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1. (WO2019065462) 炭化珪素半導体装置
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国際公開番号: WO/2019/065462 国際出願番号: PCT/JP2018/034870
国際公開日: 04.04.2019 国際出願日: 20.09.2018
IPC:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
316
酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
02
半導体本体
12
構成材料に特徴のあるもの
出願人:
株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661, JP
トヨタ自動車株式会社 TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 愛知県豊田市トヨタ町1番地 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571, JP
発明者:
箕谷 周平 MITANI Shuhei; JP
汲田 昌弘 KUMITA Masahiro; JP
副島 成雅 SOEJIMA Narumasa; JP
代理人:
特許業務法人ゆうあい特許事務所 YOU-I PATENT FIRM; 愛知県名古屋市中区錦一丁目6番5号 名古屋錦シティビル4階 Nagoya Nishiki City Bldg. 4F 1-6-5, Nishiki, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003, JP
優先権情報:
2017-18691727.09.2017JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置
要約:
(EN) A thermally oxidized film (10a) formed by thermally oxidizing part of a gate electrode (8) is used as a first inter-layer insulation film to effect insulation between the gate electrode (8) and a source electrode (12). The thermally oxidized film configured by thermally oxidizing part of the gate electrode (8) does not assume a form that protrudes far from a SiC surface, and therefore cracking due to stress that accompanies temperature changes, etc., does not readily occur. Therefore, it is possible to ensure insulation and separation between gate and source. In addition, a second inter-layer insulation film (11) is formed such that the portion above a contact region of a source region (4) and a base region (3) is removed by etching. Therefore, it is possible to precisely carry out contact of the source electrode (12) on both sides sandwiching the gate electrode (8).
(FR) Selon l’invention, une pellicule oxydée thermiquement (10a) formée en oxydant thermiquement une partie d’une électrode de grille (8) sert de première pellicule d’isolation intercouches pour assurer l’isolation entre l’électrode de grille (8) et une électrode de source (12). La pellicule oxydée thermiquement constituée en oxydant thermiquement une partie de l’électrode de grille (8) ne prend pas une forme qui dépasse loin d’une surface de SiC, si bien que les fissures dues à la contrainte qui accompagne des changements de température, etc. ne se produisent pas facilement. Il est donc possible d’assurer l’isolation et la séparation entre la grille et la source. Par ailleurs, une deuxième pellicule d’isolation intercouches (11) est formée de sorte que la partie au-dessus d’une zone de contact d’une zone de source (4) et d’une zone de base (3) est retirée par gravure. Il est donc possible d’établir avec précision le contact de l’électrode de source (12) des deux côtés encadrant l’électrode de grille (8).
(JA) ゲート電極(8)の一部を熱酸化して形成した熱酸化膜(10a)を第1の層間絶縁膜としてゲート電極(8)とソース電極(12)との絶縁を行う。ゲート電極(8)の一部を熱酸化することで構成した熱酸化膜はSiC表面からあまり突き出た形状にならないため、温度変化などに伴う応力によるクラックが入り難い。したがって、ゲート-ソース間の絶縁分離を担保することが可能となる。また、第2の層間絶縁膜(11)については、エッチバックによってソース領域(4)およびベース領域(3)のコンタクト領域の上から除去されるようにしている。このため、ゲート電極(8)を挟んだ両側において、ソース電極(12)のコンタクトを的確に行うことが可能となる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)