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1. WO2019065544 - 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び記録媒体

公開番号 WO/2019/065544
公開日 04.04.2019
国際出願番号 PCT/JP2018/035216
国際出願日 21.09.2018
IPC
H01L 21/28 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
C23C 16/56 2006.1
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
56後処理
H05H 1/46 2006.1
H電気
05他に分類されない電気技術
Hプラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1プラズマの生成;プラズマの取扱い
24プラズマの発生
46電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
CPC
C23C 16/56
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
56After-treatment
H01J 37/321
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
321the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
H01J 37/32568
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32532Electrodes
32568Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
H01J 37/32715
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32715Workpiece holder
H01J 37/32724
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32715Workpiece holder
32724Temperature
H01L 21/02164
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02123the material containing silicon
02164the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
出願人
  • 株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 中山 雅則 NAKAYAMA, Masanori
  • 舟木 克典 FUNAKI, Katsunori
  • 上田 立志 UEDA, Tatsushi
  • 坪田 康寿 TSUBOTA, Yasutoshi
  • 竹島 雄一郎 TAKESHIMA, Yuichiro
  • 井川 博登 IGAWA, Hiroto
  • 山角 宥貴 YAMAKADO, Yuki
代理人
  • 特許業務法人太陽国際特許事務所 TAIYO, NAKAJIMA & KATO
優先権情報
2017-18799428.09.2017JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND RECORDING MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET SUPPORT D’ENREGISTREMENT
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び記録媒体
要約
(EN) Provided is a technique for modifying a tungsten film formed on a substrate so that the sheet resistance thereof is considerably reduced, thereby forming a tungsten film which has excellent characteristics and is applicable to electrodes and the like. A method for producing a semiconductor device according to the present invention comprises: a step for carrying a substrate, on the surface of which a tungsten film has been formed, into a processing chamber; a step for producing a reactive species by plasma-exciting a processing gas that contains hydrogen and oxygen; and a step for modifying the tungsten film by supplying the reactive species to the substrate. In the step for modifying the tungsten film, the tungsten film is modified so that the crystal grain size of tungsten that constitutes the tungsten film becomes larger than the crystal grain size before the modification step.
(FR) L’invention concerne une technique de modification d’une pellicule de tungstène formée sur un substrat de sorte que sa résistance de feuille soit considérablement réduite, formant ainsi une pellicule de tungstène dont les caractéristiques sont excellentes et qui est applicable à des électrodes et similaire. Un procédé de production d’un dispositif semi-conducteur selon la présente invention consiste : en une étape de transport d’un substrat, sur la surface duquel a été formée une pellicule de tungstène, dans une chambre de traitement ; en une étape de production d’une espèce réactive par excitation par plasma d’un gaz de traitement qui contient de l’hydrogène et de l’oxygène ; et en une étape de modification de la pellicule de tungstène en fournissant l’espèce réactive au substrat. Lors de l’étape de modification de la pellicule de tungstène, la pellicule de tungstène est modifiée de sorte que la taille de grains de cristal de tungstène qui constitue la pellicule de tungstène devient supérieure à la taille de grains de cristal avant l’étape de modification.
(JA) 基板上に形成されたタングステン膜のシート抵抗値を大幅に低減するように改質し、電極等に適用される優れた特性を有するタングステン膜を形成する技術を提供する。表面にタングステン膜が形成された基板を処理室内に搬入する工程と、水素及び酸素を含有する処理ガスをプラズマ励起することにより反応種を生成する工程と、反応種を基板に供給してタングステン膜を改質する工程と、を有し、タングステン膜を改質する工程では、タングステン膜を構成するタングステンの結晶粒径が当該工程を行う前よりも大きくなるようにタングステン膜を改質する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報