDT電極(7B)は、互いに共有している共通バスバー(70)により互いに直列接続されている。第1音響インピーダンス層(4A)及び第2音響インピーダンス層(4B)の各々について、少なくとも1つの高音響インピーダンス層(41)及び少なくとも1つの低音響インピーダンス層の少なくとも1つが導電層である。第1音響インピーダンス層(4A)における導電層の少なくとも一部と第2音響インピーダンス層(4B)における導電層の少なくとも一部とが、圧電体層(5)の厚さ方向からの平面視において共通バスバー(70)と重複していない。第1音響インピーダンス層(4A)における導電層と第2音響インピーダンス層(4B)における導電層とが電気的に絶縁されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)