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1. (WO2019065544) 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び記録媒体
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国際公開番号: WO/2019/065544 国際出願番号: PCT/JP2018/035216
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 21.09.2018
IPC:
H01L 21/28 (2006.01) ,C23C 16/56 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
56
後処理
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
24
プラズマの発生
46
電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
出願人:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍜治町3丁目4番地 3-4, KandaKaji-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 1010045, JP
発明者:
中山 雅則 NAKAYAMA, Masanori; JP
舟木 克典 FUNAKI, Katsunori; JP
上田 立志 UEDA, Tatsushi; JP
坪田 康寿 TSUBOTA, Yasutoshi; JP
竹島 雄一郎 TAKESHIMA, Yuichiro; JP
井川 博登 IGAWA, Hiroto; JP
山角 宥貴 YAMAKADO, Yuki; JP
代理人:
特許業務法人太陽国際特許事務所 TAIYO, NAKAJIMA & KATO; 東京都新宿区新宿4丁目3番17号 3-17, Shinjuku 4-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
優先権情報:
2017-18799428.09.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND RECORDING MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET SUPPORT D’ENREGISTREMENT
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び記録媒体
要約:
(EN) Provided is a technique for modifying a tungsten film formed on a substrate so that the sheet resistance thereof is considerably reduced, thereby forming a tungsten film which has excellent characteristics and is applicable to electrodes and the like. A method for producing a semiconductor device according to the present invention comprises: a step for carrying a substrate, on the surface of which a tungsten film has been formed, into a processing chamber; a step for producing a reactive species by plasma-exciting a processing gas that contains hydrogen and oxygen; and a step for modifying the tungsten film by supplying the reactive species to the substrate. In the step for modifying the tungsten film, the tungsten film is modified so that the crystal grain size of tungsten that constitutes the tungsten film becomes larger than the crystal grain size before the modification step.
(FR) L’invention concerne une technique de modification d’une pellicule de tungstène formée sur un substrat de sorte que sa résistance de feuille soit considérablement réduite, formant ainsi une pellicule de tungstène dont les caractéristiques sont excellentes et qui est applicable à des électrodes et similaire. Un procédé de production d’un dispositif semi-conducteur selon la présente invention consiste : en une étape de transport d’un substrat, sur la surface duquel a été formée une pellicule de tungstène, dans une chambre de traitement ; en une étape de production d’une espèce réactive par excitation par plasma d’un gaz de traitement qui contient de l’hydrogène et de l’oxygène ; et en une étape de modification de la pellicule de tungstène en fournissant l’espèce réactive au substrat. Lors de l’étape de modification de la pellicule de tungstène, la pellicule de tungstène est modifiée de sorte que la taille de grains de cristal de tungstène qui constitue la pellicule de tungstène devient supérieure à la taille de grains de cristal avant l’étape de modification.
(JA) 基板上に形成されたタングステン膜のシート抵抗値を大幅に低減するように改質し、電極等に適用される優れた特性を有するタングステン膜を形成する技術を提供する。表面にタングステン膜が形成された基板を処理室内に搬入する工程と、水素及び酸素を含有する処理ガスをプラズマ励起することにより反応種を生成する工程と、反応種を基板に供給してタングステン膜を改質する工程と、を有し、タングステン膜を改質する工程では、タングステン膜を構成するタングステンの結晶粒径が当該工程を行う前よりも大きくなるようにタングステン膜を改質する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)