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1. (WO2019065561) 電界効果型トランジスタ、その製造方法、それを用いた無線通信装置および商品タグ
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国際公開番号: WO/2019/065561 国際出願番号: PCT/JP2018/035275
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 25.09.2018
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,C08G 77/42 (2006.01) ,C08G 77/58 (2006.01) ,C08K 3/00 (2018.01) ,C08K 3/22 (2006.01) ,C08L 83/04 (2006.01) ,C08L 101/00 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/30 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
77
高分子の主鎖にいおう,窒素,酸素または炭素を有しまたは有せずにけい素を含む連結基を形成する反応により得られる高分子化合物
42
ポリシロキサン連鎖を含むブロックまたはグラフト重合体
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
77
高分子の主鎖にいおう,窒素,酸素または炭素を有しまたは有せずにけい素を含む連結基を形成する反応により得られる高分子化合物
48
すべてではないが少くとも2個のけい素原子が酸素原子以外の連結基により結合されているもの
58
金属含有連結基によるもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
K
無機または非高分子有機物質の添加剤としての使用(ペイント,インキ,ワニス,染料,艶出剤,接着剤C09)
3
無機配合成分の使用
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
K
無機または非高分子有機物質の添加剤としての使用(ペイント,インキ,ワニス,染料,艶出剤,接着剤C09)
3
無機配合成分の使用
18
酸素含有化合物,例.金属カルボニル
20
酸化物;水酸化物
22
金属の
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
L
高分子化合物の組成物
83
主鎖のみにいおう,窒素,酸素または炭素を含みまたは含まずにけい素を含む結合を形成する反応によって得られる高分子化合物の組成物;そのような重合体の誘導体の組成物
04
ポリシロキサン
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
L
高分子化合物の組成物
101
不特定の高分子化合物の組成物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
30
材料の選択
出願人:
東レ株式会社 TORAY INDUSTRIES, INC. [JP/JP]; 東京都中央区日本橋室町2丁目1番1号 1-1, Nihonbashi-Muromachi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1038666, JP
発明者:
崎井大輔 SAKII, Daisuke; JP
村瀬清一郎 MURASE, Seiichiro; JP
脇田潤史 WAKITA, Junji; JP
優先権情報:
2017-18990029.09.2017JP
発明の名称: (EN) FIELD EFFECT-TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, WIRELESS COMMUNICATION DEVICE USING SAME, AND PRODUCT TAG
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, DISPOSITIF DE COMMUNICATION SANS FIL L'UTILISANT ET ÉTIQUETTE DE PRODUIT
(JA) 電界効果型トランジスタ、その製造方法、それを用いた無線通信装置および商品タグ
要約:
(EN) The field-effect transistor is provided with at least: a substrate; a source electrode, a drain electrode and a gate electrode; a semiconductor layer that contacts the source electrode and the drain electrode; and a gate insulating layer that insulates the semiconductor layer from the gate electrode. The semiconductor layer contains carbon nanotubes, and the gate insulating layer contains a polymer in which inorganic particles are bonded. Provided are a field effect-transistor which has reduced leak current and enables uniform coating of a semiconductor solution, and a method for manufacturing the same.
(FR) L'invention concerne un transistor à effet de champ comprenant au moins : un substrat ; une électrode de source, une électrode de drain et une électrode de grille ; une couche semi-conductrice qui entre en contact avec l'électrode de source et l'électrode de drain ; et une couche d'isolation de grille qui isole la couche semi-conductrice de l'électrode de grille. La couche semi-conductrice contient des nanotubes de carbone, et la couche d'isolation de grille contient un polymère dans lequel des particules inorganiques sont liées. L'invention concerne un transistor à effet de champ qui présente un courant de fuite réduit et permet un revêtement uniforme d'une solution semi-conductrice, et son procédé de fabrication.
(JA) 少なくとも、基板と、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極と、前記ソース電極およびドレイン電極に接する半導体層と、前記半導体層を前記ゲート電極と絶縁するゲート絶縁層と、を備えた電界効果型トランジスタであって、前記半導体層が、カーボンナノチューブを含有し、前記ゲート絶縁層が、無機粒子が結合したポリマーを含有する電界効果型トランジスタ。リーク電流が低減され、さらに半導体溶液の均一塗布が可能となる電界効果型トランジスタと、その製造方法を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)